現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)太陽(yáng)能電池片的硅片，都是P型襯底，意思是之前已經(jīng)摻雜三族元素了，我們只需要進(jìn)行磷擴(kuò)散，就可以形成P-N結(jié)。

以n型半導(dǎo)體為底板結(jié)構(gòu)的結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池與以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)相比，前者對(duì)雜質(zhì)的抵抗性更大，在理論上更易提高能量轉(zhuǎn)換效率。不過(guò)，此前許多結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池幾乎都采用以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)，吉林晶澳太陽(yáng)能電池片廠家。原因是在較厚的p型半導(dǎo)體上能夠形成非常薄的n型半導(dǎo)體層。

德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）宣布，該機(jī)構(gòu)研制的以n型半導(dǎo)體為底板，然后在其上面形成較薄的p型半導(dǎo)體層的單晶硅太陽(yáng)能電池，吉林晶澳太陽(yáng)能電池片廠家，其能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了23，吉林晶澳太陽(yáng)能電池片廠家.4％。太陽(yáng)能電池單元面積為2cm見方。 太陽(yáng)能電池片并聯(lián)電阻是多少?吉林晶澳太陽(yáng)能電池片廠家

 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來(lái)制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過(guò)表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。 安徽雙晶硅太陽(yáng)能電池片公司太陽(yáng)能電池片虛焊、過(guò)焊有什么原因與影響？

六、鍍減反射膜

  拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣摺?

一、硅片檢測(cè)

硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試[url=]模組[/url]主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測(cè)精度和效率。 太陽(yáng)能電池板用單晶硅好還是多晶硅好？

大面積的太陽(yáng)能電池板，差不多2平方米的太陽(yáng)直射能提供約2000w的功率，但是民用太陽(yáng)能電池板一般只能提供10%～15%的轉(zhuǎn)換效率

也就是說(shuō)一平方的太陽(yáng)能電池板只能提供200w～300w，而且還是必須是直射，由于個(gè)人很難安裝24小時(shí)自動(dòng)**準(zhǔn)太陽(yáng)角度的設(shè)備，所以實(shí)際效率還會(huì)更低。弄得不好的話估計(jì)也就能提供100～150w的平均功率

單晶125R150,的面積是14871平方mm 多晶156是24336平方mm 也就是長(zhǎng)X寬等于面積

太陽(yáng)能電池板哪家公司做的好，無(wú)錫薩克特給您答案，歡迎您的來(lái)電?。?！ 太陽(yáng)能電池片為什么有細(xì)柵線?吉林單晶硅太陽(yáng)能電池片一片多少錢

太陽(yáng)能電池片的分類及其優(yōu)缺點(diǎn)是什么？吉林晶澳太陽(yáng)能電池片廠家

多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池

通常的晶體硅太陽(yáng)能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，人們從70年代中期就開始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長(zhǎng)的硅膜晶粒大小，未能制成有價(jià)值的太陽(yáng)能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒(méi)有停止過(guò)研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來(lái)制備多晶硅薄膜電池?；瘜W(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 吉林晶澳太陽(yáng)能電池片廠家

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