近日，中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)將此前對(duì)今年國內(nèi)光伏新增裝機(jī)40-50GW的預(yù)期，下調(diào)至35-45GW。

  近日，中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)將此前對(duì)今年國內(nèi)光伏新增裝機(jī)40-50GW的預(yù)期，下調(diào)至35-45GW。

  中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長王勃華認(rèn)為，對(duì)光伏制造業(yè)而言，**的影響主要體現(xiàn)在產(chǎn)能、成本和海外市場等方面。

  首先，行業(yè)整體產(chǎn)能利用率將出現(xiàn)下滑，根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，原輔材料的比較低開工率甚至低至30%，電池片、組件、逆變器的產(chǎn)能利用率也*有40%-80%，黑龍江無邊框光伏組件玻璃。如果**控制形勢(shì)未出現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，黑龍江無邊框光伏組件玻璃，黑龍江無邊框光伏組件玻璃，下游電站建設(shè)不及預(yù)期，也會(huì)影響到上游硅料等環(huán)節(jié)生產(chǎn)，預(yù)計(jì)行業(yè)上半年的生產(chǎn)經(jīng)營將受到較大影響。

光伏組件都有哪些質(zhì)量問題，應(yīng)該怎么防范？黑龍江無邊框光伏組件玻璃

3、降本空間大

使用低溫工藝（＜250℃），避免采用傳統(tǒng)的高溫（＞900℃）擴(kuò)散工藝獲得 p-n 結(jié)。三個(gè)角度降本，1、節(jié)約能源；2、硅片減薄。低溫沉積過程中，單晶硅片彎曲變形小，因而其厚度可以采用本底光吸收材料所要求的比較低值（約 80μm，現(xiàn)在 Perc 硅片厚大概是200μm）；3、低溫過程消除了硅襯底在高溫中的性能退化，從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來做襯底。

4、發(fā)電增益

Perc 電池存在光致衰減問題，衰減承諾一般為 10 年衰減 10%以內(nèi)，異質(zhì)結(jié)光致衰減率低、具備正溫度特性（高溫環(huán)境下發(fā)電量提高）、雙面率高（電池背面效率與正面效率之比），產(chǎn)***電增益預(yù)估在 10%左右。

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1、轉(zhuǎn)化效率高

根據(jù) NREL 2019 年 11 月 6 日發(fā)布的實(shí)驗(yàn)室比較好電池效率圖來看，日本Kaneka 將異質(zhì)結(jié)電池光電轉(zhuǎn)換率提升至 26.7%（實(shí)驗(yàn)室）。是當(dāng)前晶硅技術(shù)路線當(dāng)中轉(zhuǎn)換效率較為**的技術(shù)。高實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率為異質(zhì)結(jié)電池未來提供較大提升空間。

2、生產(chǎn)環(huán)節(jié)簡單

異質(zhì)結(jié)電池片的生產(chǎn)過程相較 Perc 減少了擴(kuò)散、刻蝕及燒結(jié) 3 個(gè)步驟，**工藝為非晶硅薄膜沉積，PECVD 中非晶硅的生長可以看作是含硅的基團(tuán)在襯底表面上的擴(kuò)散與吸附，包括本征非晶硅的沉積與鈍化以形成高質(zhì)量的異質(zhì)結(jié)面鈍化層、摻雜非晶硅沉積（N 型）以形成發(fā)射極和背表面場、TCO 沉積以提供高導(dǎo)電率的電荷輸運(yùn)通道。異質(zhì)結(jié)整個(gè)生產(chǎn)工藝主要為制絨、非晶硅薄膜沉積、絲網(wǎng)印刷、分選四個(gè)步驟。

3 課題目標(biāo)

減少電池組件之間連線MC4插頭虛接燒損現(xiàn)象，減少M(fèi)C4插頭燒損造成的發(fā)電量損失及節(jié)約維修費(fèi)用。提高設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性，保證羊群行走安全，減小火災(zāi)***率及提高電池組件美觀整潔度。

4 分析原因

1、組件之間連線采用傳統(tǒng)扎線進(jìn)行固定，隨著時(shí)間增長，扎線斷掉造成組件之間連線處于下拉狀態(tài)，羊群在支架下方走動(dòng)時(shí)容易扯開MC4插頭。

2、大風(fēng)時(shí)處于下拉狀態(tài)的電池組件之間連線大幅度擺動(dòng)，造成組件連接線的MC4插頭虛接燒損。

5 制定對(duì)策

1.使用線卡子替換原扎絲綁扎組件之間連線的方式。

2.從粘貼位置、卡線方式等方面對(duì)作業(yè)人員進(jìn)行現(xiàn)場培訓(xùn)。

6 目標(biāo)實(shí)現(xiàn)情況

通對(duì)光伏電站一分區(qū)電池組件連接線加裝線卡子后，MC4插頭虛接燒損現(xiàn)象由原來一個(gè)月發(fā)生33起下降為0起。電池組件之間連線下拉狀態(tài)已解決，減少了MC4插頭虛接現(xiàn)象，減輕了維護(hù)人員的工作壓力，減少了MC4插頭燒損造成的發(fā)電量損失及節(jié)約了維修費(fèi)用。提高了設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性，保證羊群行走安全，減小火災(zāi)***率及提高電池組件美觀整潔度。

太陽能組件的接線盒為什么要裝二極管？

組件的價(jià)格和建安費(fèi)用占比之和超過了地面光伏系統(tǒng)投資額比例的55%。其余各部分所占比例比較大的為一次設(shè)備的10.2%，另外像是土地使用費(fèi)、集中式逆變器等所占比例都不超5%。建安費(fèi)用所占比例之所以較大，是因?yàn)楝F(xiàn)在的人力成本在逐年上升，要想減少建安費(fèi)用的投入，還是需要等到更成熟的自動(dòng)化水平，這在短時(shí)間可能無法實(shí)現(xiàn)，所以建安費(fèi)用的投入在短期內(nèi)可能難以降低。

土地使用和管理費(fèi)用預(yù)計(jì)在之后的地面光伏系統(tǒng)投資額所占比例還會(huì)繼續(xù)提升，隨著國家和地區(qū)的發(fā)展，土地的價(jià)值也在逐年攀升，所以光伏電站的土地使用費(fèi)會(huì)越來越高。盡管現(xiàn)在光伏行業(yè)在大力提倡智能運(yùn)維，但就目前情況來看，智能化的程度還不足以實(shí)現(xiàn)對(duì)運(yùn)維管理成本進(jìn)行降本，要想實(shí)現(xiàn)降本，需要更高級(jí)的智能化以及高性價(jià)比的智能化;在保證運(yùn)維管理質(zhì)量的情況下，減少人力成本的輸出，這樣才能實(shí)現(xiàn)運(yùn)維成本的降低。而其它成本輸出，例如電網(wǎng)接入成本、固定式支架、電纜價(jià)格，短期內(nèi)可能不會(huì)有太大浮動(dòng)。所以要想實(shí)現(xiàn)降低地面光伏系統(tǒng)成本投入、實(shí)現(xiàn)平價(jià)上網(wǎng)，降低組件的價(jià)格還是**行之有效的措施。

光伏組件在發(fā)生什么問題的情況下需更換組件？黑龍江無邊框光伏組件玻璃

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以 N 型硅片為基礎(chǔ)，有望演化出多條 N 型電池發(fā)展方向，光伏電池片制備工藝向半導(dǎo)體升級(jí)。從技術(shù)路線發(fā)展來看，由于 P 型電池片的轉(zhuǎn)換效率提升存在瓶頸，P 型電池片向 N 型電池片轉(zhuǎn)型或勢(shì)在必行。目前 N 型電池片技術(shù)主要包括 N-Pert、TopCon、異質(zhì)結(jié)和 IBC 四大技術(shù)方向。光伏發(fā)電基于光生伏特原因，機(jī)理和半導(dǎo)體接近，隨著電池制備技術(shù)的升級(jí)，光伏電池工藝逐步向半導(dǎo)體工藝升級(jí)。

單晶替代多晶推動(dòng)光伏完成平價(jià)上網(wǎng)進(jìn)程，從 P 型向 N 型跨越迎來下一次光伏技術(shù)**。從歷史來看，得益于單晶硅片取代多晶硅片的大趨勢(shì)，單晶硅片廠商過去幾年的產(chǎn)能和銷量增長遠(yuǎn)高于行業(yè)新增裝機(jī)增長。從當(dāng)前產(chǎn)能布局來看，單晶產(chǎn)品滲透率或即將達(dá)到瓶頸，后續(xù)單晶硅片滲透率提升所帶來的超額收益或?qū)p少。但是隨著N 型硅片技術(shù)路線的逐步確認(rèn)，N 型產(chǎn)品滲透率提升或?qū)硐乱惠喰碌某~收益。積極布局 N 型硅片，并實(shí)現(xiàn) N 型硅片的降本增效或是當(dāng)前硅片廠商的當(dāng)務(wù)之急。 黑龍江無邊框光伏組件玻璃

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