光刻機的知識點：1、EUV和DUV的區(qū)別？DUV是深紫外線（DeepUltravioletLithography），EUV是極深紫外線（ExtremeUltravioletLithography）。從制程范圍來看，DUV基本上只能做到25nm，Intel憑借雙工作臺的模式做到了10nm，但是卻無法達到10nm以下。只有EUV能滿足10nm以下的晶圓制造，并且還可以向5nm、3nm繼續(xù)延伸。EUV的價格是1-3億美金/臺，DUV的價格為2000萬-5000萬美金/臺不等，上海芯片光刻機廠家。2、目前EUV技術(shù)是否完全成熟？EUV從2012年開始研究，上海芯片光刻機廠家，到現(xiàn)在已基本成熟。2017年在光源上遇到了困難，設(shè)備需要又快又精確地打進金屬粒子，并且粒子要均勻地濺射出去，速度達到每秒6000下是非常困難的，普通的DUV光源無法實現(xiàn)。目前這個技術(shù)已經(jīng)完全攻克了，上海芯片光刻機廠家。光刻機：由于光學(xué)光刻受分辨率限制，要得到分辨率更高的圖形只能求助于粒子束光刻。上海芯片光刻機廠家

光刻機的性能較好：隨著時代的進步，集成電路科技的進步與發(fā)展，對光刻工藝的精度提出了更高的要求。傳統(tǒng)的光刻工藝難以滿足如此的精度要求。光刻機性能的提高勢在必行。傳統(tǒng)光刻機的投影物鏡多采用全折射式設(shè)計方案，即物鏡全部由旋轉(zhuǎn)對準裝校的透射光學(xué)元件組成。其優(yōu)點是結(jié)構(gòu)相對簡單，易于加工與裝校，局部雜散光較少。為了實現(xiàn)更大的數(shù)值孔徑，近年來設(shè)計者普遍采用折反式設(shè)計方案。折反式投影物鏡由透鏡和反射鏡組成。光刻機已經(jīng)成為較好性能、高對準精度和精密曝光光學(xué)系統(tǒng)的代名詞。上海掃描式光刻機銷售光刻機：同樣能量下，光刻膠對離子的靈敏度也要比電子高數(shù)百倍，因此比電子束更實用于作光刻工具。

光刻機的技術(shù)原理：光刻膠。光刻膠呈現(xiàn)多面化發(fā)展的趨勢，以適應(yīng)不同應(yīng)用的需要，如常規(guī)的UV光刻膠、深紫外光刻膠、X射線光刻膠、電子束光刻膠及用于深度光刻的光刻膠等。但有一個共同的趨勢就是分辨率和靈敏度越來越高。光刻膠分為正膠和負膠，一般認為負膠的分辨率較差，但現(xiàn)在有一些負膠采用堿性顯影液也可復(fù)印出與正膠有相似精度的亞微米圖形而不產(chǎn)生膠的膨脹。而通常正膠比負膠的靈敏度低，所需的曝光量是負膠的若干倍。預(yù)計光刻膠的靈敏度極限約為10uJ/cm2，極限分辨率可達10nm。

光刻的原理和過程一般是這樣的：首先制備出芯片電路圖的掩膜版，然后在硅片上旋涂上光刻膠，利用紫外光源通過掩膜版照射到光刻膠上。經(jīng)過對準曝光后，紫外光照射到區(qū)域的光刻膠會因為化學(xué)效應(yīng)而發(fā)生變性，再通過顯影作用將曝光的光刻膠去除，下一步采用干法刻蝕將芯片電路圖傳遞到硅晶圓上。光刻工藝直接決定了芯片中晶體管的尺寸和性能，是芯片生產(chǎn)中較為關(guān)鍵的過程。光刻機中的曝光光源決定了光刻工藝加工器件的線寬等特征尺寸，當(dāng)前市場主流采用深紫外(DUV，193nm)光源，較先進的是采用極紫外(EUV，13.5nm)光源的的EUV光刻機?，F(xiàn)代光刻工藝一般包含硅晶圓的清洗烘干，光刻膠的旋涂烤膠，對準曝光，顯影，刻蝕以及檢測等多重工序。由于現(xiàn)代芯片的復(fù)雜性，生產(chǎn)過程往往需要經(jīng)過幾十次的光刻，耗時占據(jù)了芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)的一半，光刻成本也達到了生產(chǎn)成本的三分之一。光刻機：目前電子束曝光技術(shù)中的主導(dǎo)加工技術(shù)為圓形電子束和成形電子束曝光。

光刻機的技術(shù)原理：光刻機之紫外光刻。目前占光刻技術(shù)主導(dǎo)地位的仍然是紫外光刻。按波長可分為紫外、深紫外和極紫外光刻。按曝光方式可分為接觸/接近式光刻和投影式光刻。接觸/接近式光刻通常采用汞燈產(chǎn)生的365~436nm的紫外波段，而投影式光刻通常采用準分子激光器產(chǎn)生的深紫外（248nm）和極紫外光（193nm和157nm）。接觸/接近式光刻。接觸/接近式光刻是發(fā)展早，也是常見的曝光方式。它采用1：1方式復(fù)印掩膜版上的圖形，這類光刻機結(jié)構(gòu)簡單，價格便宜，發(fā)展也較成熟，缺點是分辨率不高，通常高可達1um左右。此外由于掩膜版直接和光刻膠接觸，會造成掩膜版的沾污。365~436nm的紫外波段，而投影式光刻通常采用準分子激光器產(chǎn)生的深紫外（248nm）和極紫外光（193nm和157nm）。光刻機：光刻工藝通過曝光的方法將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到涂覆于硅片表面的光刻膠上。上海紫外光刻機銷售廠家

光刻機：通過顯影、刻蝕等工藝將圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。上海芯片光刻機廠家

光刻機一般來說是用激光進行的，也就是在玻璃上刻圖形,大致步驟為：1.清洗玻璃，2.干燥，3.在玻璃上涂覆光致抗蝕劑，4.固化，5.曝光，6.去膠，7.清洗，8.轉(zhuǎn)移。經(jīng)過一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光，越復(fù)雜的芯片，線路圖的層數(shù)越多，也需要更精密的曝光控制過程。光刻機的主要性能指標有：1.支持基片的尺寸范圍，2.分辨率；分辨率是對光刻工藝加工可以達到的較細線條精度的一種描述方式,3.對準精度,4.曝光方式：曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。5.光源波長：曝光光源波長為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準分子激光器等。6.光強均勻性,7.生產(chǎn)效率。光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種：A、手動：指的是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。B、半自動：指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位。C、自動：指的是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。上海芯片光刻機廠家

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