光刻機(jī)的知識(shí)點(diǎn)：一般一個(gè)晶圓廠需要幾臺(tái)光刻機(jī)？并不是每個(gè)晶圓廠都必須配置光刻機(jī)，當(dāng)自身產(chǎn)能不是很大或者生產(chǎn)中耗能太高、產(chǎn)生環(huán)境污染的時(shí)候，這部分的需求可以轉(zhuǎn)移到晶圓代工廠去。美國現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)是，由于高耗能、有污染所以自己不生產(chǎn)，把先前很多工廠轉(zhuǎn)移到了某地。某地由于地域限制，工廠主要集中在新竹，污染、能耗都很大，所以也想把設(shè)備轉(zhuǎn)移到大陸廠商，如中芯國際、臺(tái)積電南京等。一個(gè)12寸廠每月的產(chǎn)能大約是8-9萬片，這已經(jīng)是很高的水平了，上海光柵光刻機(jī)生產(chǎn)廠家，換算到光刻機(jī)的產(chǎn)能大約是每天3000片，實(shí)際中效率可能每小時(shí)110-120片。涂膠的速度是制約光刻機(jī)生產(chǎn)效率的中心因素，涂膠機(jī)目前主要被日本的DNS和TEL壟斷。除了生產(chǎn)線以外，上海光柵光刻機(jī)生產(chǎn)廠家，晶圓廠的研發(fā)部門也需要光刻機(jī)，上海光柵光刻機(jī)生產(chǎn)廠家。光刻機(jī)的曝光：掩模壽命長（可提高10倍以上），圖形缺陷少。上海光柵光刻機(jī)生產(chǎn)廠家

投影式光刻機(jī)一般采用步進(jìn)-掃描式曝光方法。光源并不是一次把整個(gè)掩模上的圖形投影在晶圓上，曝光系統(tǒng)通過一個(gè)狹縫式曝光帶（slit）照射在掩模上，。載有掩模的工件臺(tái)在狹縫下沿著一個(gè)方向移動(dòng)，等價(jià)于曝光系統(tǒng)對(duì)掩模做了掃描。與掩模的掃描同步，晶圓沿相反的方向以1/4的速度移動(dòng)?，F(xiàn)代光刻機(jī)中，掩模掃描的速度可以高達(dá)2400mm/s，對(duì)應(yīng)的晶圓移動(dòng)速度是600mm/s。較高的掃描速度可以縮短曝光時(shí)間，從而提高光刻機(jī)的產(chǎn)能。投影式光刻機(jī)的工作成像原理。曝光掃描結(jié)束后，曝光系統(tǒng)步進(jìn)式移動(dòng)到下一個(gè)位置。步進(jìn)和掃描運(yùn)動(dòng)的示意圖。為了盡量減少晶圓等待曝光時(shí)間，步進(jìn)移動(dòng)一般是按照一個(gè)蛇形路徑進(jìn)行的。完成一次掃描以后，曝光系統(tǒng)并不復(fù)位，而是在下一位置反方向掃描。先進(jìn)光刻機(jī)都是步進(jìn)-掃描的，簡(jiǎn)稱“scanner”。光刻機(jī)的供應(yīng)商主要有荷蘭的ASML，日本的Nikon與Canon。上海芯片光刻機(jī)銷售廠家光刻機(jī)：隨著臺(tái)積電、三星5nm工藝的成熟，3nm成為下一個(gè)工藝的重要節(jié)點(diǎn)。

光刻機(jī)的技術(shù)原理：粒子束光刻。由于光學(xué)光刻受分辨率限制，要得到分辨率更高的圖形只能求助于粒子束光刻，因此有人預(yù)言21世紀(jì)將是粒子束光刻的世紀(jì)。常見的粒子束光刻主要有X射線、電子束和離子束光刻。X射線光刻。X射線光刻技術(shù)是目前國外研究比較熱門的一種粒子束光刻技術(shù)，同光學(xué)曝光相比，X射線有著更短的波長，因此有可能獲得分辨率更高的圖形，目前被認(rèn)為是100nm線條以下半導(dǎo)體器件制造的主要工具。它具有以下優(yōu)點(diǎn)：（1）景深容易控制；（2）視場(chǎng)大（可達(dá)50mm*50mm）；（3）:射線對(duì)光刻工藝中的塵埃不敏感，因此成品率較高。由于X射線的波長很短（通常為0.1~30nm），曝光時(shí)的衍射和散射幾乎可以忽略不計(jì)，因此可得到較高分辨率的圖形。X射線穿透力很強(qiáng)，目前多數(shù)的光學(xué)系統(tǒng)不能對(duì)它進(jìn)行反射或折射，因此多采用接近式曝光。

激光全息光刻機(jī)類別：按照各種絲網(wǎng)印刷機(jī)出現(xiàn)的時(shí)期和技術(shù)水平提高的順序，可分為四代產(chǎn)品。手動(dòng)式絲網(wǎng)印刷機(jī)。一般由鉸鏈支承、承印平臺(tái)和絲網(wǎng)版組成，全部動(dòng)作由手工操作。有一種多臺(tái)位手動(dòng)機(jī)，臺(tái)板和絲網(wǎng)框全都串連在一個(gè)固定的中軸上，臺(tái)板(或網(wǎng)框)可繞中軸旋轉(zhuǎn)，便于進(jìn)行多色套印，稱為旋轉(zhuǎn)式多色手動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)。半自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)。印刷時(shí)的各種動(dòng)作實(shí)現(xiàn)部分自動(dòng)，其余仍為手動(dòng)的絲網(wǎng)印刷機(jī)。一般稱刮墨、勻墨和絲網(wǎng)版框自動(dòng)的為1/4自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)，稱刮墨、勻墨、絲網(wǎng)版框和承印物吸附都自動(dòng)的為1/2自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)。此外，承印物送入也能自動(dòng)的為3/4自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)。還有自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)，絲網(wǎng)印刷聯(lián)動(dòng)機(jī)。光刻機(jī)：在涂膠之前，對(duì)芯片表面進(jìn)行清洗和干燥是必不可少的。

目前光刻機(jī)主要可以分為IC前道制造光刻機(jī)（市場(chǎng)主流）、IC后道先進(jìn)封裝光刻機(jī)、LED/MEMS/PowerDevices制造用光刻機(jī)以及面板光刻機(jī)。其中IC前道光刻機(jī)需求量和價(jià)值量都較高，但是技術(shù)難度較大。而封裝光刻機(jī)對(duì)于光刻的精度要求低于前道光刻要求，面板光刻機(jī)主要用在薄膜晶體管制造中，與IC前道光刻機(jī)相比技術(shù)難度更低。IC前道光刻機(jī)技術(shù)較為復(fù)雜，光刻工藝是IC制造的中心環(huán)節(jié)也是占用時(shí)間比較大的步驟，光刻機(jī)是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本較高的半導(dǎo)體設(shè)備。光刻設(shè)備約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備成本27%，光刻工藝占芯片制造時(shí)間40%-50%。高精度EUV光刻機(jī)的使用將使die和wafer的成本進(jìn)一步減小，但是設(shè)備本身成本也會(huì)增長。光刻機(jī)：接觸/接近式光刻通常采用汞燈產(chǎn)生的365~436nm的紫外波段。上海小型光刻機(jī)

光刻機(jī)的技術(shù)原理：粒子束光刻。上海光柵光刻機(jī)生產(chǎn)廠家

光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的較細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等。2018年11月29日，國家重大科研裝備研制項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”通過驗(yàn)收。該光刻機(jī)由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，光刻分辨力達(dá)到22納米，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來還可用于制造10納米級(jí)別的芯片。上海光柵光刻機(jī)生產(chǎn)廠家

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