真空高溫箱式爐的操作規(guī)程真空高溫箱式爐操作規(guī)程： 1.使用時切勿超過電阻爐的高溫度。 2.裝取試樣時一定要切斷電源，以防觸電。 3.裝取試樣時爐門開啟時間應盡量短，以延長電爐使用壽命。 4.禁止向爐膛內(nèi)灌注任何液體。 5.不得將沾有水和油的試樣放入爐膛；不得用沾有水和油的夾子裝取試樣。 6.裝取試樣時要戴**手套，以防燙傷。 7，云南多溫區(qū)管式爐廠家.試樣應放在爐膛中間，整齊放好，切勿亂放。 8.不得隨便觸摸電爐及周圍的試樣。 9.使用完畢后應切斷電源、水源，云南多溫區(qū)管式爐廠家。 10.未經(jīng)管理人員許可，不得操作電阻爐，云南多溫區(qū)管式爐廠家，嚴格按照設備的操作規(guī)程進行操作。CVD管式爐使用或長時間不用后，要在120℃左右烘烤1小時。云南多溫區(qū)管式爐廠家

高溫爐的注意事項除了做實驗外，不要停留在高溫爐管區(qū)。 實驗工作完畢時，若無人繼續(xù)使用，請關特殊氣體，保留N2流動，并查看是否有其它電源該關而沒有關、煮酸用的小電爐或其它，請隨手關掉。 處理HF時，請戴手套，如不小心碰到HF時，請立刻沖水，用葡萄酸鈣加2%之水，揉擦傷處15'。 石英玻璃制品請小心使用，以免破裂，引起嚴重割傷。 避免吸入從爐子或處理槽所冒出之各種氣體。 **鉀(KCN)不可與酸類混置，因兩者可產(chǎn)生劇毒之KCN氣體。 一旦發(fā)現(xiàn)有妨礙安全之事物時，請立即通知有關人員(技術員等)。 請節(jié)約純水用量。 破晶片、濾紙、棉花棒，請勿掉入清洗槽的底部排水孔，以免因排水不良造成地板漬水。 長短推桿之前端，在還沒使用到時，請朝上以免污染。 晶片進出爐口時，請勿碰觸爐管口，以免污染爐管。貴州箱式爐批發(fā)價管式爐具有抗干擾能力強，控制精度高，沖溫值小的特點。

爐膛內(nèi)結(jié)構箱式爐的爐門裝置包括爐門及鎖定保護裝置，要求爐門裝置應該密封良好，減少熱損。爐門一般用鑄鐵或鋼板制成，在爐門開啟裝置上安裝有安全限位開關，并與加熱控制電源關聯(lián)，爐門開啟時切斷控制電源，以便保護操作者的安全。為了便于觀察爐腔內(nèi)的加熱情況，在爐門**通常設計有觀察孔。這樣方便對箱式爐的工作有個很好的監(jiān)控。箱式爐采用熱電偶測量溫度，小型箱式爐用一只熱電偶，大中型箱式爐用多只熱電偶，直接插入爐腔，以便監(jiān)測爐腔內(nèi)不同點的溫度。通常情況下，溫度小于1000℃是使用鎳鉻-鎳硅（分度號K）的熱電偶，大于1000℃使用鉑銠10-鉑（分度號S）的熱電偶。 　箱式爐的爐膛內(nèi)結(jié)構就是這幾種部分，在操作時我們只要了解了他的屬性，然后根據(jù)工藝要求進行操作，才能保證箱式電爐在生產(chǎn)工藝中的正常使用。

PECVD管式爐的使用注意事項： 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議選購減壓閥，使用時會更加安全。 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)。 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。 石英管的長時間使用溫度＜1100℃。 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生。蒸汽鍋爐的水位表是直觀表現(xiàn)鍋爐內(nèi)水位位置的裝置，高于或低于水位表正常水位都是嚴重的操作錯誤。

多溫區(qū)管式爐注意事項： 1.多溫區(qū)管式爐操作注意事項爐子初次使用或長時間不用后，要在120度左右烘爐1小時，在300度左右烘烤2小時后使用，以免造成爐膛開裂。爐溫不得超過額定溫度，以免損壞加熱元件及爐襯。 2.禁止向爐膛內(nèi)直接灌注各種液體及溶解金屬，保護顱內(nèi)清潔。 3.爐體若采用硅鉬棒做加熱元件，依據(jù)硅鉬棒的物理特性，常溫下脆性很大，因此在加熱元件安裝好后不能隨意拆裝和搬動爐體， 4.冷爐使用時，由于爐膛是冷的，須大量吸熱，所以低溫段升溫速率不宜過快，各種溫度段的升溫速率差別不宜太大，設置升溫速率時應充分考慮所燒結(jié)材料的物理化學性質(zhì)，以免出現(xiàn)噴料現(xiàn)象，污染爐膛， 5.定期檢查溫度控制系統(tǒng)的電器連接部分的接觸是良好，應特別注意加熱元件的各連接是否緊固。 6.硅鉬棒作為加熱元件時不宜在400-700度溫度段長時間運行，否則硅鉬棒將發(fā)生低溫氧化。 7.硅鉬棒做加熱元件時，長時間運行，阻值會逐漸增大，這種現(xiàn)象叫“老化”。真空管式爐使用后，速度調(diào)節(jié)旋鈕應旋轉(zhuǎn)回“0”，然后停止。天津真空箱式爐生產(chǎn)廠家

多溫區(qū)管式爐以1800型硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構和40段程序控溫系統(tǒng)。云南多溫區(qū)管式爐廠家

PECVD管式爐的具體工藝流程？硅烷與氨氣反應生成SiN 淀積在硅片表面形成減反射膜。 　　利用高頻電源輝光放電產(chǎn)生等離子體對化學氣相沉積過程施加影響的技術。由于等離子體存在，促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離，促進反應活性基團的生成，從而降低沉積溫度。PECVD在200℃～500℃范圍內(nèi)成膜，遠小于其它CVD在700℃～950℃范圍內(nèi)成膜。 　　反應過程中有大量的氫離子注入到硅片中，使硅片中懸掛鍵飽和、缺陷失去活性，達到表面鈍化和體鈍化的目的。云南多溫區(qū)管式爐廠家

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