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江蘇離型膜相位差測量儀技術(shù)指導(dǎo) 蘇州千宇光學(xué)科技供應(yīng)
相位差測試儀測試小科普： 1.Q：軸角度是吸收軸角度嗎？ A：否。①吸收軸角度，是指透過光線在某一方向呈現(xiàn)吸收狀態(tài)（透光率比較低）...
[功率測量儀表]2020-09-14 00:14:45
廣州鋰電池測試工具 客戶至上 深圳信瑞新能源科技供應(yīng)
市面上生產(chǎn)規(guī)模大的電池測試儀制造商多年為不同行業(yè)輸送了萬千質(zhì)量合格的儀器產(chǎn)品。這些在多方面擁有優(yōu)勢的電池測試儀被人們所認(rèn)識(shí)和信賴。那么從選擇方的角度來說在選購電...
[電池測試儀]2020-09-13 16:07:48
成都lcr電橋維修 客戶至上 展榮新精密電子供應(yīng)
在我們的生活中電氣行業(yè)到處可見，隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，電氣行業(yè)的發(fā)展越來越快，電子產(chǎn)品部件也成為比較重要的部件之一。 其中數(shù)字橋已成為工業(yè)生產(chǎn)活動(dòng)不可或缺的設(shè)備。 但...
[電橋]2020-09-13 16:05:46
湖南高頻lcr數(shù)字電橋 **** 展榮新精密電子供應(yīng)
LCR測試儀測試原理：Vx與Vr均是矢量電壓表，Rr是理想電阻。LCR測試儀自平衡電橋的意思是：當(dāng)DUT(Device Under Test)接入電路時(shí)，放大器...
[電橋]2020-09-13 16:05:46
江蘇先進(jìn)相位差測量儀質(zhì)量保證 蘇州千宇光學(xué)科技供應(yīng)
相位常應(yīng)用在科學(xué)領(lǐng)域，如數(shù)學(xué)、物理學(xué)等。例如：在函數(shù)y=Acos(ωx+φ)中，ωx+φ稱為相位。在astrolog32中點(diǎn)擊ALTIFT+A可以顯示相位設(shè)定菜...
[功率測量儀表]2020-09-13 16:03:33
無人機(jī)電池測試哪里有賣 歡迎來電 深圳信瑞新能源科技供應(yīng)
電池測試儀的守則：1.?勿讓電源插座過載或擴(kuò)長電源線，否則造成起火或電擊。?2，無人機(jī)電池測試哪里有賣.?作為附加保護(hù)作用，不使用時(shí)請(qǐng)將電源關(guān)閉；停電或長時(shí)間不...
[電池測試儀]2020-09-13 15:08:59
安徽電池內(nèi)阻測試儀 客戶至上 深圳信瑞新能源科技供應(yīng)
電池測試儀測量手機(jī)電池：手機(jī)在不同的工作狀態(tài)下，耗電的大小不一樣，例如在待機(jī)和通話兩種狀態(tài)的電流消耗相差將近10倍。那么，手機(jī)在待機(jī)中若有來電呼入或撥出，安徽電...
[電池測試儀]2020-09-13 15:08:59
lcr檢測儀 服務(wù)為先 展榮新精密電子供應(yīng)
用LCR測試儀來測量零部件的參數(shù)時(shí)，其關(guān)鍵問題在于測量誤差。首先是LCR測試儀本身的內(nèi)部誤差，還存在各種各樣的原因，而與試樣的連接所引起的誤差，就是其中之一。由...
[電橋]2020-09-13 15:06:32
安微手持lcr電橋 貼心服務(wù) 展榮新精密電子供應(yīng)
LCR測試儀一般用于測試電感和電容。測量步驟如下：1、設(shè)置測試頻率，2、測試電壓或者電流水平，3、選擇測試參數(shù)，比如Z、Q、LS（串聯(lián)電感）、LP（并聯(lián)電感）、...
[電橋]2020-09-13 15:06:32
深圳lcr數(shù)字電橋推薦 誠信經(jīng)營 展榮新精密電子供應(yīng)
使用LCR數(shù)字電橋的LOCK鍵需要了解什么？按動(dòng)LOCK按鍵，深圳lcr數(shù)字電橋推薦，可使電橋喪失自動(dòng)量程選擇功能，并將量程鎖定在按動(dòng)LOCK鍵時(shí)的某一狀態(tài)上，...
[電橋]2020-09-13 15:06:32
安微lcr數(shù)字電橋購買 歡迎來電 展榮新精密電子供應(yīng)
測試電容器漏電流時(shí),測試時(shí)間如何設(shè)定?生產(chǎn)線上幾乎不可能按標(biāo)準(zhǔn)的1分鐘來設(shè)定測試時(shí)間,一般是用抬高漏電流的設(shè)定值來相應(yīng)縮短測試時(shí)間,具體的比例關(guān)系由各企業(yè)根據(jù)自...
[電橋]2020-09-13 14:05:53
上海電橋lcr系統(tǒng) 歡迎咨詢 展榮新精密電子供應(yīng)
半導(dǎo)體材料和元件的測量進(jìn)行MOS型半導(dǎo)體制造工藝評(píng)價(jià)時(shí)，需要氧化層電容和襯底雜質(zhì)密度這些參數(shù)，這些可從C－Vdc特性的測量結(jié)果推導(dǎo)出來。通過提供的直流源，結(jié)合各...
[電橋]2020-09-13 14:05:53
