太陽能電池片加工中的摻雜與擴散原理的原理：

半導(dǎo)體的摻雜擴散，主要是依靠了離子從高濃度像低濃度區(qū)域擴散的原理。在太陽能的硅片中，把雜質(zhì)原子的氣相源靠近硅片，北京焊帶太陽能電池片廠家，加熱后，使其慢慢擴散，北京焊帶太陽能電池片廠家，雜質(zhì)原子會慢慢的深入硅片中，濃度從硅片邊緣到內(nèi)部是逐漸降低的，北京焊帶太陽能電池片廠家。

半導(dǎo)體中的摻雜是指在半導(dǎo)體硅中摻入磷或鎵可以得n型或p型半導(dǎo)體材料，由此制出各式各樣的半導(dǎo)體器件。在一些無機固體化合物中摻入不同的金屬離子，可以得到不同性質(zhì)的發(fā)光材料，如氧化釔(III)中摻入銪(III)離子可以得到發(fā)紅光的熒光材料。

二、表面制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴散制結(jié)。

五、等離子刻蝕

  由于在擴散過程中，即使采用背靠背擴散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地擴散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團?；钚苑磻?yīng)基團由于擴散或者在電場作用下到達SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。

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