b）所示，MOS管關(guān)斷時，輸入電壓Vin與次級反射電壓nVo共同疊加在MOS的DS兩端。大占空比Dmax確定后，反射電壓Vor（即nVo）、次級整流二極管承受的大電壓VD以及MOS管承受的大電壓Vdsmax，可由下式得到：通過公式（5）（6）（7），可知，Dmax取值越小，Vor越小，進(jìn)而MOS管的應(yīng)力越小，然而，次級整流管的電壓應(yīng)力卻增大。因此，我們應(yīng)當(dāng)在保證MOS管的足夠裕量的條件下，盡可能增大Dmax，來降低次級整流管的電壓應(yīng)力。Dmax的取值，應(yīng)當(dāng)保證Vdsmax不超過MOS管耐壓等級的80%；同時，對于峰值電流模式控制的反激變換器，CCM模式條件下，當(dāng)占空比超過時，會發(fā)生次諧波震蕩。綜合考慮，對于耐壓值為700V（NCP1015）的MOS管，設(shè)計中，Dmax不超過為宜。：確定變壓器初級電感Lm對于CCM模式反激，當(dāng)輸入電壓變化時，變換器可能會從CCM模式過渡到DCM模式，對于兩種模式，均在惡劣條件下（低輸入電壓、滿載）設(shè)計變壓器的初級電感Lm。由下式?jīng)Q定：其中，fsw為反激變換器的工作頻率，KRF為電流紋波系數(shù)，其定義如下圖所示：對于DCM模式變換器，汕頭L9000冷光源更換高壓包，設(shè)計時KRF=1。對于CCM模式變換器，KRF<1，此時，KRF的取值會影響到初級電流的均方根值（RMS），汕頭L9000冷光源更換高壓包，KRF越小，汕頭L9000冷光源更換高壓包，RMS越小，MOS管的損耗就會越小。那第三方服務(wù)商怎樣才能發(fā)展起來呢？汕頭L9000冷光源更換高壓包

    電路在諧振時容抗等于感抗，所以電容和電感上兩端的電壓有效值必然相等，電容上的電壓有效值UC=I*1/ωC=U/ωCR=QU，品質(zhì)因數(shù)Q=1/ωCR，這里I是電路的總電流。電感上的電壓有效值UL=ωL*I=ωL*U/R=QU，品質(zhì)因數(shù)Q=ωL/R。因為：UC=UL所以Q=1/ωCR=ωL/R。電容上的電壓與外加信號電壓U之比UC/U=（I*1/ωC）/RI=1/ωCR=Q。電感上的電壓與外加信號電壓U之比UL/U=ωLI/RI=ωL/R=Q。從上面分析可見，電路的品質(zhì)因數(shù)越高，電感或電容上的電壓比外加電壓越高。Q值影響電路的頻率選擇性。當(dāng)電路處于諧振頻率時，有大的電流，偏離諧振頻率時總電流小。我們用I/I0表示通過電路的電流與諧振電路中電流的比值，即相對變化率。ω/ω0表示頻率偏離諧振頻率程度。圖6顯示了I/I0與ω/ω0關(guān)系曲線。這里有三條曲線，對應(yīng)三個不同的Q值，其中有Q1>Q2>Q3。從圖中可看出當(dāng)外加信號頻率ω偏離電路的諧振頻率ω0時，I/I0均小于1。Q值越高在一定的頻偏下電流下降得越快，其諧振曲線越尖銳。也就是說電路的選擇性是由電路的品質(zhì)因素Q所決定的，Q值越高選擇性越好。在電路板上會放置一些大的電容，通常是坦電容或電解電容。這類電容有很低的ESL，但是ESR很高，因此Q值很低。汕頭L9000冷光源更換高壓包對維修人員的資質(zhì)認(rèn)定也勢在必行。維修醫(yī)療器械畢竟與維修家電不同。

    為了讓大家有個清楚的認(rèn)識，本文分別介紹一下這兩種解釋。從儲能的角度來說明電容退耦原理。在制作電路板時，通常會在負(fù)載芯片周圍放置很多電容，這些電容就起到電源退耦作用。其原理可用圖1說明。當(dāng)負(fù)載電流不變時，其電流由穩(wěn)壓電源部分提供，即圖中的I0，方向如圖所示。此時電容兩端電壓與負(fù)載兩端電壓一致，電流Ic為0，電容兩端存儲相當(dāng)數(shù)的電荷，其電荷數(shù)和電容有關(guān)（C=Q/U）。當(dāng)負(fù)載瞬態(tài)電流發(fā)生變化時，由于負(fù)載芯片內(nèi)部晶體管電平轉(zhuǎn)換速度極快，必須在極短的時間內(nèi)為負(fù)載芯片提供足夠的電流。但是穩(wěn)壓電源無法很快響應(yīng)負(fù)載電流的變化，因此，電流I0不會馬上滿足負(fù)載瞬態(tài)電流要求，因此負(fù)載芯片電壓會降低。但是由于電容電壓與負(fù)載電壓相同，因此電容兩端存在電壓變化。對于電容來說電壓變化必然產(chǎn)生電流，此時電容對負(fù)載放電，電流Ic不再為0，為負(fù)載芯片提供電流。根據(jù)電容等式：只要電容C足夠大，只需很小的電壓變化，電容就可以提供足夠大的電流，滿足負(fù)載瞬態(tài)電流的要求。這樣就保證了負(fù)載芯片電壓的變化在容許的范圍內(nèi)。這里，相當(dāng)于電容預(yù)先存儲了一部分電能，在負(fù)載需要的時候釋放出來，即電容是儲能元件。儲能電容的存在使負(fù)載消耗的能得到快速補(bǔ)充。

    考慮到開關(guān)電源在實際應(yīng)用中可能會帶容性負(fù)載，L不宜過大，建議不超過μH。：鉗位吸收電路設(shè)計如圖8所示，反激變換器在MOS關(guān)斷的瞬間，由變壓器漏感LLK與MOS管的輸出電容造成的諧振尖峰加在MOS管的漏極，如果不加以限制，MOS管的壽命將會大打折扣。因此需要采取措施，把這個尖峰吸收掉。反激變換器設(shè)計中，常用圖9（a）所示的電路作為反激變換器的鉗位吸收電路（RCD鉗位吸收）。RClamp由下式?jīng)Q定，其中Vclamp一般比反射電壓Vor高出50～100V，LLK為變壓器初級漏感，以實測為準(zhǔn)：圖9RCD鉗位吸收CClamp由下式?jīng)Q定，其中Vripple一般取Vclamp的5%～10%是比較合理的：輸出功率比較?。?0W以下）時，鉗位二極管可采用慢恢復(fù)二極管，如1N4007；反之，則需要使用快恢復(fù)二極管。：補(bǔ)償電路設(shè)計開關(guān)電源系統(tǒng)是典型的閉環(huán)控制系統(tǒng)，設(shè)計時，補(bǔ)償電路的調(diào)試占據(jù)了相當(dāng)大的工作量。目前流行于市面上的反激控制器，絕大多數(shù)采用峰值電流控制控制模式。峰值電流模式反激的功率級小信號可以簡化為一階系統(tǒng)，所以它的補(bǔ)償電路容易設(shè)計。通常，使用DeanVenable提出的TypeII補(bǔ)償電路就足夠了。在設(shè)計補(bǔ)償電路之前，首先需要考察補(bǔ)償對象（功率級）的小信號特性。如圖8所示。第三方占17%，醫(yī)院自修占16%，這幾年，第三方的份額還一直處于穩(wěn)步提升中。

    一些電源被設(shè)計成使用系統(tǒng)風(fēng)扇進(jìn)行強(qiáng)制冷卻。在這種情況下，電源的數(shù)據(jù)表會給出充分冷卻所需的風(fēng)量。重要的是要記?。哼@是電源本身所需的風(fēng)量，而不是某個點(diǎn)（即便離電源很近）的。因為空氣將始終沿著阻力小的路徑流通，所以，風(fēng)扇吹動的風(fēng)量只有一部分將實際到達(dá)需降溫的電源。內(nèi)部擋板將有助于引導(dǎo)空氣沿所需的路徑到達(dá)需冷卻的目標(biāo)器件。對可能采用對流冷卻設(shè)計的電源，或只能在較低溫度下工作的設(shè)備來說，需要遵循以下步驟計算風(fēng)量。首先，確定電源或電子設(shè)備可以安全工作的大操作溫度。對于電源本身來說，通常50℃這個溫度通?？赡軙婕鞍踩J(rèn)證，降低溫度以延長壽命。根據(jù)經(jīng)驗，一般情況，將電解電容器外殼溫度降低10℃，其使用壽命將延長一倍。然后，我們需考慮包含電源的設(shè)備外殼周圍的高氣溫；外殼周圍的高氣溫與高工作溫度之間的差就是大允許溫升。例如，如果電源可在50℃環(huán)境下工作，且若包含電源的設(shè)備工作在非空調(diào)環(huán)境，且環(huán)境高溫度可達(dá)40℃，則電源允許的溫升為10℃。下一步是確定待散熱的功耗。機(jī)殼內(nèi)的總功耗是由負(fù)載功耗加上電源自身發(fā)熱的功耗的總和。例如，如果電子電路的負(fù)載標(biāo)稱為260W，假定電源的效率是80％，則散發(fā)的總熱量為260W/，即325W。后。對維修后的醫(yī)療器械進(jìn)行檢測 維修后的醫(yī)療器械不僅要達(dá)到能夠使用的標(biāo)準(zhǔn)，維修前的醫(yī)療器械效果一致且安全。汕頭L9000冷光源更換高壓包

站在社會的高度來講，支持第三方發(fā)展，節(jié)約眾多醫(yī)院的成本，減輕病人負(fù)擔(dān)，是不是為全社會服務(wù)呢？汕頭L9000冷光源更換高壓包

    次級線圈所包圍的磁鏈?zhǔn)菧p少的。其實根本的問題是兩個,一:勵磁電流與輸出電流并聯(lián)，勵磁電流的增大即意味著效率的降低；二:漏感增加,這個的危害就不說了。（待考證）漏感的原因會導(dǎo)致初次級線圈的磁通無法完全抵消，時間長了會導(dǎo)致磁芯磁化，所以大功率的正激是需要加一點(diǎn)氣隙好讓變壓器直流成分都到氣隙里。這個磁通不完全抵消的理論我也是聽說的，覺得有道理。正激在勵磁的同時傳遞能量，勵磁搭建能量傳遞的平臺，勵磁電流在關(guān)斷期間回饋能量給電源或被消耗掉進(jìn)行磁復(fù)位，勵磁電流越小激磁能量就越小，激磁損耗也越小。加氣隙后磁阻增大，磁芯中能夠儲備的磁能增大，磁芯剩磁Br也會減小，deltB(Bs-Br)增大，開關(guān)管導(dǎo)通期延長時不易發(fā)生磁飽和，但勵磁電流和漏感均會增大。工作頻率較低時，可加微量的氣隙，這時不易發(fā)生磁飽和，deltB增大，線圈匝數(shù)可以減少，銅損減少，但要注意磁復(fù)位和關(guān)斷期間的尖峰高壓。工作頻率很高時,單位時間內(nèi)磁芯中的磁能變化很大，磁芯損耗急劇增大，設(shè)計時磁芯的deltB的取值必須減小，這時Bs和Br不是限制因子，同時由于匝數(shù)已很少，沒有必要加氣隙增大漏感和勵磁電流。1．儲能用的好加一點(diǎn)氣隙，大幅提高其承受直流磁場偏置的能力。汕頭L9000冷光源更換高壓包

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