1）太陽能光強。太陽能電池就是把太陽光轉(zhuǎn)化為電的一種器件，在一般的情況下（注意條件），太陽能電池的效率隨光強增加而增加的。再進一步說就是太陽能電池效率和安裝地的綜合氣候條件有關(guān)系。2）電池的材料。不同的材料對光的吸收系數(shù)不同，禁帶寬度也不同，量子效率自然也不同，電池效率自然也不同了，黑龍江硅太陽能電池片價格。一般來說，單晶硅/多晶硅對光的系數(shù)系數(shù)遠小于非晶硅的，所以非晶硅太陽能電池厚度**有單晶硅/多晶硅厚度的百分之一即可較好的吸收太陽光。另外理論上講GaAs太陽能電池的極限效率要大于其他太陽能電池的極限效率，因為GaAs太陽電池的禁帶寬度在1.4ev，和地面太陽光光譜能量的**值**為接近。3）工藝水平，黑龍江硅太陽能電池片價格。不同的工藝水平，電池的效率自然也不同，看看各個廠子就很明白了，為什么原材料幾乎都一樣，做出來的電池效率卻差別很大，原因就在這。工藝水平自然和設備水平有著重要的關(guān)系，一般來說設備越是先進工藝就越***，黑龍江硅太陽能電池片價格，電池效率就越高（工藝是設備的產(chǎn)物，沒有設備工藝無法實現(xiàn)，都是空想）。典型的例子就是SiN:H減反膜以及倒金字塔結(jié)構(gòu)，一塊電池如果不采用這兩種工藝，效率差別會很**概8%左右）。太陽能電池片并聯(lián)電阻是多少?黑龍江硅太陽能電池片價格

一、硅片檢測

硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術(shù)參數(shù)進行在線測量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個在線測試[url=]模組[/url]主要測試硅片體電阻率和硅片類型，另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測，并自動剔除破損硅片。硅片檢測設備能夠自動裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測精度和效率。 黑龍江硅太陽能電池片價格太陽能電池板的使用壽命是多長？

光伏電池的發(fā)電原理可說就是光伏發(fā)電原理：

光伏發(fā)電是利用半導體界面的光生伏***應而將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵元件是太陽能電池。太陽能電池經(jīng)過串聯(lián)后進行封裝保護可形成大面積的太陽電池組件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電裝置。

光伏發(fā)電的主要具體原理是半導體的光電效應。光子照射到金屬上時，它的能量可以被金屬中某個電子全部吸收，電子吸收的能量足夠大，能克服金屬內(nèi)部引力做功，離開金屬表面逃逸出來，成為光電子。硅原子有4個外層電子，如果在純硅中摻入有5個外層電子的原子如磷原子，就成為N型半導體；若在純硅中摻入有3個外層電子的原子如硼原子，形成P型半導體。當P型和N型結(jié)合在一起時，接觸面就會形成電勢差，成為太陽能電池。當太陽光照射到P－N結(jié)后，空穴由P極區(qū)往N極區(qū)移動，電子由N極區(qū)向P極區(qū)移動，形成電流。

上面所說的光電效應就是光照使不均勻半導體或半導體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。它首先是由光子(光波)轉(zhuǎn)化為電子、光能量轉(zhuǎn)化為電能量的過程；其次，是形成電壓過程。

⑤峰值功率(pm)：峰值功率也叫比較大輸出功率或比較好輸出功率。峰值功率是指太陽能電池片正常工作或測試條件下的比較大輸出功率，也就是峰值電流與峰值電壓的乘積：pm===im×um。峰值功率的單位是w(瓦)。太陽能電池的峰值功率取決于太陽輻照度、太陽光譜分布和電池片的工作溫度，因此太陽能電池的測量要在標準條件下進行，測量標準為歐洲委員會的101號標準，其條件是：輻照度lkw／㎡、光譜aml.5、測試溫度25℃。

⑥填充因子(ff)：填充因子也叫曲線因子，是指太陽能電池的比較大輸出功率與開路電壓和短路電流乘積的比值。計算公式為ff=pm/(isc×uoc)。填充因子是評價太陽能電池輸出特性好壞的一個重要參數(shù)，它的值越高，表明太陽能電池輸出特性越趨于矩形，電池的光電轉(zhuǎn)換效率越高。

串、并聯(lián)電阻對填充因子有較大影響，太陽能電池的串聯(lián)電阻越小，并聯(lián)電阻越大，填充因子的系數(shù)越大。填充因子的系數(shù)一般在0.5～0.8之間，也可以用百分數(shù)表示。

⑦轉(zhuǎn)換效率(η)：轉(zhuǎn)換效率是指太陽能電池受光照時的比較大輸出功率與照射到電池上的太陽能量功率的比值。即：

η=pm(電池片的峰值效率)/a（電池片的面積）×pin（單位面積的入射光功率），其中pin=lkw／㎡=100mw／cm2。

硅片和太陽能電池片有什么區(qū)別？

多晶硅薄膜太陽能電池

通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長的硅膜晶粒大小，未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學氣相沉積法，包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）和等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。化學氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應氣體,在一定的保護氣氛下反應生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 太陽能電池單片體積是多大？黑龍江硅太陽能電池片價格

如何區(qū)分單晶硅多晶硅太陽能電池片？黑龍江硅太陽能電池片價格

到在常溫不同日照時，當光照強度為200W/m2時，太陽電池**大功率點電壓為380V，當光照強度為1000 W/m2時，太陽電池**大功率點電壓約為420V。在光照強度為1000 W/m2時，當電池表面溫度為50℃時，**大功率點發(fā)生在電壓為380V處，溫度為25℃時，**大功率點發(fā)生在電壓為520V處。由此可知，如果不采用控制方法，當光照強度和溫度發(fā)生改變時，太陽電池是不可能工作在當前情況下的**大功率點的。

**大功率和輸出功率是有區(qū)別的，目前單晶電池片的輸出功率單片都在2.5W左右 黑龍江硅太陽能電池片價格

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