太陽能電池片加工中的摻雜與擴(kuò)散原理的原理：

半導(dǎo)體的摻雜擴(kuò)散，主要是依靠了離子從高濃度像低濃度區(qū)域擴(kuò)散的原理。在太陽能的硅片中，把雜質(zhì)原子的氣相源靠近硅片，加熱后，使其慢慢擴(kuò)散，雜質(zhì)原子會慢慢的深入硅片中，濃度從硅片邊緣到內(nèi)部是逐漸降低的。

半導(dǎo)體中的摻雜是指在半導(dǎo)體硅中摻入磷或鎵可以得n型或p型半導(dǎo)體材料，遼寧硅太陽能電池片的尺寸，由此制出各式各樣的半導(dǎo)體器件，遼寧硅太陽能電池片的尺寸。在一些無機(jī)固體化合物中摻入不同的金屬離子，遼寧硅太陽能電池片的尺寸，可以得到不同性質(zhì)的發(fā)光材料，如氧化釔(III)中摻入銪(III)離子可以得到發(fā)紅光的熒光材料。 太陽能電池片PE工序有輻射嗎？遼寧硅太陽能電池片的尺寸

多晶硅薄膜太陽能電池

通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長的硅膜晶粒大小，未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池?；瘜W(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 安徽柔性太陽能電池片的尺寸太陽能電池片背面鍍的是什么？

1、開路電壓

（1）、開路電壓UOC：即將太陽能電池置于AM1.5光譜條件、100 mW/cm2的光源強(qiáng)度照射下，在兩端開路時，太陽能電池的輸出電壓值。

2、短路電流

（1）、短路電流ISC：就是將太陽能電池置于AM1.5光譜條件、100 mW/cm2的光源強(qiáng)度照射下，在輸出端短路時，流過太陽能電池兩端的電流值。

3、比較大輸出功率

（1）、太陽能電池的工作電壓和電流是隨負(fù)載電阻而變化的，將不同阻值所對應(yīng)的工作電壓和電流值做成曲線就得到太陽能電池的伏安特性曲線。

（2）、如果選擇的負(fù)載電阻值能使輸出電壓和電流的乘積比較大，即可獲得比較大輸出功率，用符號Pm表示。此時的工作電壓和工作電流稱為比較好工作電壓和比較好工作電流，分別用符號Um和Im表示。

太陽能電池片虛焊、過焊原因與影響

1.焊接溫度過多或助焊劑涂抹過少或速度過快會導(dǎo)致虛焊 2.焊接溫度過高或焊接時間過長會導(dǎo)致過焊現(xiàn)象.

對太陽能組件的影響： 1.虛焊在短時間出現(xiàn)焊帶與電池片脫層，影響組件功率衰減或失效, 2.過焊導(dǎo)致電池片內(nèi)部電極被損壞，直接影響組件功率衰減降低組件壽命或造成報廢 預(yù)防措施： 1.確保焊接機(jī)溫度、助焊劑噴射量和焊接時間的參數(shù)設(shè)定. 并要定期檢查, 2.返修區(qū)域要確保烙鐵的溫度、焊接時間和使用正確的助焊筆涂抹助焊劑. 3.加強(qiáng)EL檢驗(yàn)力度，避免不良漏失下一工序 太陽能電池板是將太陽能直接轉(zhuǎn)化為電能嗎？

太陽能電池片的A規(guī)和B規(guī)的主要分標(biāo)準(zhǔn)是從外觀和機(jī)械性能等各個參數(shù)來說的:

外觀分;色差:A 只允許有同種顏色 B 允許有兩種相近色,(藍(lán)或深藍(lán),淡藍(lán))

漏漿,A 不允許 B ≤3㎡

臟污,A ≤3㎡ B ≤9㎡

結(jié)點(diǎn);水印;主柵線缺損,多印;背電極缺損,多印;背電場左右偏移,多印,缺損;鋁刺;V型缺口;缺角;等.A級是優(yōu)品,B為合格品.

另外A規(guī)為***片≥15.75% 單晶

≥15.5% 多晶

以15.75為例,單晶的A規(guī)的價格應(yīng)該是30-50/W之間

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太陽能電池板內(nèi)部構(gòu)造.遼寧硅太陽能電池片的尺寸

中國光電發(fā)展技術(shù)中心的陳哲良采用液相外延法在冶金級硅片上生長出硅晶粒，并設(shè)計了一種類似于晶體硅薄膜太陽能電池的新型太陽能電池，稱之為“硅?！碧柲茈姵?，但有關(guān)性能方面的報道還未見到。多晶硅薄膜電池由于所使用的硅遠(yuǎn)較單晶硅少，又無效率衰退問題，并且有可能在廉價襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池，因此，多晶硅薄膜電池不久將會在太陽能電地市場上占據(jù)主導(dǎo)地位。

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