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太陽(yáng)能電池的性能參數(shù)主要有:短路電流、開路電壓、峰值電流、峰值電壓、峰值功率、填充因子和轉(zhuǎn)換效率等。當(dāng)然還有電流和電壓參數(shù)的溫度系數(shù),
各參數(shù)具體解釋如下:
①短路電流(isc):當(dāng)將太陽(yáng)能電池的正負(fù)極短路、使u=0時(shí),黑龍江單晶硅太陽(yáng)能電池片哪里便宜,此時(shí)的電流就是電池片的短路電流,短路電流的單位是安培(a),短路電流隨著光強(qiáng)的變化而變化。
②開路電壓(uoc):當(dāng)將太陽(yáng)能電池的正負(fù)極不接負(fù)載、使i=0時(shí),此時(shí)太陽(yáng)能電池正負(fù)極間的電壓就是開路電壓,開路電壓的單位是伏特(v)。單片太陽(yáng)能電池的開路電壓不隨電池片面積的增減而變化,一般為0.5~0.7v。
③峰值電流(im):峰值電流也叫比較大工作電流或比較好工作電流。峰值電流是指太陽(yáng)能電池片輸出比較大功率時(shí)的工作電流,峰值電流的單位是安培(a)。
④峰值電壓(um):峰值電壓也叫比較大工作電壓或比較好工作電壓。峰值電壓是指太陽(yáng)能電池片輸出比較大功率時(shí)的工作電壓,峰值電壓的單位是v,黑龍江單晶硅太陽(yáng)能電池片哪里便宜,黑龍江單晶硅太陽(yáng)能電池片哪里便宜。峰值電壓不隨電池片面積的增減而變化,一般為0.45~0.5v,典型值為0.48v。
太陽(yáng)能電池片PE工序有輻射嗎?黑龍江單晶硅太陽(yáng)能電池片哪里便宜
八、快速燒結(jié)
經(jīng)過(guò)絲網(wǎng)印刷后的硅片,不能直接使用,需經(jīng)燒結(jié)爐快速燒結(jié),將有機(jī)樹脂粘合劑燃燒掉,剩下幾乎純粹的、由于玻璃質(zhì)作用而密合在硅片上的銀電極。當(dāng)銀電極和晶體硅在溫度達(dá)到共晶溫度時(shí),晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去,從而形成上下電極的歐姆接觸,提高電池片的開路電壓和填充因子兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù),使其具有電阻特性,以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。
燒結(jié)爐分為預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。預(yù)燒結(jié)階段目的是使?jié){料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉,此階段溫度慢慢上升;燒結(jié)階段中燒結(jié)體內(nèi)完成各種物理化學(xué)反應(yīng),形成電阻膜結(jié)構(gòu),使其真正具有電阻特性,該階段溫度達(dá)到峰值;降溫冷卻階段,玻璃冷卻硬化并凝固,使電阻膜結(jié)構(gòu)固定地粘附于基片上。 吉林太陽(yáng)能電池片太陽(yáng)能電池片回收多少錢一斤?
五、等離子刻蝕
由于在擴(kuò)散過(guò)程中,即使采用背靠背擴(kuò)散,硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面,而造成短路。因此,必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕,以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下,反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉(zhuǎn)變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)?;钚苑磻?yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá)SiO2表面,在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,被真空系統(tǒng)抽出腔體。
一、太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。以光電效應(yīng)工作的晶硅太陽(yáng)能電池為主流,而以光化學(xué)效應(yīng)工作的薄膜電池實(shí)施太陽(yáng)能電池則還處于萌芽階段。
二、太陽(yáng)電池是一種可以將能量轉(zhuǎn)換的光電元件,其基本構(gòu)造是運(yùn)用P型與N型半導(dǎo)體接合而成的。半導(dǎo)體**基本的材料是“硅”,它是不導(dǎo)電的,但如果在半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì),就可以做成P型與N型半導(dǎo)體,再利用P型半導(dǎo)體有個(gè)空穴。
三、與N型半導(dǎo)體多了一個(gè)自由電子的電位差來(lái)產(chǎn)生電流,所以當(dāng)太陽(yáng)光照射時(shí),光能將硅原子中的電子激發(fā)出來(lái),而產(chǎn)生電子和空穴的對(duì)流,這些電子和空穴均會(huì)受到內(nèi)建電位的影響,分別被N型及P型半導(dǎo)體吸引,而聚集在兩端。
四、此時(shí)外部如果用電極連接起來(lái),形成一個(gè)回路,這就是太陽(yáng)電池發(fā)電的原理。 太陽(yáng)能電池片(完整片)各個(gè)規(guī)格面積?
單片的電壓0.5-0.6V
轉(zhuǎn)換機(jī)率該太陽(yáng)能電池板的功率為5W, 面積為:0.03平方米,
則它的效率為:5/0.03/1000=0.167=16.7%,
也就是它將平方米1000W 太陽(yáng)光能量的16.7%轉(zhuǎn)換成了電能
太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)化效率η表示入射的太陽(yáng)光能量有多少能轉(zhuǎn)換為有效的電能。
η=(太陽(yáng)能電池的輸出功率/入射的太陽(yáng)光功率)x**
= (Vop x Iop/Pin x S)X**
= (Voc.Isc.FF) /(Pin .S )
其中Pin是入射光的能量密度,S為太陽(yáng)能電池的面積,當(dāng)S是整個(gè)太陽(yáng)能電池面積時(shí),η稱為實(shí)際轉(zhuǎn)換效率,當(dāng)S是指電池中的有效發(fā)電面積時(shí),η叫本征轉(zhuǎn)換效率。
Voc開路電壓 ,Isc閉路電流,F(xiàn)F填充因子(應(yīng)在0.70-0.85之間) 非晶硅與單晶硅和多晶硅的太陽(yáng)能電池板區(qū)別?吉林太陽(yáng)能電池片
太陽(yáng)能電池片**大功率是多少?黑龍江單晶硅太陽(yáng)能電池片哪里便宜
中國(guó)光電發(fā)展技術(shù)中心的陳哲良采用液相外延法在冶金級(jí)硅片上生長(zhǎng)出硅晶粒,并設(shè)計(jì)了一種類似于晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池的新型太陽(yáng)能電池,稱之為“硅?!碧?yáng)能電池,但有關(guān)性能方面的報(bào)道還未見到。多晶硅薄膜電池由于所使用的硅遠(yuǎn)較單晶硅少,又無(wú)效率衰退問(wèn)題,并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備,其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池,而效率高于非晶硅薄膜電池,因此,多晶硅薄膜電池不久將會(huì)在太陽(yáng)能電地市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位。
無(wú)錫薩克特歡迎您的來(lái)電?。。?黑龍江單晶硅太陽(yáng)能電池片哪里便宜
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