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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:柱式壓力傳感器價(jià)格對比
***更新:2020-05-26 22:46:15
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根據(jù)其應(yīng)變要求,柱式壓力傳感器價(jià)格對比,目前,大約有近千種產(chǎn)品。一般,基材采用高分子薄膜材料,柱式壓力傳感器價(jià)格對比,應(yīng)變材質(zhì)為高純度康銅。基材上的康銅通過光學(xué)處理后刻蝕不同感應(yīng)形變的電阻柵絲。因此,電阻應(yīng)變片的品質(zhì)不僅與基材材質(zhì)和復(fù)合的金屬純度有關(guān),而且與復(fù)合工藝、刻蝕技術(shù)及工藝、刻蝕化學(xué)材料及后處理工藝和材料等等因素相關(guān)。貼片粘合劑的材質(zhì)電阻應(yīng)變片貼片用粘合劑主要采用雙組分高分子環(huán)氧系列粘合劑,高分子化學(xué)產(chǎn)品的性能與各個(gè)組分的物理及化學(xué)指標(biāo)密切相關(guān),如純度、分子鏈的結(jié)構(gòu)和大小、儲存時(shí)間、組分的配比、分子改性、混合方式、混合熟化使用時(shí)間、固化時(shí)間、固化溫度,柱式壓力傳感器價(jià)格對比、助劑及百分比等因素。密封膠的材質(zhì)在焊接技術(shù)及設(shè)備不充分的測力傳感器初期階段,均采用**硅橡膠密封膠系列。硅橡膠具有長期化學(xué)穩(wěn)定性,因此,防腐、防潮、耐老化、絕緣等各項(xiàng)性能優(yōu)異,長期以來一直是所有密封膠的優(yōu)先產(chǎn)品。測力傳感器的導(dǎo)線材質(zhì)導(dǎo)線依然是測力傳感器組成的一部分,測力傳感器導(dǎo)線的金屬材質(zhì),由于家庭電器的電線使用,質(zhì)量差異都有切身體會。畢竟導(dǎo)線是橋路供電、信號輸出、長線激勵(lì)電壓補(bǔ)償?shù)耐?,鍍銀線肯定比銅線傳導(dǎo)效果好,銅線肯定比鋁線傳導(dǎo)效果好,其作用不言而喻。隨著。
減少殘余應(yīng)力的影響。4、電阻應(yīng)變計(jì)與應(yīng)變粘結(jié)劑電阻應(yīng)變計(jì)應(yīng)具有比較好性能,要求靈敏系數(shù)穩(wěn)定性好,熱輸出小,機(jī)械滯后和蠕變小,應(yīng)變量為1000×10-6時(shí)疲勞壽命可達(dá)108,電阻值偏差小,批次質(zhì)量均一性好等。應(yīng)變粘結(jié)劑應(yīng)具有粘結(jié)強(qiáng)度大,抗剪強(qiáng)度高;彈性模量較大且穩(wěn)定;電絕緣性能好;具有與彈性元件相同或相近的熱膨脹系數(shù);蠕變和滯后小;固化時(shí)膠層體積收縮小等。粘貼電阻應(yīng)變計(jì)時(shí)一定要嚴(yán)格控制膠層厚度,因?yàn)檎辰Y(jié)強(qiáng)度隨膠層厚度的增加而降低。這是由于薄的膠層需要更大的應(yīng)力才能變形,不易產(chǎn)生流動和蠕變,界面上的內(nèi)應(yīng)力很小,產(chǎn)生氣泡和缺點(diǎn)的幾率也比較小,應(yīng)變傳遞性能好,只要防護(hù)密封合理就可達(dá)到較高的穩(wěn)定性水平。5、制造工藝流程應(yīng)變式測力傳感器的工作原理和總體結(jié)構(gòu)決定了,在生產(chǎn)工藝流程中有些工序必須手工操作,人為的因素對測力傳感器的質(zhì)量影響較大。因此必須制訂科學(xué)合理并可重復(fù)的制造工藝流程,并在其中增加電子計(jì)算機(jī)控制的自動化或半自動化工序,盡量減少人為因素對產(chǎn)品質(zhì)量的影響。6、電路補(bǔ)償與調(diào)整應(yīng)變式測力傳感器屬于裝配制造,貼片組橋后就形成了產(chǎn)品,由于內(nèi)部不可避免的產(chǎn)生一些缺點(diǎn)和外界環(huán)境條件的影響。
完成p-光刻注入。其中,在完成p-光刻注入的si襯底正面進(jìn)行n+光刻注入;在完成p-光刻注入的si襯底正面光刻n+隔離區(qū)圖形,注入p離子形成n+隔離區(qū),去除n+隔離區(qū)上的光刻膠,完成n+光刻注入。其中,在完成n+光刻注入的si襯底正面進(jìn)行p+光刻注入,包括:在完成n+光刻注入的si襯底正面光刻p+低阻區(qū)圖形,注入b離子形成p+低阻區(qū),再去除p+低阻區(qū)上的光刻膠,完成p+光刻注入。上述方案中,對注入摻雜后的si襯底進(jìn)行金屬布線,包括:對去除氧化層的si襯底進(jìn)行介質(zhì)層淀積,然后在介質(zhì)層上光刻接觸孔圖形并刻蝕接觸孔;在介質(zhì)層上金屬布線,蒸發(fā)淀積一層al,之后光刻金屬布線圖形,刻蝕al,去除光刻膠;對刻蝕al后的si襯底正面淀積鈍化層,然后光刻打線孔圖形并刻蝕出打線孔,去除光刻膠;用有機(jī)溶液對si襯底進(jìn)行泡洗并合金使金屬與低阻區(qū)形成歐姆接觸。上述方案中,對完成金屬布線后的si襯底進(jìn)行背面光刻刻蝕,得到感壓膜片,包括:對si襯底的背面光刻,依次法刻蝕背面sin、sio2,刻蝕掉背面保護(hù)層中間準(zhǔn)備刻蝕背腔的部分,留兩側(cè)背面保護(hù)層作為之后干法刻蝕的掩膜;以背面兩側(cè)的保護(hù)層作為掩膜,刻蝕si襯底的背腔,刻蝕后膜片圖形為方形或圓形。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/49420.html
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