電容充放電時(shí)間計(jì)算公式設(shè)，V0為電容上的初始電壓值；V1為電容**終可充到或放到的電壓值；Vt為t時(shí)刻電容上的電壓值。則:Vt=V0+（V1-V0）×[1-exp(-t/RC)]t=RC×Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]例如，電壓為E的電池通過(guò)R向初值為0的電容C充電,V0=0，V1=E，故充到t時(shí)刻電容上的電壓為：Vt=E×[1-exp(-t/RC)]再如，初始電壓為E的電容C通過(guò)R放電,V0=E，V1=0，故放到t時(shí)刻電容上的電壓為：Vt=E×exp(-t/RC)又如，初值為1/3Vcc的電容C通過(guò)R充電，充電終值為Vcc，問(wèn)充到2/3Vcc需要的時(shí)間是多少？V0=Vcc/3，V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3，故t=RC×Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC×Ln2=注：以上exp()表示以e為底的指數(shù)函數(shù)；Ln()是e為底的對(duì)數(shù)函數(shù)RC回路充放電時(shí)間的推導(dǎo)過(guò)程需要用高等數(shù)學(xué)，簡(jiǎn)單的方法只要記住RC回路的時(shí)間常數(shù)τ=R×C，在充電時(shí)，每過(guò)一個(gè)τ的時(shí)間，電容器上電壓就上升（1-1/e）約等于；放電時(shí)相反。如C=10μF，R=10k，則τ=10e-6×10e3=在初始狀態(tài)Uc=0時(shí)，接通電源，武漢史賽克L10冷光源主機(jī)芯片級(jí)維修，則過(guò)（1τ）時(shí)，電容器上電壓Uc為0+（1-0）×，到（2τ）時(shí)，Uc為（）×……以此類推，直到t=∞時(shí)，Uc=U，武漢史賽克L10冷光源主機(jī)芯片級(jí)維修。放電時(shí)同樣運(yùn)用，只是初始狀態(tài)不同，初始狀態(tài)Uc=U。進(jìn)入正題前，武漢史賽克L10冷光源主機(jī)芯片級(jí)維修，我們先來(lái)回顧下電容的充放電時(shí)間計(jì)算公式。常用此法能快速大致確定故障部位，再運(yùn)用測(cè)量分析法確定具體故障元件。武漢史賽克L10冷光源主機(jī)芯片級(jí)維修

    直流電阻損耗由繞組導(dǎo)線的電阻與流過(guò)的電流有效值二次方的乘積所決定。集膚效應(yīng)是由于在導(dǎo)線內(nèi)強(qiáng)交流電磁場(chǎng)作用下，導(dǎo)線中心的電流被“推向”導(dǎo)線表面而使導(dǎo)線的電阻實(shí)際增加所致，電流在更小的截面中流動(dòng)使導(dǎo)線的有效直徑顯得小了。式(8)給出了這兩個(gè)損耗在一個(gè)表達(dá)式中的計(jì)算式。漏感(用串聯(lián)于繞組的小電感表示)使一部分磁通不與磁心交鏈而漏到周圍的空氣和材料中。它的特性并不受與之相關(guān)的變壓器或電感的影響，因此繞組的反射阻抗并不影響漏感的性能。漏感會(huì)帶來(lái)一個(gè)問(wèn)題，因?yàn)樗鼪](méi)有將功率傳遞到負(fù)載，而是在周圍的元件中產(chǎn)生振蕩能量。在變壓器和電感的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，要控制繞組的漏感大小。每一個(gè)的漏感值都會(huì)不同，但能控制到某個(gè)額定值。一些減少繞組漏感的通用經(jīng)驗(yàn)法則是：加長(zhǎng)繞組的長(zhǎng)度、離磁心距離更近、繞組之間的緊耦合技術(shù)，以及相近的匝比(如接近l：1)。對(duì)通常用于DC-DC變換器的E-E型磁心，預(yù)計(jì)的漏感值是繞組電感的3％～5％。在離線式變換器中，一次繞組的漏感可能高達(dá)繞組電感的12％，如果變壓器要滿足嚴(yán)格的安全規(guī)程的話。用來(lái)絕緣繞組的膠帶會(huì)使繞組更短，并使繞組遠(yuǎn)離磁心和其他繞組。后面可以看到，漏感引起的附加損耗可以被利用。武漢史賽克L10冷光源主機(jī)芯片級(jí)維修直接導(dǎo)致醫(yī)療設(shè)備維護(hù)維修工作落實(shí)不到位，增加了設(shè)備運(yùn)行成本。

    相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)的可能。首先是啟動(dòng)電路。啟動(dòng)電路從輸入電壓獲得直流電流，使控制IC和驅(qū)動(dòng)電路有足夠的能量啟動(dòng)電源。如果這個(gè)啟動(dòng)電路不能在電源啟動(dòng)后切斷電流，那么電路會(huì)有高達(dá)3W的持續(xù)的損耗，損耗大小取決于輸入電壓。第二個(gè)主要方面是功率開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。如果功率開關(guān)用雙極型功率晶體管，則基極驅(qū)動(dòng)電流必須大于晶體管集電極e峰值電流除以增益(hFE)。功率晶體管的典型增益在5-15之間，這意味著如果是10A的峰值電流，就要求～2A的基極電流?；錁O之間有，如果基極電流不是從非常接近，則會(huì)產(chǎn)生很大的損耗。功率MOSFET驅(qū)動(dòng)效率比雙極型功率晶體管高。MOSFET柵極有兩個(gè)與漏源極相連的等效電容，即柵源電容Ciss和漏源電容Crss。MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的損耗來(lái)自于開通MOSFET時(shí)輔助電壓對(duì)柵極電容的充電，關(guān)斷MOSFET時(shí)又對(duì)地放電。柵極驅(qū)動(dòng)損耗計(jì)算由式(5)給出。對(duì)這個(gè)損耗，除了選擇Ciss和Crss值較低的MOSFET，從而有可能略微降低大柵極驅(qū)動(dòng)電壓以外，沒(méi)有太多的辦法。與磁性元件有關(guān)的損耗對(duì)一般設(shè)計(jì)工程師而言，這部分非常復(fù)雜。因?yàn)榇判栽g(shù)語(yǔ)的特殊性，以下所述的損耗主要由磁心生產(chǎn)廠家以圖表的形式表示。

    引言對(duì)于高壓的靜電的消除關(guān)于零線是不是大地線的說(shuō)明：1．結(jié)構(gòu)的區(qū)別：零線（N）：從變壓器中性點(diǎn)接地后引出主干線。地線（PE）：從變壓器中性點(diǎn)接地后引出主干線，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，每間隔20-30米重復(fù)接地。2、原理的區(qū)別：零線（N）：主要應(yīng)用于工作回路，零線所產(chǎn)生的電壓等于線阻乘以工作回路的電流。由于長(zhǎng)距離的傳輸，零線產(chǎn)生的電壓就不可忽視，作為保護(hù)人身安全的措施就變得不可靠。地線（PE）：不用于工作回路，只作為保護(hù)線。利用大地的“0”電壓，當(dāng)設(shè)備外殼發(fā)生漏電，電流會(huì)迅速流入大地，即使發(fā)生PE線有開路的情況，也會(huì)從附近的接地體流入大地。于地線和零線的問(wèn)題樓上有幾位講的有一些道理，但又不完全是那樣子的，接地線是系統(tǒng)保護(hù)，零線是系統(tǒng)封裝。這個(gè)問(wèn)題好從系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)講，接地線和零線都可以作為電流卸載線，它們又有所不同，接地線是系統(tǒng)對(duì)地卸載點(diǎn)，零線是系統(tǒng)內(nèi)部卸載點(diǎn)。一個(gè)系統(tǒng)中可以使用放電電阻來(lái)卸載，也可以通過(guò)接地來(lái)卸載，以三相電為例，以前國(guó)外都是三相五線制，即三相火線、一根零線、一根地線；國(guó)內(nèi)都是三相四線制，即三相火線、一根地線（現(xiàn)在也改為三相五線制），在企業(yè)變電站也是將變壓器的次級(jí)零線接地。上門維修，要求醫(yī)院先付多少多少的工時(shí)差旅費(fèi)，檢查后，技術(shù)服務(wù)費(fèi)（維修費(fèi)）或配件費(fèi)另計(jì)；

    全橋式變壓器開關(guān)電源工作原理與推挽式變壓器開關(guān)電源以及半橋式變壓器開關(guān)電源的工作原理是很相似的，因此，分析方法也基本相同。下面我們進(jìn)一步詳細(xì)分析全橋式變壓器開關(guān)電源的工作原理。當(dāng)控制開關(guān)K1和K4接通時(shí)候，電源電壓Ui被加到變壓器初級(jí)線圈N1繞組的a、b兩端，在變壓器初級(jí)線圈N1繞組中將有電流經(jīng)過(guò)，通過(guò)電磁感應(yīng)會(huì)在變壓器的鐵心中產(chǎn)生磁場(chǎng)，并產(chǎn)生磁力線；同時(shí)，在初級(jí)線圈N1繞組的兩端要產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)e1，在次級(jí)線圈N2繞組的兩端也會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)e2；感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)e2作用于負(fù)載R的兩端，從而產(chǎn)生負(fù)載電流。因此，在初、次級(jí)電流的共同作用下，在變壓器的鐵心中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)由流過(guò)變壓器初、次級(jí)線圈電流產(chǎn)生的合成磁場(chǎng)，這個(gè)磁場(chǎng)的大小可用磁力線通量(簡(jiǎn)稱磁通量)，即磁力線的數(shù)目Φ來(lái)表示。如果用Φ1來(lái)表示變壓器初級(jí)線圈N1繞組電流產(chǎn)生的磁通量，用Φ2來(lái)表示變壓器次級(jí)線圈電流產(chǎn)生的磁通量，由于變壓器初、次級(jí)線圈電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向總是相反，則在控制開關(guān)K1和K4接通期間，由流過(guò)變壓器初、次級(jí)線圈電流在變壓器鐵心中產(chǎn)生的合成磁場(chǎng)的總磁通量Φ為：Φ=Φ1－Φ2K1和K4接通期間(1-179)其中變壓器初級(jí)線圈電流產(chǎn)生的磁通Φ1還可以分成兩個(gè)部分?？捎秒姶碉L(fēng)或速凍劑產(chǎn)生局部升溫或冷卻的外部條件。武漢史賽克L10冷光源主機(jī)芯片級(jí)維修

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    磁芯窗口中的磁場(chǎng)的二維效應(yīng)特別嚴(yán)重，尤其是氣隙附近。②采用在三個(gè)磁芯柱上都添加氣隙的方式。在磁路氣隙長(zhǎng)度一定的情況下，這種方法由于減小了氣隙的尺寸，即每個(gè)磁芯柱上氣隙長(zhǎng)度是中柱單氣隙的一半，因此每個(gè)氣隙的磁勢(shì)是整個(gè)線圈安匝數(shù)的一半，氣隙磁勢(shì)的降低減小了氣隙的邊緣磁通，因此邊緣磁通在導(dǎo)體上造成的損耗會(huì)有較大減小，但是這種方式會(huì)造成較大的外部散漏磁場(chǎng)，這部分磁場(chǎng)雖然不會(huì)造成電感的額外渦流損耗，但是會(huì)對(duì)周圍器件產(chǎn)生一定的電磁干擾。③采用分布式氣隙的方式，即將中柱的大氣隙分割成若干個(gè)小氣隙，而氣隙總長(zhǎng)度不變的方式。這種方式會(huì)減小氣隙邊緣磁通，從而對(duì)減小電感的渦流損耗有益，但此種磁芯需要特殊加工。④采用均勻分布式氣隙。即磁芯中柱使用低磁導(dǎo)率材料，相當(dāng)于氣隙均勻分布在磁芯中，減小了氣隙邊緣磁通，但是這種方式磁芯需要特殊加工，低磁導(dǎo)率材料在高頻時(shí)磁芯損耗會(huì)比較大，但是這種方式可減小導(dǎo)體的渦流損耗圖。氣隙放置在中柱上時(shí)的磁通分布如圖(a)所示，等效氣隙放置在中柱和外側(cè)柱時(shí)的磁通分布如圖(b)所示，磁芯中柱用均勻分布?xì)庀洞判敬鏁r(shí)的磁通分布如圖(c)所示，由圖可知，(a)中邊緣磁場(chǎng)范圍較大，(b)中氣隙尺寸減小后。武漢史賽克L10冷光源主機(jī)芯片級(jí)維修

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