電磁屏蔽導(dǎo)電橡膠的導(dǎo)電和屏蔽機(jī)理二：

根據(jù)屏蔽的電磁場差異，將屏蔽分為靜電屏蔽、電磁場屏蔽。具體的屏蔽原理如下：靜電屏蔽：用完整的金屬屏蔽體將帶正電導(dǎo)體包圍起來，在屏蔽體的內(nèi)側(cè)將感應(yīng)出與帶電導(dǎo)體等量的負(fù)電荷，外側(cè)出現(xiàn)與帶電導(dǎo)體等量的正電荷，如果將金屬屏蔽體接地，則外側(cè)的正電荷將流入大地，外側(cè)將不會有電場存在，這樣帶正電導(dǎo)體的電場被屏蔽在金屬屏蔽體內(nèi)。電磁場屏蔽：電磁場屏蔽有高頻和低頻之分。低頻電磁場屏蔽是利用高磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成低磁阻通路，導(dǎo)電材料BT-E0000XE-S0128Y，使大部分磁場被集中在屏蔽體內(nèi)。屏蔽體的磁導(dǎo)率越高，厚度越大，磁阻越小，導(dǎo)電材料BT-E0000XE-S0128Y，磁場屏蔽的效果越好，導(dǎo)電材料BT-E0000XE-S0128Y。當(dāng)然要與設(shè)備的重量相協(xié)調(diào)。高頻電磁場屏蔽是利用高電導(dǎo)率的材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消干擾磁場而實(shí)現(xiàn)的。

5G 基站功耗相約為 4G 的 3 倍，給 5G 基站散熱帶來更大挑戰(zhàn)。5G 基站功耗主要是由 AAU 和 BBU 執(zhí)行信號轉(zhuǎn)換、處理和傳輸過程中產(chǎn)生。AUU 功耗增加是 5G 功耗增加的主要原因， 5G AAU 單基站典型功耗超過 3500W，約是 4G RRU 的 2.5~3.5 倍。功耗的增加意味著發(fā)熱量 的增加，如果散熱不及時(shí)，會導(dǎo)致基站內(nèi)部環(huán)境溫度超過額定溫度，將嚴(yán)重影響網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性以 及設(shè)備的使用壽命，而 5G 基站降體積減重量又是趨勢，要在有限空間內(nèi)盡可能提高換熱效率， 因此 5G 基站散熱面臨更大挑戰(zhàn)和機(jī)會。

5G 基站量約是 4G 基站量的 1.2-1.5 倍，新基建帶動(dòng) 20 年大規(guī)模建設(shè)，疊加基站散熱價(jià)值 量的提升，預(yù)計(jì)國內(nèi) 5G 基站散熱材料和器件市場規(guī)模約 115 億元。由于 5G 頻段相比 4G 更高， ***覆蓋需要更多的基站數(shù)量，預(yù)計(jì)將是 4G 基站量的 1.2-1.5 倍。20 年以來，***局和工信部 會議多次強(qiáng)調(diào)加強(qiáng)加快 5G、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度，三大運(yùn)營商也紛紛啟動(dòng)二期無 線網(wǎng)主設(shè)備集中采購或資格預(yù)審工作，有望在今年 Q2 后得到加速。按照我們對國內(nèi) 5G 基站建設(shè)規(guī)模預(yù)測，我們認(rèn)為 2019-2025 年，全球 5G 基站散熱材料和器件市場規(guī)模為 104 億元，2020 年市場規(guī)模約 12 億元。

散熱問題一直是消費(fèi)電子行業(yè)高度關(guān)注的 痛點(diǎn) 和難點(diǎn)。導(dǎo)熱材料主要用于解決電子設(shè)備

的熱管理問題。運(yùn)行中產(chǎn)生的熱量將直接影響電子產(chǎn)品的性能和可靠性。導(dǎo)熱材料主要

是應(yīng)用于系統(tǒng)熱界面之間，通過對粗糙不平的結(jié)合表面填充，用導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)高于空氣的

熱界面材料替代不傳熱的空氣，使通過熱界面的熱阻變小，提高半導(dǎo)體組件的散熱效率，

行業(yè)又稱“熱界面材料”。過去消費(fèi)電子產(chǎn)品的散熱，主要利用銅質(zhì)和鋁制材料高的熱傳

導(dǎo)率直接散熱，或者配合***、風(fēng)扇及流液形成散熱系統(tǒng)，將器件散發(fā)出的熱量帶走。

隨著智能時(shí)代的來臨，人們對手機(jī)的需求越來越高，手機(jī)的硬件配臵也隨之提高，CPU

從單核到雙核在逐漸提升至四核、八核，屏幕大小和分辨率也不斷提升。伴隨著手機(jī)硬

件和性能提升所帶來的則是手機(jī)發(fā)熱越來越嚴(yán)重的問題，如果熱量未能及時(shí)散發(fā)出去面

臨的將是手機(jī)發(fā)燙、卡頓、死機(jī)甚至等問題。目前手機(jī)中使用的散熱技術(shù)主要包括

石墨散熱、金屬背板、邊框散熱、導(dǎo)熱凝膠散熱、熱管散熱、均溫板等等。

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