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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:吉林光刻膠電解液桶
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電解液桶內(nèi)充填的氣體,以前**早用的是高純氬氣,因為氬氣不會與任何成分反應(yīng),十分惰性。后來的廠家常用氮氣代替氬氣,其成本就低得多了,問題也不大。雖然氮氣與鋰或碳化鋰會反應(yīng),但在電解液中溶解有限,不太會帶入到電池體系中,其副作用十分有限,因此用氮氣就十分普遍了。一般廠家都會選擇液氮,其水分含量非常低。工作時,在計算機的控制下,噴咀1以一定的壓力噴出連續(xù)且均勻的墨滴3,墨滴3以一定的速度飛行,首先穿過充電槽2,在穿過充電槽2時,墨滴3在計算機的控制下被充電或不被充電;墨滴3穿過充電槽2后繼續(xù)飛行,吉林光刻膠電解液桶,吉林光刻膠電解液桶,穿過負偏轉(zhuǎn)電極板4與正偏轉(zhuǎn)電極板5形成的偏轉(zhuǎn)電場,其中,被充電的墨滴3在飛行穿過負偏轉(zhuǎn)電極板4與正偏轉(zhuǎn)電極板5形成的偏轉(zhuǎn)電場時,飛行軌跡會發(fā)生偏轉(zhuǎn),吉林光刻膠電解液桶,落在噴頭下方以一定的移動速度經(jīng)過的承印物7的表面上(承印物7可以沿正/反方向往復(fù)移動),并且被充電的墨滴3因所帶的電量不同而偏轉(zhuǎn)程度不同,從而可以落在承印物7表面的相應(yīng)位置上,形成特定的圖案,例如圖2所示的大寫字母e;不被充電的墨滴3在飛行穿過負偏轉(zhuǎn)電極板4與正偏轉(zhuǎn)電極板5形成的偏轉(zhuǎn)電場時,飛行軌跡不會發(fā)生偏轉(zhuǎn)。
電解液桶內(nèi)充填的氣體,以前**早用的是高純氬氣,因為氬氣不會與任何成分反應(yīng),十分惰性。后來的廠家常用氮氣代替氬氣,其成本就低得多了,問題也不大。雖然氮氣與鋰或碳化鋰會反應(yīng),但在電解液中溶解有限,不太會帶入到電池體系中,其副作用十分有限,因此用氮氣就十分普遍了。一般廠家都會選擇液氮,其水分含量非常低。Oy、SiO2、Si、SiOxFy、LixSiy等產(chǎn)物,這些產(chǎn)物主要是通過下式所示的反應(yīng)生成。對比Si元素在XPS中的貢獻可以發(fā)現(xiàn),在FEC電解液中Si元素的貢獻為23%,而空白對照組電解液的貢獻*為10%,表明添加FEC的電解液能夠形成更薄的SEI膜。XPS數(shù)據(jù)還進一步確定了添加FEC后Si負極表面中LiF的存在,但是根據(jù)XRD衍射數(shù)據(jù)來看LiF的晶粒尺寸為4nm左右,因此LiF的存在形式不會是我們通常認為的呈現(xiàn)層狀結(jié)構(gòu)分布在SEI膜的**內(nèi)層,而應(yīng)該是呈顆粒狀分布在SEI膜之中。前面我們曾經(jīng)提到由于粘結(jié)劑中含有一些官能團能夠于Si負極發(fā)生作用,改變Si負極的表面特性,從而對SEI膜的形成產(chǎn)生影響,在這里TonyJaumann也對比了CMC/SBR和PAA兩種粘結(jié)劑對于Si負極SEI膜的影響。從下表中我們能夠注意到在PAA粘結(jié)劑中Si元素含量明顯低于CMC/SBR粘結(jié)劑,但是C元素的含量卻明顯增高。
用于在計算機的控制下對噴咀噴出的至少部分墨滴進行充電;噴碼裝置偏轉(zhuǎn)電極位于充電槽下方,通過在極性電極板組件和第二極性電極板組件上施加電壓,從而在極性電極板組件的表面和第二極性電極板組件的第二表面之間的區(qū)域形成促使被充電墨滴的飛行軌跡發(fā)生偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)電場,并且在偏轉(zhuǎn)電場的偏轉(zhuǎn)方向需要補償時,基于所述實時獲取的承印物的移動速度,調(diào)整m塊極性電極板上施加的電壓;回收槽位于偏轉(zhuǎn)電場下方,用于回收未被充電的墨滴。本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明實施例提出的噴碼裝置偏轉(zhuǎn)電極及噴碼裝置,改變了現(xiàn)有的由一塊正電極板和一塊負電極板組成偏轉(zhuǎn)電極的組合模式,通過將其中一塊電極板替換成不改變電極性的兩塊或多塊電極板,或者將兩塊電極板各自替換成不改變電極性的兩塊或多塊電極板的方式,進而能夠通過控制施加到各塊電極板上的電壓來控制偏轉(zhuǎn)電場的偏轉(zhuǎn)方向,而不需要對電極板進行任何機械操控,其中發(fā)生偏轉(zhuǎn)的只是電場方向,而不是電極板本身,通過控制偏轉(zhuǎn)電場的偏轉(zhuǎn)方向不*能夠克服承印物不同移動速度導(dǎo)致的噴印圖案變形,而且能夠克服承印物正反方向(或者稱往返或往復(fù))移動時導(dǎo)致的噴印圖案變形,并且進一步地,對于多噴頭配合噴印的場合中。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/184096.html
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