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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:黑龍江單晶太陽能電池片組件,太陽能電池片
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詳細(xì)說明
太陽電池的主柵是不確定數(shù)目的,這都是隨時代而變換的,以前是兩主柵,后面有三主柵,還有五主柵,其實也有研究過無主柵的,主柵的主要作用與細(xì)柵類似,黑龍江單晶太陽能電池片組件,都是收集載流子,但是呢,主柵的數(shù)量及寬度是要追求一個比較好化的,既要滿足足夠多和粗來講全部的有效載流子收集起來,又要盡可能的少和細(xì)來盡量減少對太陽光的阻擋作用。因此需要在這之間找一個平衡,黑龍江單晶太陽能電池片組件。因為背面不涉及到采光問題(普通電池),所以一般設(shè)計成全鋁背場,但是也得要載流子導(dǎo)出來啊,所以會有背銀的存在,全鋁背場和背銀都是背電極。主柵和背面的背銀都是為了焊接用的,你看到的封裝好的電池,前面的主柵上是焊了一條焊帶的,背面也是,背銀的作用就是為焊帶焊接導(dǎo)出載流子而用的,需要注意的是細(xì)柵和主柵是絲網(wǎng)印刷印上去的,而你看到封裝好的電池的主柵上覆蓋了一層焊帶,這是焊上去的。至于你說的正極負(fù)極,這跟柵線的數(shù)目沒有關(guān)系,這主要與電池片的類型有關(guān),P型電池片的正極是背電極,黑龍江單晶太陽能電池片組件,前電極(主柵細(xì)柵)就是負(fù)極。晶硅太陽能電池片,每一片瓦數(shù)是多少?黑龍江單晶太陽能電池片組件
多晶硅(p-Si)
熔融硅在順控條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
結(jié)晶后的多晶硅經(jīng)開方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片
多晶硅片的表觀為深藍(lán)色的方片
單晶硅(c-Si)
以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種(籽晶)上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向(晶向)周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。
單晶硅棒經(jīng)截斷、取方、切片后得到的成品硅片即為單晶硅片
單晶硅片表觀為金屬灰色的準(zhǔn)方片
單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可,但價格較高。多晶硅電池價格相對較低轉(zhuǎn)換效率也相對低些。但多晶硅片的產(chǎn)量、規(guī)模較單晶硅易擴(kuò)大。 安徽非晶硅太陽能電池片哪里好硅片和太陽能電池片有什么區(qū)別?
1、加熱管的結(jié)構(gòu)形式
為實現(xiàn)燒結(jié)段的溫度尖峰,需在很短的爐膛空間內(nèi)布置足夠的加熱功率。有短波孿管和短波單管兩種結(jié)構(gòu)可以選擇,其線性功率密度均達(dá)到60kW/m2。雖然短波孿管擁有更高的單根功率(相當(dāng)于兩根單管并聯(lián)),但由于其制造工藝復(fù)雜,對石英玻璃管的質(zhì)量要求更高,制造成本約是單管的2.5倍。因此,在實際使用中,大多采用單管。
2、紅外輻射吸收光譜
當(dāng)紅外輻射能量被工件吸收時,該物質(zhì)所特有的吸收光譜需與發(fā)射光譜相匹配,才能在**短時間內(nèi)比較大效率地吸收輻射能。因此,在燒結(jié)的不同階段,所選用的紅外石英燈管也是不同的。在烘干段,要讓有機(jī)溶劑和水分迅速揮發(fā),采用中波管輔助熱風(fēng)加熱是正確的;在預(yù)燒段,要讓基片獲得充分均勻的預(yù)熱,中波管良好的紅外輻射、均衡的吸收及穿透能力,正好符合要求;在燒結(jié)段,必須在極短時間內(nèi)使基片達(dá)到共晶溫度,只有短波管能做到這一點。
3、加熱管的固定方式
燒結(jié)段的溫度峰值在850℃左右,此時燈管的表面溫度將達(dá)到1100℃,接近石英管的使用極限,稍微過熱產(chǎn)生氣孔就會立刻燒毀燈管。而在燈管的引出導(dǎo)線部位,由于焊接導(dǎo)線的金屬片和石英玻璃密封在一起,二者熱膨脹系數(shù)不一致,如果此處溫度過高就會產(chǎn)生應(yīng)力裂紋,造成燈管漏氣
到在常溫不同日照時,當(dāng)光照強(qiáng)度為200W/m2時,太陽電池**大功率點電壓為380V,當(dāng)光照強(qiáng)度為1000 W/m2時,太陽電池**大功率點電壓約為420V。在光照強(qiáng)度為1000 W/m2時,當(dāng)電池表面溫度為50℃時,**大功率點發(fā)生在電壓為380V處,溫度為25℃時,**大功率點發(fā)生在電壓為520V處。由此可知,如果不采用控制方法,當(dāng)光照強(qiáng)度和溫度發(fā)生改變時,太陽電池是不可能工作在當(dāng)前情況下的**大功率點的。
**大功率和輸出功率是有區(qū)別的,目前單晶電池片的輸出功率單片都在2.5W左右 太陽能電池片鋁框規(guī)格!??!
六、鍍減反射膜
拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下,使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理,可以使光的反射大為減少,電池的短路電流和輸出就有很大增加,效率也有相當(dāng)?shù)奶岣摺?單晶硅片怎么制作成太陽能電池片?北京柔性太陽能電池片組件
太陽能電池片經(jīng)過幾道工序生產(chǎn)?黑龍江單晶太陽能電池片組件
多晶硅薄膜太陽能電池
通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350~450μm的高質(zhì)量硅片上制成的,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料,人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生長的硅膜晶粒大小,未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜,人們一直沒有停止過研究,并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法,包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝。此外,液相外延法(LPPE)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池?;瘜W(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上,襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 黑龍江單晶太陽能電池片組件
無錫薩科特新能源科技有限公司是一家太陽能發(fā)電設(shè)備的研發(fā)、銷售、安裝及技術(shù)服務(wù);太陽能組件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售;太陽能光伏產(chǎn)品、太陽能硅片、電池、太陽能板、變壓器、電線電纜、高低壓柜、環(huán)保節(jié)能材料的銷售;節(jié)能新技術(shù)的開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓;自營和代理各類商品及技術(shù)的進(jìn)出口服務(wù),但國家限定企業(yè)經(jīng)營或禁止進(jìn)出口的商品及技術(shù)除外。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動)的公司,是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。無錫薩科特?fù)碛幸恢Ы?jīng)驗豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊,以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供太陽能電池片,太陽能板,太陽能系統(tǒng),太陽能水泵。無錫薩科特不斷開拓創(chuàng)新,追求出色,以技術(shù)為先導(dǎo),以產(chǎn)品為平臺,以應(yīng)用為重點,以服務(wù)為保證,不斷為客戶創(chuàng)造更高價值,提供更優(yōu)服務(wù)。無錫薩科特創(chuàng)始人蔡文祥,始終關(guān)注客戶,創(chuàng)新科技,竭誠為客戶提供良好的服務(wù)。
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