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詳細(xì)說明
四、去磷硅玻璃
該工藝用于太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造過程中,通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡,使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸,以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過程中,POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子,
這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2,稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成,主要?jiǎng)恿υ从袣浞?、氮?dú)?,安徽雙晶太陽(yáng)能電池片功率、壓縮空氣、純水,安徽雙晶太陽(yáng)能電池片功率,熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體,安徽雙晶太陽(yáng)能電池片功率。若氫氟酸過量,反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。
五、等離子刻蝕
由于在擴(kuò)散過程中,即使采用背靠背擴(kuò)散,硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面,而造成短路。因此,必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕,以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下,反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉(zhuǎn)變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。活性反應(yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá)SiO2表面,在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,被真空系統(tǒng)抽出腔體。
太陽(yáng)能電池片虛焊、過焊原因與影響
1.焊接溫度過多或助焊劑涂抹過少或速度過快會(huì)導(dǎo)致虛焊 2.焊接溫度過高或焊接時(shí)間過長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致過焊現(xiàn)象.
對(duì)太陽(yáng)能組件的影響: 1.虛焊在短時(shí)間出現(xiàn)焊帶與電池片脫層,影響組件功率衰減或失效, 2.過焊導(dǎo)致電池片內(nèi)部電極被損壞,直接影響組件功率衰減降低組件壽命或造成報(bào)廢 預(yù)防措施: 1.確保焊接機(jī)溫度、助焊劑噴射量和焊接時(shí)間的參數(shù)設(shè)定. 并要定期檢查, 2.返修區(qū)域要確保烙鐵的溫度、焊接時(shí)間和使用正確的助焊筆涂抹助焊劑. 3.加強(qiáng)EL檢驗(yàn)力度,避免不良漏失下一工序
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/135631.html
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