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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:安徽單晶硅太陽能電池片進(jìn)口,太陽能電池片
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詳細(xì)說明
太陽能分為晶硅電池和非晶硅電池,晶硅電池分為多晶和單晶硅電池(尺寸有125和156兩種),非晶硅薄膜電池按原料分很多種:砷化鎵、碲化鎘、銦銅鎵錫等等?。?
單晶效率(18-19%)比多晶高(16.5%-17.5%),安徽單晶硅太陽能電池片進(jìn)口,單晶成本比多晶高!
晶體硅電池成本比非晶硅電池高,安徽單晶硅太陽能電池片進(jìn)口,效率也比非晶硅(9%-11%)高,但非晶硅比晶體硅有特色:比如非晶柔性電池、透光效果等,是晶體硅做不到的!
太陽能電池比較大的優(yōu)點是綠色、環(huán)保、壽命長(60年),安徽單晶硅太陽能電池片進(jìn)口,缺點是投資大、資源間歇性! 太陽能電池片為什么有細(xì)柵線?安徽單晶硅太陽能電池片進(jìn)口
太陽能電池片虛焊、過焊原因與影響
1.焊接溫度過多或助焊劑涂抹過少或速度過快會導(dǎo)致虛焊 2.焊接溫度過高或焊接時間過長會導(dǎo)致過焊現(xiàn)象.
對太陽能組件的影響: 1.虛焊在短時間出現(xiàn)焊帶與電池片脫層,影響組件功率衰減或失效, 2.過焊導(dǎo)致電池片內(nèi)部電極被損壞,直接影響組件功率衰減降低組件壽命或造成報廢 預(yù)防措施: 1.確保焊接機(jī)溫度、助焊劑噴射量和焊接時間的參數(shù)設(shè)定. 并要定期檢查, 2.返修區(qū)域要確保烙鐵的溫度、焊接時間和使用正確的助焊筆涂抹助焊劑. 3.加強(qiáng)EL檢驗力度,避免不良漏失下一工序 吉林單晶太陽能電池片的尺寸太陽能電池片含鉛嗎???
五、等離子刻蝕
由于在擴(kuò)散過程中,即使采用背靠背擴(kuò)散,硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面,而造成短路。因此,必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕,以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下,反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉(zhuǎn)變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)?;钚苑磻?yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場作用下到達(dá)SiO2表面,在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,被真空系統(tǒng)抽出腔體。
中國光電發(fā)展技術(shù)中心的陳哲良采用液相外延法在冶金級硅片上生長出硅晶粒,并設(shè)計了一種類似于晶體硅薄膜太陽能電池的新型太陽能電池,稱之為“硅粒”太陽能電池,但有關(guān)性能方面的報道還未見到。多晶硅薄膜電池由于所使用的硅遠(yuǎn)較單晶硅少,又無效率衰退問題,并且有可能在廉價襯底材料上制備,其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池,而效率高于非晶硅薄膜電池,因此,多晶硅薄膜電池不久將會在太陽能電地市場上占據(jù)主導(dǎo)地位。
無錫薩克特歡迎您的來電?。?! 太陽能電池片的功能用途!
四、去磷硅玻璃
該工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中,通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡,使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸,以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過程中,POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子,
這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2,稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動配酸系統(tǒng)等部分組成,主要動力源有氫氟酸、氮氣、壓縮空氣、純水,熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量,反應(yīng)生成的四氟化硅會進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。 太陽能電池片的電阻?。?!吉林雙晶硅太陽能電池片柵線
太陽能電池片虛焊、過焊有什么原因與影響?安徽單晶硅太陽能電池片進(jìn)口
二、表面制絨
單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液,可用的堿有氫氧化鈉,氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅,腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面,還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑,以加快硅的腐蝕。制備絨面前,硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕,用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25μm,在腐蝕絨面后,進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。 安徽單晶硅太陽能電池片進(jìn)口
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