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多年從事碳化硅系列高溫材料制品研制生產(chǎn)的****。目前自主研發(fā)的主導(dǎo)產(chǎn)品——氮化硅結(jié)合碳化硅復(fù)合高溫材料,采用先進(jìn)的澆注成型和真空燒結(jié)工藝生產(chǎn)的超薄窯具和各種異形制品,以其優(yōu)異的性能已用于陶瓷、冶金、化工、砂輪等行業(yè)。我公司生產(chǎn)的產(chǎn)品主要分為以下幾類(lèi):一,陶瓷行業(yè)所用的窯具;二,熱電偶保護(hù)管,發(fā)熱元件保護(hù)管;三,熱鍍鋅內(nèi)加熱輻射管,鋅堝,浸鋅套;四,鋁合金低壓鑄造及壓鑄行業(yè)所用的升液管,螺旋攪拌器,攪拌棒,流鋁液槽斗等;五,脫硫噴嘴;六,各種形狀的高溫爐管。該產(chǎn)品應(yīng)用于有色金屬行業(yè)性能更加優(yōu)異,如熱電偶保護(hù)管,發(fā)熱體保護(hù)管,升液管,攪拌器及熱鍍鋅內(nèi)加熱輻射管等,不但具有良好的抗熱震、抗氧化性能,而且還具有抗酸堿腐蝕,抗高溫金屬液體沖刷等性能,尤其在鋁液,鋅液,銅液中使用的優(yōu)勢(shì)更加明顯,湖北用于測(cè)溫碳化硅保護(hù)管零售,湖北用于測(cè)溫碳化硅保護(hù)管零售,該產(chǎn)品技術(shù)在國(guó)內(nèi)同類(lèi)產(chǎn)品中處于**地位,湖北用于測(cè)溫碳化硅保護(hù)管零售,是替代進(jìn)口產(chǎn)品的理想選擇。我公司是專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)加工碳化硅系列高溫材料制品的公司,擁有完整、科學(xué)的質(zhì)量管理體系,公司的誠(chéng)信、實(shí)力和產(chǎn)品質(zhì)量皆獲得了業(yè)界的一致認(rèn)可。
是一家集科研、生產(chǎn)于一體的碳化硅及氮化硅制品生產(chǎn)企業(yè),專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)硅碳棒,硅碳管,碳化硅熱電偶保護(hù)管。碳氮結(jié)合氮化硅保護(hù)管等相關(guān)制品!硅碳棒、硅碳管是用高經(jīng)度碳化硅(SIC)為主要原料、經(jīng)高溫(2200℃)再結(jié)晶制成的非金屬電熱元件。使用比較高溫度1550℃,正常使用溫度1400攝氏度,連續(xù)使用壽命可達(dá)3000小時(shí)以上,我國(guó)較早生產(chǎn)于50年代后期。碳化硅及氮化硅熱電偶保護(hù)管,具有:密度高,不透水不透氣,抗氧化,耐高溫,耐堿,耐腐蝕,不宜彎曲,壽命長(zhǎng)等特性,更適用于銅水鋁水之中。碳化硅直棒,碳化硅吊燒棒,可用于陶瓷行業(yè),多次使用,不易變形,可以減少燃料的使用,增大熔爐內(nèi)的空間,減少成本!直徑**小到3毫米!我公司不斷的研發(fā)創(chuàng)新,使硅碳管與硅碳棒的質(zhì)量及使用壽命都有了很大的提高,也開(kāi)發(fā)了很多規(guī)格的產(chǎn)品,滿(mǎn)足了更多科技領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)需要及國(guó)外進(jìn)品設(shè)備的配置。繼而,我公司又引進(jìn)了新的生產(chǎn)技術(shù),又讓我們的產(chǎn)品有了一個(gè)質(zhì)的飛躍,這也促使我們公司更高更快的發(fā)展!我們公司可生產(chǎn)各種碳化硅及氮化硅制品,并可根據(jù)用戶(hù)要求定做不同型號(hào)的產(chǎn)品,工時(shí)短。
碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封裝和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。1.碳化硅高純粉料碳化硅高純粉料是采用PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的原料,其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長(zhǎng)質(zhì)量以及電學(xué)性能。碳化硅粉料有多種合成方式,主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中,固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機(jī)械粉碎法;液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法;氣相法包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導(dǎo)法等。2.單晶襯底單晶襯底是半導(dǎo)體的支撐材料、導(dǎo)電材料和外延生長(zhǎng)基片。生產(chǎn)碳化硅單晶襯底的關(guān)鍵步驟是單晶的生長(zhǎng),也是碳化硅半導(dǎo)體材料應(yīng)用的主要技術(shù)難點(diǎn),是產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)密集型和資金密集型的環(huán)節(jié)。目前,SiC單晶生長(zhǎng)方法有物相傳輸法(PVT法)、液相法(LPE法)、高溫化學(xué)氣相沉積法(HTCVD法)等。3.外延片碳化硅外延片,是指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜(外延層)的碳化硅片。實(shí)際應(yīng)用中,寬禁帶半導(dǎo)體器件幾乎都做在外延層上,碳化硅晶片本身只作為襯底,包括GaN外延層的襯底。目前,碳化硅單晶襯底上的SiC薄膜制備主要有化學(xué)氣相淀積法(CVD)、液相法。
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