三、擴(kuò)散制結(jié)

太陽能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽能電池PN結(jié)的**設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分，吉林薄膜太陽能電池片功率、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好，吉林薄膜太陽能電池片功率，吉林薄膜太陽能電池片功率,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽電池生產(chǎn)**基本也是**關(guān)鍵的工序。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。 太陽能電池板能做的**小尺寸？吉林薄膜太陽能電池片功率

太陽能電池的性能參數(shù)主要有：短路電流、開路電壓、峰值電流、峰值電壓、峰值功率、填充因子和轉(zhuǎn)換效率等。當(dāng)然還有電流和電壓參數(shù)的溫度系數(shù)，

各參數(shù)具體解釋如下：

①短路電流(isc)：當(dāng)將太陽能電池的正負(fù)極短路、使u=0時(shí)，此時(shí)的電流就是電池片的短路電流，短路電流的單位是安培(a)，短路電流隨著光強(qiáng)的變化而變化。

②開路電壓(uoc)：當(dāng)將太陽能電池的正負(fù)極不接負(fù)載、使i=0時(shí)，此時(shí)太陽能電池正負(fù)極間的電壓就是開路電壓，開路電壓的單位是伏特(v)。單片太陽能電池的開路電壓不隨電池片面積的增減而變化，一般為0.5～0.7v。

③峰值電流(im)：峰值電流也叫比較大工作電流或比較好工作電流。峰值電流是指太陽能電池片輸出比較大功率時(shí)的工作電流，峰值電流的單位是安培(a)。

④峰值電壓(um)：峰值電壓也叫比較大工作電壓或比較好工作電壓。峰值電壓是指太陽能電池片輸出比較大功率時(shí)的工作電壓，峰值電壓的單位是v。峰值電壓不隨電池片面積的增減而變化，一般為0.45～0.5v，典型值為0.48v。

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1、開路電壓

（1）、開路電壓UOC：即將太陽能電池置于AM1.5光譜條件、100 mW/cm2的光源強(qiáng)度照射下，在兩端開路時(shí)，太陽能電池的輸出電壓值。

2、短路電流

（1）、短路電流ISC：就是將太陽能電池置于AM1.5光譜條件、100 mW/cm2的光源強(qiáng)度照射下，在輸出端短路時(shí)，流過太陽能電池兩端的電流值。

3、比較大輸出功率

（1）、太陽能電池的工作電壓和電流是隨負(fù)載電阻而變化的，將不同阻值所對應(yīng)的工作電壓和電流值做成曲線就得到太陽能電池的伏安特性曲線。

（2）、如果選擇的負(fù)載電阻值能使輸出電壓和電流的乘積比較大，即可獲得比較大輸出功率，用符號(hào)Pm表示。此時(shí)的工作電壓和工作電流稱為比較好工作電壓和比較好工作電流，分別用符號(hào)Um和Im表示。

多晶硅(p-Si)

熔融硅在順控條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。

結(jié)晶后的多晶硅經(jīng)開方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片

多晶硅片的表觀為深藍(lán)色的方片

單晶硅(c-Si)

以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種（籽晶）上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。

單晶硅棒經(jīng)截?cái)?、取方、切片后得到的成品硅片即為單晶硅?

單晶硅片表觀為金屬灰色的準(zhǔn)方片

單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可,但價(jià)格較高。多晶硅電池價(jià)格相對較低轉(zhuǎn)換效率也相對低些。但多晶硅片的產(chǎn)量、規(guī)模較單晶硅易擴(kuò)大。 太陽能電池片的電阻！?。?/p>

 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。 一個(gè)單晶電池片,多晶電池片分別有多少功率？遼寧非晶硅太陽能電池片一片多少錢

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一、硅片檢測

硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對來料硅片進(jìn)行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測模塊。其中，光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進(jìn)行檢測,同時(shí)檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測模組，其中一個(gè)在線測試[url=]模組[/url]主要測試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進(jìn)行檢測，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測精度和效率。 吉林薄膜太陽能電池片功率

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