三、擴散制結

太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現(xiàn)光能到電能的轉換，而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的**設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片進行反應，得到磷原子。經(jīng)過一定時間，磷原子從四周進入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結是太陽電池生產(chǎn)**基本也是**關鍵的工序，黑龍江非晶硅太陽能電池片功率。因為正是PN結的形成，黑龍江非晶硅太陽能電池片功率，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。 太陽能電池片鋁框規(guī)格，黑龍江非晶硅太陽能電池片功率?。?！黑龍江非晶硅太陽能電池片功率

多晶硅(p-Si)

熔融硅在順控條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。

結晶后的多晶硅經(jīng)開方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片

多晶硅片的表觀為深藍色的方片

單晶硅(c-Si)

以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種（籽晶）上結晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。

單晶硅棒經(jīng)截斷、取方、切片后得到的成品硅片即為單晶硅片

單晶硅片表觀為金屬灰色的準方片

單晶硅電池光電轉換率較高可,但價格較高。多晶硅電池價格相對較低轉換效率也相對低些。但多晶硅片的產(chǎn)量、規(guī)模較單晶硅易擴大。 黑龍江非晶硅太陽能電池片功率太陽能電池片(完整片)各個規(guī)格面積？

現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)太陽能電池片的硅片，都是P型襯底，意思是之前已經(jīng)摻雜三族元素了，我們只需要進行磷擴散，就可以形成P-N結。

以n型半導體為底板結構的結晶硅類太陽能電池與以p型半導體為底板的結構相比，前者對雜質的抵抗性更大，在理論上更易提高能量轉換效率。不過，此前許多結晶硅類太陽能電池幾乎都采用以p型半導體為底板的結構。原因是在較厚的p型半導體上能夠形成非常薄的n型半導體層。

德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）宣布，該機構研制的以n型半導體為底板，然后在其上面形成較薄的p型半導體層的單晶硅太陽能電池，其能量轉換效率達到了23.4％。太陽能電池單元面積為2cm見方。

一、硅片檢測

硅片是太陽能電池片的載體，硅片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低，因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術參數(shù)進行在線測量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個在線測試[url=]模組[/url]主要測試硅片體電阻率和硅片類型，另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測，并自動剔除破損硅片。硅片檢測設備能夠自動裝片和卸片，并且能夠將不合格品放到固定位置，從而提高檢測精度和效率。 太陽能電池片的技術參數(shù)！??！

單片的電壓0.5-0.6V

轉換機率該太陽能電池板的功率為5W, 面積為:0.03平方米,

則它的效率為:5/0.03/1000=0.167=16.7%,

也就是它將平方米1000W 太陽光能量的16．7%轉換成了電能

太陽能電池的能量轉化效率η表示入射的太陽光能量有多少能轉換為有效的電能。

η=（太陽能電池的輸出功率/入射的太陽光功率）x**

= （Vop x Iop/Pin x S）X**

= （Voc.Isc.FF） /（Pin .S ）

其中Pin是入射光的能量密度，S為太陽能電池的面積，當S是整個太陽能電池面積時，η稱為實際轉換效率，當S是指電池中的有效發(fā)電面積時，η叫本征轉換效率。

Voc開路電壓 ，Isc閉路電流，F(xiàn)F填充因子（應在0.70-0.85之間） 太陽能電池的主要參數(shù).北京薄膜太陽能電池片

太陽能電池片為什么有細柵線?黑龍江非晶硅太陽能電池片功率

 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經(jīng)過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。 黑龍江非晶硅太陽能電池片功率

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