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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:淄博晶閘管調(diào)壓模塊,晶閘管模塊
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由普通晶閘管模塊相繼衍生出了快速晶閘管模塊,淄博晶閘管調(diào)壓模塊、光控晶閘管模塊、不對稱晶閘管模塊及雙向晶閘管模塊等各種特性的晶閘管模塊,形成一個(gè)龐大的晶閘管家族。以上,是正高對晶閘管模塊發(fā)展歷史的講解,希望對于關(guān)注晶閘管的人們起到一定的幫助。正高講解晶閘管損壞的原因診斷晶閘管作為重要的元器件,晶閘管能夠更好的控制設(shè)備電流導(dǎo)通,給設(shè)備提供安全的運(yùn)行保障。但是,很多晶閘管設(shè)備運(yùn)行過程中,受外部因素的影響容易發(fā)生損壞故障。接下來,正高結(jié)合晶閘管損壞的原因分析診斷方法。當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因,淄博晶閘管調(diào)壓模塊。如下就是幾種常見的晶閘管損壞原因的判別方法:1.電壓擊穿晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,淄博晶閘管調(diào)壓模塊,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2.電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3.電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4.邊緣損壞若發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。淄博正高電氣全體員工真誠為您服務(wù)。淄博晶閘管調(diào)壓模塊
而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下,如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓(∈=-Ldi/dt),假如電路上未有良好的吸收回路,此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊。因此,晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器(如電機(jī)車)中工作時(shí),必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作,所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上,考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素,在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT,即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件,器件在阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波,導(dǎo)通角不少于l70℃的電路中,當(dāng)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所答應(yīng)的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時(shí),各臂的可控硅有不均流因素??煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導(dǎo)通角上工作,通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些,一般應(yīng)為其正常電流均勻值的。3.選擇關(guān)斷時(shí)間晶閘管模塊在陽極電流減少為0以后,假如馬上就加上正朝陽極電壓,即使無門極信號,它也會(huì)再次導(dǎo)通。淄博晶閘管驅(qū)動(dòng)模塊哪家好淄博正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能,將應(yīng)用美學(xué)與環(huán)保健康結(jié)合起來。
晶閘管也是在電器元器件中普遍存在的一種產(chǎn)品。軟啟動(dòng)器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán),所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長軟啟動(dòng)器的使用壽命。可控硅模塊與其它功率器件一樣,工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗。散熱器的常用散熱方式有:自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動(dòng)器設(shè)備有,主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中,所以我們要先解決軟啟動(dòng)器工作環(huán)境的溫度問題,若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動(dòng)器的工作,導(dǎo)致軟啟動(dòng)器過熱保護(hù)跳閘。保證軟起動(dòng)器具有良好的運(yùn)行環(huán)境,須對變頻器及運(yùn)行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施。給軟啟動(dòng)器預(yù)留一定的空間,定期給軟啟動(dòng)器進(jìn)行清灰處理,都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。以上就是正高可控硅模塊廠家為您介紹的軟啟動(dòng)器可控硅降溫的重要性,希望對您有所幫助。晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語,您知道幾個(gè)?相信大家對于晶閘管模塊并不陌生了。
晶閘管模塊串聯(lián)橋臂串聯(lián)器件數(shù)的確定計(jì)算公式中:KCU—過電壓沖擊系數(shù),取,根據(jù)設(shè)備中過電壓保護(hù)措施的完備情況而定;UAM—臂的工作峰值電壓,指的正向峰值電壓UATM或臂的反向峰值電壓UARM,計(jì)算時(shí)取兩者之較大者;Kb—電網(wǎng)電壓升高系數(shù),一般取—,特殊情況可取更高值;KAU—電壓的設(shè)計(jì)裕度,一般取1—2,根據(jù)器件的可靠程度及對設(shè)備的可靠性要求而定;KU—均壓系數(shù),一般取—URM—串聯(lián)器件的額定重復(fù)峰值電壓。實(shí)例計(jì)算KCU取,因?yàn)殡娋W(wǎng)電壓沖擊情況較多;UAM=14100V;Kb取KAU高壓使用時(shí)裕度取KU=,均壓系數(shù)取中;URM=4000V代入:計(jì)算公式結(jié)論是用10只4000V晶閘管模塊串聯(lián)。晶閘管模塊串聯(lián)后出現(xiàn)的問題1,均壓:要求所加的電壓均勻地分?jǐn)傇诿恐痪чl管模塊上,即每只器件分?jǐn)偟碾妷夯疽恢隆?,觸發(fā)信號的傳送:因?yàn)槊恐痪чl管模塊各處于不同的電位上,每只器件的觸發(fā)信號不可能有共同的零點(diǎn)。3,同時(shí)觸發(fā):上例中十只晶閘管模塊串聯(lián),不允許個(gè)別器件不觸發(fā),要不就會(huì)發(fā)生高壓全加于這一只器件上,而導(dǎo)致該器件電壓擊穿。以上就是晶閘管模塊串聯(lián)的要求以及注意事項(xiàng),希望對您有所幫助。晶閘管模塊在電加熱爐的作用晶閘管模塊在我們的生活是無處不在。淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。
中頻電源啟動(dòng)用晶閘管擊穿故障的維修方法正高客戶反映,車間內(nèi)感應(yīng)容量用晶閘管發(fā)生擊穿故障,影響到設(shè)備的正常使用。通過對客戶電路圖的分析,以及設(shè)備故障的排查發(fā)現(xiàn)故障原因如下:當(dāng)設(shè)備按下啟動(dòng)按鈕之后,中頻電源逆變成功。但是,如果交流器線圈不失電,電路與諧振曹路間的觸點(diǎn)閉合的情況下,設(shè)備內(nèi)部電路回路相同。此時(shí),如果回路直流電壓升高,則容易發(fā)生設(shè)備擊穿問題。此類故障主要發(fā)生于運(yùn)行時(shí)間比較長的設(shè)備,由于設(shè)備年限較長,設(shè)備內(nèi)部電路的元件容易出現(xiàn)老化的現(xiàn)象。在設(shè)備電路接通時(shí),啟動(dòng)電容電容量較小,電壓的急劇升高,就造成電壓疊加和迅速升高,繼而導(dǎo)致晶閘管擊穿問題的發(fā)生。中頻電源啟動(dòng)用晶閘管擊穿問題的排除,可以增加電路中電容器電容量,并對擊穿晶閘管進(jìn)行更換,即可解除這一故障。談?wù)呔чl管的強(qiáng)觸發(fā)問題正高晶閘管以其良好的通斷性能,廣泛應(yīng)用于各類儀器設(shè)備當(dāng)中。作為一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件,晶閘管能夠向門極提供一個(gè)特別陡直的尖峰電流脈沖,以保證在任何時(shí)刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強(qiáng)烈的影響。淄博正高電氣熱誠歡迎各界朋友前來參觀、考察、洽談業(yè)務(wù)。淄博晶閘管模塊
淄博正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。淄博晶閘管調(diào)壓模塊
使用的形式、性質(zhì)角度)沒有區(qū)別,因?yàn)楣虘B(tài)繼電器也是可控硅做的(三極管的固態(tài)繼電器除外)。那么他們之間有什么區(qū)別呢?沒有一件事,兩個(gè)名字。它們的區(qū)別在于晶閘管是晶閘管,固態(tài)繼電器是晶閘管+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。這就是區(qū)別?,F(xiàn)在有一種“智能硅控制模塊”,它將可控硅元件和同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)集成在一個(gè)模塊中。這種可控硅整流器與固態(tài)繼電器沒有區(qū)別。當(dāng)然,它和形狀是有區(qū)別的。負(fù)邏輯控制和反等功。固態(tài)繼電器輸入輸出電路的隔離耦合方式。相信通過以上的介紹,大家應(yīng)該對可控硅模塊和單相固態(tài)繼電器有一個(gè)非常清晰的了解。如果你想?yún)^(qū)分它們,它們也很好的區(qū)分。你可以直接從形狀上看出區(qū)別。晶閘管模塊的優(yōu)缺點(diǎn)以及分類晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn):1)用小功率控制大功率,放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)十萬倍。2)控制靈敏,響應(yīng)迅速,開關(guān)微秒,時(shí)間短。3)損耗也是比較小的,因?yàn)樗谋旧黼妷壕椭挥?v。4)體積小,重量輕。缺點(diǎn):1.靜、動(dòng)態(tài)過載能力差2.易受干擾和誤導(dǎo)雙向的優(yōu)點(diǎn)(1)在交流電路中,只有一個(gè)雙向可以代替兩個(gè)普通的反向并聯(lián);(2)觸發(fā)方式多種多樣,能方便靈活地滿足各種控制要求,有利于控制電路的設(shè)計(jì);(3)可以在使用的過程中,如果施加的電壓超過峰值電壓。淄博晶閘管調(diào)壓模塊
淄博正高電氣有限公司辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。在山東正高電氣供應(yīng)近多年發(fā)展歷史,公司旗下現(xiàn)有品牌山東正高電氣等。公司堅(jiān)持以客戶為中心、可控硅模塊,晶閘管模塊,晶閘管智能模塊,可控硅集成模塊,晶閘管集成模塊,可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,固態(tài)繼電器,智能可控硅調(diào)壓模塊,晶閘管調(diào)壓模塊,可控硅模塊廠家,可控硅智能調(diào)壓模塊,移相觸發(fā)板,調(diào)壓模塊,晶閘管智能調(diào)壓模塊,單相觸發(fā)板市場為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。自公司成立以來,一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的可控硅模塊,晶閘管智能模塊,觸發(fā)板,電力調(diào)整器,從而使公司不斷發(fā)展壯大。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2759233.html
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