光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體，山東微納加工平臺(tái)、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板，山東微納加工平臺(tái)。據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計(jì)，2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)近90億美元，山東微納加工平臺(tái)，自 2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)未來(lái)3年仍將以年均5%的速度增長(zhǎng)，至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。山東微納加工平臺(tái)

由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過(guò)程中消耗而**作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng)，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，較大加強(qiáng)了光刻的效率。CAR 光刻膠曝光速遞是 DQN 光刻膠的10倍左右。從 90 年代后半期開(kāi)始，光刻光源就開(kāi)始采用 248nm 的 KrF 激光；而從 2000 年代開(kāi)始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm 波長(zhǎng)的 ArF 準(zhǔn)分子激光作為光源。在那之后一直到現(xiàn)在的約 20 年里，193nm 波長(zhǎng)的 ArF 準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能較可靠，使用較普遍的光刻光源。江蘇激光直寫(xiě)光刻電子束曝光的波長(zhǎng)取決于電子能量，電子能量越高，曝光的波長(zhǎng)越短。

雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似，但是其樹(shù)脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化，因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作。此外，這兩種光刻膠均可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開(kāi)始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開(kāi)始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長(zhǎng)更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。

日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么？究其原因，主要是技術(shù)和市場(chǎng)兩大壁壘過(guò)高導(dǎo)致的。首先，光刻膠作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，扮演著極其重要的角色，甚至可以和光刻機(jī)相媲美，但市場(chǎng)規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場(chǎng)的規(guī)模才90億美元，不及一家大型IC設(shè)計(jì)企業(yè)的年?duì)I收，行業(yè)成長(zhǎng)空間有限，自然進(jìn)入的企業(yè)就少。另一方面，光刻膠又是一個(gè)具有極高技術(shù)壁壘的產(chǎn)業(yè)。由于不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。導(dǎo)致光刻膠的種類極其繁雜，必須通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化應(yīng)用需求，這也是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長(zhǎng)有關(guān)。

不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長(zhǎng)較短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此較早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成，即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和光刻涂層。激光器光刻加工廠商

堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力；山東微納加工平臺(tái)

由于**帶動(dòng)全球在線辦公醫(yī)療等相關(guān)領(lǐng)域的拉升，持續(xù)推升了電源管理芯片、CIS影像傳感芯片、面板驅(qū)動(dòng)芯片等需求熱絡(luò)。再加上12寸邏輯IC、存儲(chǔ)器相關(guān)需求穩(wěn)定，晶圓代工需求旺盛，各大企業(yè)相繼出現(xiàn)了產(chǎn)能滿載的現(xiàn)象，甚至晶圓代工的交期被拉長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)較近動(dòng)作頻出的原因，一方面是市場(chǎng)需求上升，另一方面也是自身需求所致。從日本的光刻膠發(fā)家史不難發(fā)現(xiàn)，日本的光刻膠是伴隨著本國(guó)的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)一起崛起的，所以光刻膠必須要有配套產(chǎn)業(yè)的出現(xiàn)才能一步步做起來(lái)。山東微納加工平臺(tái)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所總部位于長(zhǎng)興路363號(hào)，是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司。廣東省半導(dǎo)體所作為面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的企業(yè)之一，為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng)，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。

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