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詳細(xì)說明
現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)太陽能電池片的硅片,黑龍江非晶硅太陽能電池片瓦數(shù),都是P型襯底,意思是之前已經(jīng)摻雜三族元素了,我們只需要進行磷擴散,就可以形成P-N結(jié)。
以n型半導(dǎo)體為底板結(jié)構(gòu)的結(jié)晶硅類太陽能電池與以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)相比,前者對雜質(zhì)的抵抗性更大,在理論上更易提高能量轉(zhuǎn)換效率。不過,此前許多結(jié)晶硅類太陽能電池幾乎都采用以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)。原因是在較厚的p型半導(dǎo)體上能夠形成非常薄的n型半導(dǎo)體層。
德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所(Fraunhofer ISE)宣布,該機構(gòu)研制的以n型半導(dǎo)體為底板,黑龍江非晶硅太陽能電池片瓦數(shù),然后在其上面形成較薄的p型半導(dǎo)體層的單晶硅太陽能電池,黑龍江非晶硅太陽能電池片瓦數(shù),其能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了23.4%。太陽能電池單元面積為2cm見方。 一塊太陽能電池板的電壓是多少?黑龍江非晶硅太陽能電池片瓦數(shù)
四、去磷硅玻璃
該工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中,通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡,使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸,以去除擴散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴散過程中,POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子,這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2,稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動系統(tǒng)、機械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動配酸系統(tǒng)等部分組成,主要動力源有氫氟酸、氮氣、壓縮空氣、純水,熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量,反應(yīng)生成的四氟化硅會進一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。 黑龍江非晶硅太陽能電池片瓦數(shù)太陽能電池片2bb,3bb,4bb,5bb代表什么意思?
組件的電阻有并聯(lián)電阻和串聯(lián)電阻之分:
串聯(lián)電阻影響太陽電池的正向伏安特性,使得正向偏壓較低時電流大于理想值,正向偏壓增大時伏安特性偏離**關(guān)系;并聯(lián)電阻產(chǎn)生的漏電流影響反向特性和正向小偏壓特性,使正向偏壓較低時電流大于理想值,使反向電流不能飽和,在反向偏壓較大時電流電壓偏離**關(guān)系。另一方面,并聯(lián)電阻Rsh影響太陽電池開路電壓,Rsh減小會使開路電壓降低,但對短路電流基本沒有影響;串聯(lián)電阻Rs影響短路電流,Rs增大會使短路電流降低,而對開路電壓沒有影響;Rsh的減小和Rsh的增大都會使太陽電池的填充因子和光電轉(zhuǎn)換效率降低。
太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測——表面制絨及酸洗——擴散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕及酸洗——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等。具體介紹如下:
一、硅片檢測
硅片是太陽能電池片的載體,硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低,因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術(shù)參數(shù)進行在線測量,這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。其中,光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù);微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋;另外還有兩個檢測模組,其中一個在線測試模組主要測試硅片體電阻率和硅片類型,另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前,需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測,并自動剔除破損硅片。硅片檢測設(shè)備能夠自動裝片和卸片,并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?,從而提高檢測精度和效率。 硅片和太陽能電池片有什么區(qū)別?
太陽能電池的性能參數(shù)主要有:短路電流、開路電壓、峰值電流、峰值電壓、峰值功率、填充因子和轉(zhuǎn)換效率等。當(dāng)然還有電流和電壓參數(shù)的溫度系數(shù),
各參數(shù)具體解釋如下:
①短路電流(isc):當(dāng)將太陽能電池的正負(fù)極短路、使u=0時,此時的電流就是電池片的短路電流,短路電流的單位是安培(a),短路電流隨著光強的變化而變化。
②開路電壓(uoc):當(dāng)將太陽能電池的正負(fù)極不接負(fù)載、使i=0時,此時太陽能電池正負(fù)極間的電壓就是開路電壓,開路電壓的單位是伏特(v)。單片太陽能電池的開路電壓不隨電池片面積的增減而變化,一般為0.5~0.7v。
③峰值電流(im):峰值電流也叫比較大工作電流或比較好工作電流。峰值電流是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電流,峰值電流的單位是安培(a)。
④峰值電壓(um):峰值電壓也叫比較大工作電壓或比較好工作電壓。峰值電壓是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電壓,峰值電壓的單位是v。峰值電壓不隨電池片面積的增減而變化,一般為0.45~0.5v,典型值為0.48v。
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多晶硅太陽電他的出現(xiàn)主要是為了降低成本,其優(yōu)點是能直接制備出適于規(guī)?;a(chǎn)的大尺寸方型硅錠,設(shè)備比較簡單,制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料,對材質(zhì)要求也較低。晶界及雜質(zhì)影響可通過電池加工工藝進行改善;由于材質(zhì)和晶界影響,電池效率較低。電池工藝主要采用吸雜、鈍化、背場等技術(shù)。
常規(guī)鋁吸雜工藝是在電池的背面蒸鍍鋁膜后經(jīng)過燒結(jié)形成,也可同時形成電池的背場。近幾年在吸雜上的工作證明,它對***單晶硅太陽電池及多晶硅太陽電池都會產(chǎn)生一定的作用。
鈍化是提高多晶硅質(zhì)量的有效方法。一種方法是采用氫鈍化,鈍化硅體內(nèi)的懸掛鍵等缺點。在晶體生長中受應(yīng)力等影響造成缺點越多的硅材料,氫鈍化的效果越好。氫鈍化可采用離子注入或等離子體處理。在多晶硅太陽電池表面采用PECVD法鍍上一層氮化硅減反射膜,由于硅烷分解時產(chǎn)生氫離子,對多晶硅可產(chǎn)生氫鈍化的效果。
在***太陽電池上常采用表面氧鈍化的技術(shù)來提高太陽電他的效率,近年來在光伏級的晶體硅材料上使用也有明顯的效果,尤其采用熱氧化法效果更明顯。使用PECVD法在更低的溫度下進行表面氧化,近年來也被使用,具有一定的效果。 黑龍江非晶硅太陽能電池片瓦數(shù)
無錫薩科特新能源科技有限公司致力于電工電氣,以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。無錫薩科特?fù)碛幸恢Ы?jīng)驗豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團隊,以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供太陽能電池片,太陽能板,太陽能系統(tǒng),太陽能水泵。無錫薩科特致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產(chǎn)品上的貼心,為用戶帶來良好體驗。無錫薩科特始終關(guān)注電工電氣行業(yè)。滿足市場需求,提高產(chǎn)品價值,是我們前行的力量。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/1498265.html
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