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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:湖北防腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅價(jià)格
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詳細(xì)說明
首先小編還是為大家簡(jiǎn)單普及一下我們將要講到的氮化硅結(jié)合碳化硅材料吧,雖然有些朋友對(duì)這個(gè)氮化硅結(jié)碳化硅比較熟悉了,但還是有簡(jiǎn)單普及一下的必要的,氮化硅結(jié)合碳化硅材料是以SiC和Si為主要組分,并加入添加劑制成試樣,在氮化爐中輸入純度為,在合適的燒成制度下試樣氮化燒結(jié)成為氮化硅結(jié)合碳化硅材料。的研究表明經(jīng)過對(duì)試樣的顯微結(jié)構(gòu)分析和反應(yīng)熱力學(xué)分析,該材料中的Si3N4是以纖維狀和柱狀兩種形態(tài)存在,認(rèn)為Si的氮化是由于N2達(dá)不到的純凈,其中有少量O2存在,裝窯過程是在日常環(huán)境下進(jìn)行,然后再抽真空并注入N2置換,爐內(nèi)呈微正壓狀態(tài)。由于窯爐難以做到完全的封閉,湖北防腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅價(jià)格,湖北防腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅價(jià)格,所以在窯爐升溫過程中Si首先被氧化成為SiO,降低了體系中的氧分壓,當(dāng)氧分壓足夠低時(shí),Si與N2直接形成柱狀Si3N4,氣態(tài)SiO亦可與N2反應(yīng)生成Si3N4,湖北防腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅價(jià)格,這是一個(gè)氣-氣反應(yīng),故生成的Si3N4為纖維狀。氮化反應(yīng)前SiO主要分布于材料孔隙和表面,因此生成的Si3N4分布不均勻,導(dǎo)致了氮化硅結(jié)合碳化硅材料制品從表面到內(nèi)部的結(jié)構(gòu)不均勻。
這樣的一種循環(huán)工藝操作以表象上的準(zhǔn)靜態(tài)、實(shí)質(zhì)上連續(xù)的動(dòng)態(tài)平衡可使氮化反應(yīng)高速進(jìn)行。我們說了幾點(diǎn)有關(guān)氮化硅結(jié)合碳化硅制品氮化燒結(jié)的主要影響因素,簡(jiǎn)單說一下氮化硅結(jié)合碳化硅在氮化燒結(jié)過程是氮化硅及其復(fù)合材料生產(chǎn)的技術(shù)關(guān)鍵,經(jīng)過對(duì)氮化硅生成機(jī)理的研究,我們確定了產(chǎn)品燒成制度中的氮壓控制燒成工藝方法。從上述的機(jī)理表述中我們知道氮化硅生成過程是一個(gè)放熱反應(yīng)過程,如果單純從窯爐的外顯溫度控制,就可能在某一溫度點(diǎn)使硅融化而堵塞向制品深層氮化的通道,加大了由表及里的氮化率梯度,所以我們通過對(duì)窯爐內(nèi)氮?dú)夥謮旱目刂?,來?shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)速度的控制,可以得到制品從外到里氮化率梯度趨近于零的結(jié)果。氮化硅結(jié)合碳化硅制品氮化燒結(jié)的主要影響因素是氮化反應(yīng)的時(shí)間,而兩級(jí)保溫之間的溫度大小和氮化燒結(jié)**終溫度的高低使這兩個(gè)因子對(duì)試樣增重率的影響相對(duì)較大。經(jīng)過我們?cè)囼?yàn)分析對(duì)在氮化硅結(jié)合碳化硅材料的氮化燒結(jié)過程中有以下幾點(diǎn):1.適當(dāng)提高反應(yīng)起始溫度,加速初始氮化反應(yīng),不會(huì)造成“流硅”現(xiàn)象。2.在反應(yīng)中溫區(qū),可適當(dāng)加大兩級(jí)保溫之間的溫差,加速中溫區(qū)的反應(yīng)速率。3.比較高燒成溫度可在較大的范圍內(nèi)波動(dòng),不像液相燒結(jié)陶瓷制品時(shí)那么嚴(yán)格。
氮化硅結(jié)合碳化硅制品的原料混煉成型后在氮化爐中高溫1400℃左右進(jìn)行燒制,**終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能與氮化反應(yīng)的溫度有著緊密關(guān)系。在硅粉與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)的過程中,大致經(jīng)歷兩個(gè)溫度段:首先是升溫階段,然后是原料的氮化反應(yīng)階段。其中升溫階段裝置內(nèi)的溫度由初始溫度升高至1100℃左右,而原料氮化反應(yīng)階段的溫度在1100~1350℃。氮化硅結(jié)合碳化硅的干燥制度影響,干燥工序中溫度和時(shí)間對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量有較大影響。溫度過低或時(shí)間過短,都會(huì)導(dǎo)致胚體中殘留水分,在后續(xù)的氮化反應(yīng)過程中誘發(fā)硅粉的氧化反應(yīng),從而降低氮化反應(yīng)效率,影響產(chǎn)品質(zhì)量。溫度升高的快慢也會(huì)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量造成影響。溫度升高太快不利于對(duì)高溫環(huán)境進(jìn)行控制,過高的溫度會(huì)造成胚體表面出現(xiàn)裂紋。氮化工序之前的裝窯方式可能對(duì)質(zhì)量造成影響的因素是胚體之間的縫隙間隔。胚體之間應(yīng)留有一定的空間,為氮?dú)獾捻槙碀B透填充提供有利條件,避免出現(xiàn)因裝窯總量過多導(dǎo)致流硅現(xiàn)象。氮化硅結(jié)合碳化硅制品的成型工藝主要有半干法成型和注漿成型兩大類。其中半干法成型因生產(chǎn)效率較高的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用更加普遍。國(guó)內(nèi)主要采用的是注漿法成型,這就要求漿料性能一定要好,決定漿料好壞的因素有很多。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/103727.html
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