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產品關鍵詞:浙江管式爐高校**,爐
***更新:2021-02-02 10:21:29
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多溫區(qū)管式爐簡介多溫區(qū)管式爐以1800型硅鉬棒為加熱元件,采用雙層殼體結構和40段程序控溫系統(tǒng),移相觸發(fā)、可控硅控制,浙江管式爐高校**,雙(多)溫區(qū)管式爐爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料,浙江管式爐高校**,雙(多)溫區(qū)管式爐雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng),能快速升降溫,采用99高純剛玉管、兩端用不銹鋼法蘭密封,用浮子流量計控制進氣流量、該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點,是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火用的理想產品。箱式爐為保證爐溫,浙江管式爐高校**,不能隨便打開箱式爐爐門,檢查爐內情況應從爐門孔中觀察。浙江管式爐高校**
多溫區(qū)管式爐的保養(yǎng):一、爐子使用或長時間不用后,要在120℃左右烘烤1小時,在300℃左右烘烤2小時后使用,以免造成爐膛開裂。爐溫盡量不要超過額定溫度,以免損壞加熱元件及爐襯。禁止向爐膛內直接灌注各種液體及溶解金屬,保持爐內的清潔。二、爐膛若采用剛玉爐管,依據剛玉材料的物理性質,各溫區(qū)的升﹑降溫速率不宜過快(≤5℃),嚴禁在爐管100℃以上取送物料。有利于爐管的熱應力的均勻釋放,以延長爐管的使用壽命。爐膛若采用石英管,當溫度高于1000℃時,石英管的高溫部分會出現不透明現象,這叫失透(又叫析晶性)是石英管的一個固有缺陷,屬正?,F象。三、管式爐在氣氛條件下使用,氣體在高溫下會膨脹,導致管內壓力變大,使用者應及時開啟針閥,排出氣體。 廣州PECVD管式爐參考價格爐子升溫后,不能長時間開啟爐門。
多溫區(qū)管式爐注意事項:1.多溫區(qū)管式爐操作注意事項爐子初次使用或長時間不用后,要在120度左右烘爐1小時,在300度左右烘烤2小時后使用,以免造成爐膛開裂。爐溫不得超過額定溫度,以免損壞加熱元件及爐襯。2.禁止向爐膛內直接灌注各種液體及溶解金屬,保護顱內清潔。3.爐體若采用硅鉬棒做加熱元件,依據硅鉬棒的物理特性,常溫下脆性很大,因此在加熱元件安裝好后不能隨意拆裝和搬動爐體,4.冷爐使用時,由于爐膛是冷的,須大量吸熱,所以低溫段升溫速率不宜過快,各種溫度段的升溫速率差別不宜太大,設置升溫速率時應充分考慮所燒結材料的物理化學性質,以免出現噴料現象,污染爐膛,5.定期檢查溫度控制系統(tǒng)的電器連接部分的接觸是良好,應特別注意加熱元件的各連接是否緊固。6.硅鉬棒作為加熱元件時不宜在400-700度溫度段長時間運行,否則硅鉬棒將發(fā)生低溫氧化。7.硅鉬棒做加熱元件時,長時間運行,阻值會逐漸增大,這種現象叫“老化”。
立式爐保養(yǎng)編輯在鍋爐長期停用時,應十分注意爐體外部的防腐保養(yǎng)問題。首先在鍋爐停爐冷卻后,必須徹底清理受熱面的積灰和爐排上部、爐體下部的灰渣。然后要保持煙道有一定的自然通風。一般情況下,為了防潮應在爐膛、煙道中放置干燥劑。如以生石灰作為干燥劑,則每立方米爐膛或煙道內一般應放置3kg左右。放置后應嚴密關閉所有的通風門。生石灰變粉后要更換。如鍋爐房位置低洼,停爐期間地面泛潮嚴重時,則應采用經常小火烘烤和放置干燥劑相結合的辦法。如果鍋爐停爐時間很長,在徹底清理煙灰后在爐體金屬外表面涂以紅丹油或其它防腐漆。至于爐體內部停爐的防腐保養(yǎng)方法,則要按停爐時間的長短來定。一般情況下,停爐不超過一個月的可用濕法保養(yǎng),一個月以上的應采取干法保養(yǎng)。 箱式氣氛爐電氣部分采用與爐體一體化結構,整個電氣元件安裝在爐體底部的一側,結構緊湊、占用空間小。
PECVD管式爐的具體工藝流程?硅烷與氨氣反應生成SiN淀積在硅片表面形成減反射膜。利用高頻電源輝光放電產生等離子體對化學氣相沉積過程施加影響的技術。由于等離子體存在,促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離,促進反應活性基團的生成,從而降低沉積溫度。PECVD在200℃~500℃范圍內成膜,遠小于其它CVD在700℃~950℃范圍內成膜。反應過程中有大量的氫離子注入到硅片中,使硅片中懸掛鍵飽和、缺陷失去活性,達到表面鈍化和體鈍化的目的。 箱式氣氛爐設有循環(huán)水冷套以降低密封處的溫度。浙江多溫區(qū)管式爐研究所**
多溫區(qū)管式爐雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng),能快速升降溫,采用99高純剛玉管、兩端用不銹鋼法蘭密封。浙江管式爐高校**
PECVD管式爐的具體工藝流程?硅烷與氨氣反應生成SiN淀積在硅片表面形成減反射膜。利用高頻電源輝光放電產生等離子體對化學氣相沉積過程施加影響的技術。由于等離子體存在,促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離,促進反應活性基團的生成,從而降低沉積溫度。PECVD在200℃~500℃范圍內成膜,遠小于其它CVD在700℃~950℃范圍內成膜。反應過程中有大量的氫離子注入到硅片中,使硅片中懸掛鍵飽和、缺陷失去活性,達到表面鈍化和體鈍化的目的。 浙江管式爐高校**
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