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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:廣東CVD管式爐廠家,爐
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PECVD管式爐的具體工藝流程?硅烷與氨氣反應(yīng)生成SiN淀積在硅片表面形成減反射膜。利用高頻電源輝光放電產(chǎn)生等離子體對(duì)化學(xué)氣相沉積過(guò)程施加影響的技術(shù)。由于等離子體存在,廣東CVD管式爐廠家,促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離,促進(jìn)反應(yīng)活性基團(tuán)的生成,從而降低沉積溫度。PECVD在200℃~500℃范圍內(nèi)成膜,遠(yuǎn)小于其它CVD在700℃~950℃范圍內(nèi)成膜。反應(yīng)過(guò)程中有大量的氫離子注入到硅片中,使硅片中懸掛鍵飽和、缺陷失去活性,達(dá)到表面鈍化和體鈍化的目的。 馬弗爐煤質(zhì)分析用于測(cè)定水分、灰分、揮發(fā)分,廣東CVD管式爐廠家,廣東CVD管式爐廠家、灰熔點(diǎn)分析、灰成分分析、元素分析。廣東CVD管式爐廠家
箱式爐的安全操作:1、清理爐內(nèi)鐵屑,清掃爐底板,以免鐵屑落于電阻絲上造成短路損壞。2、入箱式爐的工件應(yīng)不超過(guò)爐底板.大載荷量,裝卸工件時(shí)應(yīng)確保電源斷開(kāi)的情況下進(jìn)行。3、汪意檢查熱電偶安裝位置。熱電偶插入爐內(nèi)后,應(yīng)保證不與工件相碰。4、根據(jù)工件的圖紙要求,試驗(yàn)箱式爐,確定合理的工藝范圍。按時(shí)升溫,保證出爐操作,經(jīng)常檢查儀表溫度并進(jìn)行校準(zhǔn),防止誤操作。5、為保證爐溫,不能隨便打開(kāi)箱式爐爐門(mén),檢查爐內(nèi)情況應(yīng)從爐門(mén)孔中觀察。6、冷卻劑應(yīng)放置于就近方便的位置,減少工件出爐后降溫。7、出爐時(shí)應(yīng)工位正確,夾持穩(wěn)固,防止熾熱工件傷害人體。8、箱式爐檢修后,必須按規(guī)定進(jìn)行烘烤,并檢查爐堂及頂部保溫粉是否填滿(mǎn),接地是否與爐殼緊固。 廣東CVD管式爐廠家CVD管式爐使用或長(zhǎng)時(shí)間不用后,要在120℃左右烘烤1小時(shí)。
CVD管式爐使用注意事項(xiàng):1.冷爐使用時(shí),由于管式爐膛是冷的,須大量吸熱,所以低溫段升溫速率不易過(guò)快,各溫度段的升溫速率差別不易太大,設(shè)置升溫速率時(shí)應(yīng)充分考慮所燒結(jié)材料的物理化學(xué)性質(zhì),以免出現(xiàn)噴料現(xiàn)象,污染爐管。2.定期檢查溫度控制系統(tǒng)的電器連接部分的接觸是否良好,應(yīng)特別注意加熱元件的各連接點(diǎn)的連接是否緊固。,要在120℃左右烘烤1小時(shí),在300℃左右烘烤2小時(shí)后使用,以免造成爐膛開(kāi)裂。爐溫盡量不要超過(guò)額定溫度,以免損壞加熱元件及爐襯。禁止向爐膛內(nèi)直接灌注各種液體及溶解金屬,保持爐內(nèi)的清潔。4.爐膛若采用石英管,當(dāng)溫度高于1000℃時(shí),石英管的高溫部分會(huì)出現(xiàn)不透明現(xiàn)象,這叫失透是連熔石英管的一個(gè)固有缺陷,屬正常現(xiàn)象。
pecvd管式爐煙囪和煙道:其作用是將爐膛的煙氣排入大氣中,cvd管式爐,內(nèi)部均用耐火和保溫材料襯里。為調(diào)節(jié)煙氣排除速度,還裝有可活動(dòng)擋板。煙氣流動(dòng)為上抽式的加熱爐煙囪安裝在對(duì)流室上部;煙氣流動(dòng)為下行式的加熱爐,煙囪安裝在爐側(cè),并設(shè)有煙道。吹灰器:其主要作用是防止積灰,管式爐膛,盡量保持爐管表面始終干凈,pecvd管式爐,用以強(qiáng)化對(duì)流管的對(duì)流傳熱,管式爐,提高爐的熱效率。煉廠應(yīng)用的吹灰器有自動(dòng)伸縮式和固定旋轉(zhuǎn)式兩種。 立式爐是真空爐的一種,是在在真空環(huán)境中加熱的一種設(shè)備。
CVD管式爐1.按溫度高低的來(lái)分可分為:RGF1800型,RGF1700型,RGF1600型,RGF1500型,RGF1400型,RGF1300型,RGF1200型,RGF1100型,RGF1000型,RGF900型,RGF800型等。2.按爐型大小來(lái)分可分為:RGF大型管式氣氛爐,RGF中型管式氣氛爐,RGF小型管式氣氛爐,RGF微型管式氣氛爐等。3.按控溫精度來(lái)分可分為:RGF精細(xì)智能一體式管式氣氛爐,RGF精細(xì)式管式氣氛爐,RGF標(biāo)準(zhǔn)式管式氣氛爐等。4.按管式氣氛爐材質(zhì)分為:RGF氧化鋁管式氣氛爐,RGF剛玉管式氣氛爐,RGF石英管式氣氛爐,RGF氮化硅管式氣氛爐,RGF氮化硼管式氣氛爐等。 爐子初次使用或長(zhǎng)時(shí)間不用后,要在 120℃左右烘烤 1 小時(shí),在 300℃左右烘烤 2 小時(shí)后使用。北京馬氟爐高校**
爐子的爐溫不得超過(guò)額定溫度,以免損壞加熱元件及爐襯。廣東CVD管式爐廠家
PECVD工作原理是什么?PECVD技術(shù)是在低氣壓下,利用低bai溫等離子體在工藝腔體的陰極du上(即zhi樣品放置的托盤(pán))產(chǎn)生輝光放電,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的工藝氣體,這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),較終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。其工藝原理示意圖如圖1所示。在反應(yīng)過(guò)程中,反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔,逐漸擴(kuò)散至樣品表面,在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長(zhǎng)成島狀物,島狀物繼續(xù)生長(zhǎng)成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出。 廣東CVD管式爐廠家
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