碳化硅主要有四大應用領域，即:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應，不能算高新技術產(chǎn)品，而技術含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟。⑴作為磨料，可用來做磨具，如油石、磨頭、砂瓦類等。⑵作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。⑶高純度的單晶，可用于制造半導體、制造碳化硅纖維。主要用途:用于3-12英寸單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等線切割。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。用于半導體、避雷針、電路元件、高溫應用、紫外光偵檢器、結構材料、天文、碟剎、離合器、柴油微粒濾清器、細絲高溫計、陶瓷薄膜、裁切工具、加熱元件、核燃料、珠寶、鋼、護具、觸媒擔體等領域。折疊磨料磨具主要用于制作砂輪、砂紙、砂帶、油石，四川用于測溫氮化硅保護管出口、磨塊、磨頭、研磨膏及光伏產(chǎn)品中單晶硅、多晶硅和電子行業(yè)的壓電晶體等方面的研磨、拋光等。折疊化工折疊"三耐"材料利用碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫，四川用于測溫氮化硅保護管出口，四川用于測溫氮化硅保護管出口、強度、導熱性能良好、抗沖擊等特性，碳化硅一方面可用于各種冶煉爐襯、高溫爐窯構件、碳化硅板、襯板、支撐件、匣缽、碳化硅坩堝等。另一方面可用于有色金屬冶煉工業(yè)的高溫間接加熱材料。

由于碳化硅陶瓷的各種優(yōu)良性能，因此人們非常認可碳化硅陶瓷，所以對碳化硅陶瓷的開發(fā)和研制也是非常多的，下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法。（1）熱壓碳化硅陶瓷雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類與碳化硅中的雜質(zhì)形成液相，通過液相促進燒結；一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。（2）常壓碳化硅陶瓷常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。（3）反應碳化硅陶瓷反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右，通過氣相與C反應生成。

氮化硅制品、氮化硅陶瓷的制備技術在過去幾年發(fā)展很快,制備工藝主要集中在反應燒結法、熱壓燒結法和常壓燒結法、氣壓燒結法等類型.由于制備工藝不同,各類型氮化硅陶瓷具有不同的微觀結構(如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶間形貌以及晶間第二相含量等).因而各項性能差別很大[9].要得到性能優(yōu)良的Si3N4陶瓷材料,首先應制備高質(zhì)量的Si3N4粉末.用不同方法制備的Si3N4粉質(zhì)量不完全相同,這就導致了其在用途上的差異,許多陶瓷材料應用的失敗,往往歸咎于開發(fā)者不了解各種陶瓷粉末之間的差別,對其性質(zhì)認識不足.一般來說,高質(zhì)量的Si3N4粉應具有α相含量高,成均勻,雜質(zhì)少且在陶瓷中分布均勻,粒徑小且粒度分布窄及分散性好等特性.好的Si3N4粉中α相至少應占90%,這是由于Si3N4在燒結過程中,部分α相會轉(zhuǎn)變成β相,而沒有足夠的α相含量,就會降低陶瓷材料的強度.反應燒結法(RS)是采用一般成型法,先將硅粉壓制成所需形狀的生坯,放入氮化爐經(jīng)預氮化(部分氮化)燒結處理,預氮化后的生坯已具有一定的強度,可以進行各種機械加工(如車、刨、銑、鉆).,在硅熔點的溫度以上;將生坯再一次進行完全氮化燒結,得到尺寸變化很小的產(chǎn)品(即生坯燒結后,收縮率很小,線收縮率<。

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