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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:遼寧柔性太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)
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多晶硅(p-Si)
熔融硅在順控條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來(lái),就結(jié)晶成多晶硅。
結(jié)晶后的多晶硅經(jīng)開方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片
多晶硅片的表觀為深藍(lán)色的方片
單晶硅(c-Si)
以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種(籽晶)上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向(晶向)周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。
單晶硅棒經(jīng)截?cái)?,遼寧柔性太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)、取方、切片后得到的成品硅片即為單晶硅片
單晶硅片表觀為金屬灰色的準(zhǔn)方片
單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可,遼寧柔性太陽(yáng)能電池片生產(chǎn),但價(jià)格較高,遼寧柔性太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)。多晶硅電池價(jià)格相對(duì)較低轉(zhuǎn)換效率也相對(duì)低些。但多晶硅片的產(chǎn)量、規(guī)模較單晶硅易擴(kuò)大。
三、擴(kuò)散制結(jié)
太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換,而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的**設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi),在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?,通過(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng),得到磷原子。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間,磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層,并且通過(guò)硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散,形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面,也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽(yáng)電池生產(chǎn)**基本也是**關(guān)鍵的工序。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成,才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處,這樣就形成了電流,用導(dǎo)線將電流引出,就是直流電。
六、鍍減反射膜
拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下,使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理,可以使光的反射大為減少,電池的短路電流和輸出就有很大增加,效率也有相當(dāng)?shù)奶岣摺?
文章來(lái)源地址: http://www.cdcfah.com/cp/330940.html
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