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詳細說明
多晶硅薄膜太陽能電池
通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350~450μm的高質(zhì)量硅片上制成的,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料,北京太陽能電池片,人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生長的硅膜晶粒大小,未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜,人們一直沒有停止過研究,并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法,包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝。此外,液相外延法(LPPE)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池?;瘜W(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2,北京太陽能電池片,北京太陽能電池片、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上,襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 太陽能電池片連接問題!北京太陽能電池片
多晶硅(p-Si)
熔融硅在順控條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
結(jié)晶后的多晶硅經(jīng)開方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片
多晶硅片的表觀為深藍色的方片
單晶硅(c-Si)
以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種(籽晶)上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向(晶向)周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。
單晶硅棒經(jīng)截斷、取方、切片后得到的成品硅片即為單晶硅片
單晶硅片表觀為金屬灰色的準方片
單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可,但價格較高。多晶硅電池價格相對較低轉(zhuǎn)換效率也相對低些。但多晶硅片的產(chǎn)量、規(guī)模較單晶硅易擴大。 北京太陽能電池片硅片和太陽能電池片有什么區(qū)別?
太陽能電池片加工中的摻雜與擴散原理的原理:
半導(dǎo)體的摻雜擴散,主要是依靠了離子從高濃度像低濃度區(qū)域擴散的原理。在太陽能的硅片中,把雜質(zhì)原子的氣相源靠近硅片,加熱后,使其慢慢擴散,雜質(zhì)原子會慢慢的深入硅片中,濃度從硅片邊緣到內(nèi)部是逐漸降低的。
半導(dǎo)體中的摻雜是指在半導(dǎo)體硅中摻入磷或鎵可以得n型或p型半導(dǎo)體材料,由此制出各式各樣的半導(dǎo)體器件。在一些無機固體化合物中摻入不同的金屬離子,可以得到不同性質(zhì)的發(fā)光材料,如氧化釔(III)中摻入銪(III)離子可以得到發(fā)紅光的熒光材料。
太陽電池的主柵是不確定數(shù)目的,這都是隨時代而變換的,以前是兩主柵,后面有三主柵,還有五主柵,其實也有研究過無主柵的,主柵的主要作用與細柵類似,都是收集載流子,但是呢,主柵的數(shù)量及寬度是要追求一個比較好化的,既要滿足足夠多和粗來講全部的有效載流子收集起來,又要盡可能的少和細來盡量減少對太陽光的阻擋作用。因此需要在這之間找一個平衡。因為背面不涉及到采光問題(普通電池),所以一般設(shè)計成全鋁背場,但是也得要載流子導(dǎo)出來啊,所以會有背銀的存在,全鋁背場和背銀都是背電極。主柵和背面的背銀都是為了焊接用的,你看到的封裝好的電池,前面的主柵上是焊了一條焊帶的,背面也是,背銀的作用就是為焊帶焊接導(dǎo)出載流子而用的,需要注意的是細柵和主柵是絲網(wǎng)印刷印上去的,而你看到封裝好的電池的主柵上覆蓋了一層焊帶,這是焊上去的。至于你說的正極負極,這跟柵線的數(shù)目沒有關(guān)系,這主要與電池片的類型有關(guān),P型電池片的正極是背電極,前電極(主柵細柵)就是負極。太陽能電池片并聯(lián)電阻是多少?
1、 什么是太陽能電池
答: 太陽能電池是基于半導(dǎo)體的光伏效應(yīng)將太陽輻射直接轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。現(xiàn)在商品化的太陽能電池主要有以下幾種類型:單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、非晶硅太陽能電池,目前還有碲華鎘電池、銅銦硒電池、納米氧化鈦敏化電池、多晶硅薄膜太陽能電池及有機太陽能電池等。
晶體硅(單晶、多晶)太陽能電池需要高純度的硅原料,一般要求純度至少是99.99998%,也就是一千萬個硅原子中**多允許2個雜質(zhì)原子存在。硅材料是用二氧化硅(SiO2,也就是我們所熟悉的沙子)作為原料,將其熔化并除去雜質(zhì)就可制取粗級硅。從二氧化硅到太陽能電池片,涉及多個生產(chǎn)工藝和過程,一般大致分為:二氧化硅—>冶金級硅—>高純?nèi)葰涔琛?高純度多晶硅—>單晶硅棒或多晶硅錠—>硅片—>太陽能電池片。 太陽能電池板能做的**小尺寸?吉林雙晶太陽能電池片結(jié)構(gòu)
太陽能電池的主要參數(shù)是什么?北京太陽能電池片
二、表面制絨
單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液,可用的堿有氫氧化鈉,氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅,腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面,還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑,以加快硅的腐蝕。制備絨面前,硅片須先進行初步表面腐蝕,用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25μm,在腐蝕絨面后,進行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過表面準備的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,應(yīng)盡快擴散制結(jié)。 北京太陽能電池片
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