多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池

通常的晶體硅太陽(yáng)能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，人們從70年代中期就開(kāi)始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長(zhǎng)的硅膜晶粒大小，未能制成有價(jià)值的太陽(yáng)能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒(méi)有停止過(guò)研究，并提出了很多方法，黑龍江單晶太陽(yáng)能電池片。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來(lái)制備多晶硅薄膜電池?；瘜W(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，黑龍江單晶太陽(yáng)能電池片，黑龍江單晶太陽(yáng)能電池片，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 太陽(yáng)能電池片的分類(lèi)及其優(yōu)缺點(diǎn)是什么？黑龍江單晶太陽(yáng)能電池片

到在常溫不同日照時(shí)，當(dāng)光照強(qiáng)度為200W/m2時(shí)，太陽(yáng)電池最大功率點(diǎn)電壓為380V，當(dāng)光照強(qiáng)度為1000 W/m2時(shí)，太陽(yáng)電池最大功率點(diǎn)電壓約為420V。在光照強(qiáng)度為1000 W/m2時(shí)，當(dāng)電池表面溫度為50℃時(shí)，最大功率點(diǎn)發(fā)生在電壓為380V處，溫度為25℃時(shí)，最大功率點(diǎn)發(fā)生在電壓為520V處。由此可知，如果不采用控制方法，當(dāng)光照強(qiáng)度和溫度發(fā)生改變時(shí)，太陽(yáng)電池是不可能工作在當(dāng)前情況下的最大功率點(diǎn)的。

最大功率和輸出功率是有區(qū)別的，目前單晶電池片的輸出功率單片都在2.5W左右 吉林非晶硅太陽(yáng)能電池片哪里便宜一個(gè)單晶電池片,多晶電池片分別有多少功率？

現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)太陽(yáng)能電池片的硅片，都是P型襯底，意思是之前已經(jīng)摻雜三族元素了，我們只需要進(jìn)行磷擴(kuò)散，就可以形成P-N結(jié)。

以n型半導(dǎo)體為底板結(jié)構(gòu)的結(jié)晶硅類(lèi)太陽(yáng)能電池與以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)相比，前者對(duì)雜質(zhì)的抵抗性更大，在理論上更易提高能量轉(zhuǎn)換效率。不過(guò)，此前許多結(jié)晶硅類(lèi)太陽(yáng)能電池幾乎都采用以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)。原因是在較厚的p型半導(dǎo)體上能夠形成非常薄的n型半導(dǎo)體層。

德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）宣布，該機(jī)構(gòu)研制的以n型半導(dǎo)體為底板，然后在其上面形成較薄的p型半導(dǎo)體層的單晶硅太陽(yáng)能電池，其能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了23.4％。太陽(yáng)能電池單元面積為2cm見(jiàn)方。

太陽(yáng)能電池發(fā)電原理: 太陽(yáng)電池是一種對(duì)光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：?jiǎn)尉Ч?，多晶硅?非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)已晶體硅為例描述光發(fā)電過(guò)程。 P型晶體硅經(jīng)過(guò)摻雜磷可得N型硅，形成P-N結(jié)。

當(dāng)光線(xiàn)照射太陽(yáng)電池表面時(shí)，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了越遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)有電流流過(guò)外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個(gè)過(guò)程的的實(shí)質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過(guò)程。 太陽(yáng)能電池片切割后功率和電流變化！

 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來(lái)制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類(lèi)如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過(guò)表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。 硅片和太陽(yáng)能電池片有什么區(qū)別？黑龍江單晶太陽(yáng)能電池片

太陽(yáng)能電池板的種類(lèi)?。?！黑龍江單晶太陽(yáng)能電池片

單片的電壓0.5-0.6V

轉(zhuǎn)換機(jī)率該太陽(yáng)能電池板的功率為5W, 面積為:0.03平方米,

則它的效率為:5/0.03/1000=0.167=16.7%,

也就是它將平方米1000W 太陽(yáng)光能量的16．7%轉(zhuǎn)換成了電能

太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)化效率η表示入射的太陽(yáng)光能量有多少能轉(zhuǎn)換為有效的電能。

η=（太陽(yáng)能電池的輸出功率/入射的太陽(yáng)光功率）x**

= （Vop x Iop/Pin x S）X**

= （Voc.Isc.FF） /（Pin .S ）

其中Pin是入射光的能量密度，S為太陽(yáng)能電池的面積，當(dāng)S是整個(gè)太陽(yáng)能電池面積時(shí)，η稱(chēng)為實(shí)際轉(zhuǎn)換效率，當(dāng)S是指電池中的有效發(fā)電面積時(shí)，η叫本征轉(zhuǎn)換效率。

Voc開(kāi)路電壓 ，Isc閉路電流，F(xiàn)F填充因子（應(yīng)在0.70-0.85之間） 黑龍江單晶太陽(yáng)能電池片

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