需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:山東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:四川耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅零售
***更新:2020-06-28 09:19:27
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當(dāng)前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?機(jī)械及行業(yè)設(shè)備?電熱設(shè)備?熱電偶?四川耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅零售 鄒平奧翔硅碳供應(yīng)
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所在地:山東省
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:四川耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅零售
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詳細(xì)說明
氮化硅結(jié)合碳化硅制品的原料混煉成型后在氮化爐中高溫1400℃左右進(jìn)行燒制,**終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能與氮化反應(yīng)的溫度有著緊密關(guān)系。在硅粉與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)的過程中,大致經(jīng)歷兩個(gè)溫度段:首先是升溫階段,然后是原料的氮化反應(yīng)階段。其中升溫階段裝置內(nèi)的溫度由初始溫度升高至1100℃左右,而原料氮化反應(yīng)階段的溫度在1100~1350℃。氮化硅結(jié)合碳化硅的干燥制度影響,干燥工序中溫度和時(shí)間對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量有較大影響。溫度過低或時(shí)間過短,都會(huì)導(dǎo)致胚體中殘留水分,在后續(xù)的氮化反應(yīng)過程中誘發(fā)硅粉的氧化反應(yīng),從而降低氮化反應(yīng)效率,影響產(chǎn)品質(zhì)量,四川耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅零售。溫度升高的快慢也會(huì)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量造成影響。溫度升高太快不利于對(duì)高溫環(huán)境進(jìn)行控制,過高的溫度會(huì)造成胚體表面出現(xiàn)裂紋。氮化工序之前的裝窯方式可能對(duì)質(zhì)量造成影響的因素是胚體之間的縫隙間隔。胚體之間應(yīng)留有一定的空間,為氮?dú)獾捻槙碀B透填充提供有利條件,避免出現(xiàn)因裝窯總量過多導(dǎo)致流硅現(xiàn)象,四川耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅零售。氮化硅結(jié)合碳化硅制品的成型工藝主要有半干法成型和注漿成型兩大類。其中半干法成型因生產(chǎn)效率較高的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用更加普遍,四川耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅零售。國(guó)內(nèi)主要采用的是注漿法成型,這就要求漿料性能一定要好,決定漿料好壞的因素有很多。
氮化硅結(jié)合碳化硅材料的氮壓控制燒制時(shí)我們的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),根據(jù)進(jìn)氣量推算,當(dāng)爐內(nèi)的總硅量已被氮化80%以上時(shí),溫度就可超過硅的熔點(diǎn),達(dá)到比較高溫度范圍時(shí)可根據(jù)總的耗氮量來決定是否停爐。氮化硅結(jié)合碳化硅復(fù)合材料在氮化燒成時(shí),制品由表及里存在N2和反應(yīng)生成物的濃度梯度,它們的方向相同。氮化硅結(jié)合碳化硅復(fù)合材料在氮化燒成中,爐內(nèi)N2的消耗量與溫度形成一種表面平衡狀態(tài),但實(shí)質(zhì)上是硅被不斷氮化的連續(xù)過程。通過對(duì)窯爐內(nèi)氮分壓的控制來實(shí)施對(duì)窯爐升溫的控制,也就對(duì)氮化反應(yīng)速度實(shí)施了控制,從而避免了燒成中的微觀結(jié)構(gòu)缺點(diǎn),能夠制得由外到里氮化率梯度趨近于零的產(chǎn)品。我廠專業(yè)生產(chǎn)氮化硅結(jié)合碳化硅磚、氮化硅保護(hù)管、碳化硅保護(hù)管等產(chǎn)品,是山東率先生產(chǎn)氮化硅坩堝、氮化硅異型件、硅碳棒保護(hù)管和熱電偶保護(hù)管的廠家。
首先小編還是為大家簡(jiǎn)單普及一下我們將要講到的氮化硅結(jié)合碳化硅材料吧,雖然有些朋友對(duì)這個(gè)氮化硅結(jié)碳化硅比較熟悉了,但還是有簡(jiǎn)單普及一下的必要的,氮化硅結(jié)合碳化硅材料是以SiC和Si為主要組分,并加入添加劑制成試樣,在氮化爐中輸入純度為,在合適的燒成制度下試樣氮化燒結(jié)成為氮化硅結(jié)合碳化硅材料。的研究表明經(jīng)過對(duì)試樣的顯微結(jié)構(gòu)分析和反應(yīng)熱力學(xué)分析,該材料中的Si3N4是以纖維狀和柱狀兩種形態(tài)存在,認(rèn)為Si的氮化是由于N2達(dá)不到的純凈,其中有少量O2存在,裝窯過程是在日常環(huán)境下進(jìn)行,然后再抽真空并注入N2置換,爐內(nèi)呈微正壓狀態(tài)。由于窯爐難以做到完全的封閉,所以在窯爐升溫過程中Si首先被氧化成為SiO,降低了體系中的氧分壓,當(dāng)氧分壓足夠低時(shí),Si與N2直接形成柱狀Si3N4,氣態(tài)SiO亦可與N2反應(yīng)生成Si3N4,這是一個(gè)氣-氣反應(yīng),故生成的Si3N4為纖維狀。氮化反應(yīng)前SiO主要分布于材料孔隙和表面,因此生成的Si3N4分布不均勻,導(dǎo)致了氮化硅結(jié)合碳化硅材料制品從表面到內(nèi)部的結(jié)構(gòu)不均勻。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/421090.html
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