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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:北京雙晶太陽(yáng)能電池片焊接
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詳細(xì)說(shuō)明
P型和N型都可以做電池片。
在p型半導(dǎo)體材料上擴(kuò)散磷元素,形成n+/p型結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池即為P型硅片;
在N型半導(dǎo)體材料上注入硼元素,形成p+/n型結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池即為n型硅片;
目前光伏行業(yè)主流產(chǎn)品是P型硅片,P型硅片制作工藝簡(jiǎn)單,北京雙晶太陽(yáng)能電池片焊接,成本較低,N型硅片通常少子壽命較大,電池效率可以做得更高,但是工藝更加復(fù)雜。N型硅片摻磷元素,磷與硅相溶性差,拉棒時(shí)磷分布不均,北京雙晶太陽(yáng)能電池片焊接,P型硅片摻硼元素,硼與硅分凝系數(shù)相當(dāng),北京雙晶太陽(yáng)能電池片焊接,分散均勻度容易控制。
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四、去磷硅玻璃
該工藝用于太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造過(guò)程中,通過(guò)化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡,使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸,以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過(guò)程中,POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子,
這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2,稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成,主要?jiǎng)恿υ从袣浞帷⒌獨(dú)?、壓縮空氣、純水,熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過(guò)量,反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。
1)太陽(yáng)能光強(qiáng)。太陽(yáng)能電池就是把太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電的一種器件,在一般的情況下(注意條件),太陽(yáng)能電池的效率隨光強(qiáng)增加而增加的。再進(jìn)一步說(shuō)就是太陽(yáng)能電池效率和安裝地的綜合氣候條件有關(guān)系。2)電池的材料。不同的材料對(duì)光的吸收系數(shù)不同,禁帶寬度也不同,量子效率自然也不同,電池效率自然也不同了。一般來(lái)說(shuō),單晶硅/多晶硅對(duì)光的系數(shù)系數(shù)遠(yuǎn)小于非晶硅的,所以非晶硅太陽(yáng)能電池厚度**有單晶硅/多晶硅厚度的百分之一即可較好的吸收太陽(yáng)光。另外理論上講GaAs太陽(yáng)能電池的極限效率要大于其他太陽(yáng)能電池的極限效率,因?yàn)镚aAs太陽(yáng)電池的禁帶寬度在1.4ev,和地面太陽(yáng)光光譜能量的**值**為接近。3)工藝水平。不同的工藝水平,電池的效率自然也不同,看看各個(gè)廠子就很明白了,為什么原材料幾乎都一樣,做出來(lái)的電池效率卻差別很大,原因就在這。工藝水平自然和設(shè)備水平有著重要的關(guān)系,一般來(lái)說(shuō)設(shè)備越是先進(jìn)工藝就越***,電池效率就越高(工藝是設(shè)備的產(chǎn)物,沒(méi)有設(shè)備工藝無(wú)法實(shí)現(xiàn),都是空想)。典型的例子就是SiN:H減反膜以及倒金字塔結(jié)構(gòu),一塊電池如果不采用這兩種工藝,效率差別會(huì)很**概8%左右)。
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