太陽能電池片的A規(guī)和B規(guī)的主要分標準是從外觀和機械性能等各個參數(shù)來說的:

外觀分;色差:A 只允許有同種顏色 B 允許有兩種相近色,(藍或深藍,淡藍)

漏漿,A 不允許 B ≤3㎡

臟污,A ≤3㎡ B ≤9㎡

結點;水印;主柵線缺損,多印;背電極缺損,多印;背電場左右偏移,多印,缺損;鋁刺;V型缺口;缺角;等.A級是優(yōu)品，遼寧單晶太陽能電池片哪里好，遼寧單晶太陽能電池片哪里好,B為合格品，遼寧單晶太陽能電池片哪里好.

另外A規(guī)為***片≥15.75% 單晶

≥15.5% 多晶

以15.75為例,單晶的A規(guī)的價格應該是30-50/W之間

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中國光電發(fā)展技術中心的陳哲良采用液相外延法在冶金級硅片上生長出硅晶粒，并設計了一種類似于晶體硅薄膜太陽能電池的新型太陽能電池，稱之為“硅粒”太陽能電池，但有關性能方面的報道還未見到。多晶硅薄膜電池由于所使用的硅遠較單晶硅少，又無效率衰退問題，并且有可能在廉價襯底材料上制備，其成本遠低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池，因此，多晶硅薄膜電池不久將會在太陽能電地市場上占據(jù)主導地位。

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P型和N型都可以做電池片。

在p型半導體材料上擴散磷元素，形成n+/p型結構的太陽電池即為P型硅片；

在N型半導體材料上注入硼元素，形成p+/n型結構的太陽電池即為n型硅片；

目前光伏行業(yè)主流產(chǎn)品是P型硅片，P型硅片制作工藝簡單，成本較低，N型硅片通常少子壽命較大，電池效率可以做得更高，但是工藝更加復雜。N型硅片摻磷元素，磷與硅相溶性差，拉棒時磷分布不均，P型硅片摻硼元素，硼與硅分凝系數(shù)相當，分散均勻度容易控制。

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 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經(jīng)過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。 太陽能電池片最大功率是多少？

硅太陽能電池的性能參數(shù)主要有：短路電流、開路電壓、峰值電流、峰值電壓、峰值功率、填充因子和轉換效率等。

①短路電流(isc)：當將太陽能電池的正負極短路、使u=0時，此時的電流就是電池片的短路電流，短路電流的單位是安培(a)，短路電流隨著光強的變化而變化。

②開路電壓(uoc)：當將太陽能電池的正負極不接負載、使i=0時，此時太陽能電池正負極間的電壓就是開路電壓，開路電壓的單位是伏特(v)。單片太陽能電池的開路電壓不隨電池片面積的增減而變化，一般為0.5～0.7v。

③峰值電流(im)：峰值電流也叫比較大工作電流或比較好工作電流。峰值電流是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電流，峰值電流的單位是安培(a)。

④峰值電壓(um)：峰值電壓也叫比較大工作電壓或比較好工作電壓。峰值電壓是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電壓，峰值電壓的單位是v。峰值電壓不隨電池片面積的增減而變化，一般為0.45～0.5v，典型值為0.48v。

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太陽電池的主柵是不確定數(shù)目的，這都是隨時代而變換的，以前是兩主柵，后面有三主柵，還有五主柵，其實也有研究過無主柵的，主柵的主要作用與細柵類似，都是收集載流子，但是呢，主柵的數(shù)量及寬度是要追求一個比較好化的，既要滿足足夠多和粗來講全部的有效載流子收集起來，又要盡可能的少和細來盡量減少對太陽光的阻擋作用。因此需要在這之間找一個平衡。因為背面不涉及到采光問題（普通電池），所以一般設計成全鋁背場，但是也得要載流子導出來啊，所以會有背銀的存在，全鋁背場和背銀都是背電極。主柵和背面的背銀都是為了焊接用的，你看到的封裝好的電池，前面的主柵上是焊了一條焊帶的，背面也是，背銀的作用就是為焊帶焊接導出載流子而用的，需要注意的是細柵和主柵是絲網(wǎng)印刷印上去的，而你看到封裝好的電池的主柵上覆蓋了一層焊帶，這是焊上去的。至于你說的正極負極，這跟柵線的數(shù)目沒有關系，這主要與電池片的類型有關，P型電池片的正極是背電極，前電極（主柵細柵）就是負極。遼寧單晶太陽能電池片哪里好

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