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對(duì)于國(guó)產(chǎn)光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個(gè)月份。9月23日,發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財(cái)政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見》,《意見》提出,加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng),具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,江蘇激光直寫光刻。而在《意見》還未發(fā)布之前,部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動(dòng)了,江蘇激光直寫光刻。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國(guó)產(chǎn)光刻膠之外,還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式,開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè),尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,這已不是什么鮮為人知的信息了,江蘇激光直寫光刻。傳統(tǒng)光刻技術(shù)光刻膠與曝光鏡頭之間的介質(zhì)是空氣,而浸沒式技術(shù)則是將空氣換成液體介質(zhì)。江蘇激光直寫光刻
由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過程中消耗而**作為催化劑而存在,因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng),所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少,較大加強(qiáng)了光刻的效率。CAR 光刻膠曝光速遞是 DQN 光刻膠的10倍左右。從 90 年代后半期開始,光刻光源就開始采用 248nm 的 KrF 激光;而從 2000 年代開始,光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm 波長(zhǎng)的 ArF 準(zhǔn)分子激光作為光源。在那之后一直到現(xiàn)在的約 20 年里,193nm 波長(zhǎng)的 ArF 準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能較可靠,使用較普遍的光刻光源。微納光刻技術(shù)ArF浸沒式兩次曝光技術(shù)已被業(yè)界認(rèn)為是32nm節(jié)點(diǎn)較具競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù);
EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的較新進(jìn)展。由于目前可供利用的光學(xué)材料無法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射,因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV(極紫外光)光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn)。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長(zhǎng)尺度上,量子的不確定性效應(yīng)開始顯現(xiàn),為相應(yīng)光源,光罩和光刻膠的設(shè)計(jì)和使用帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。目前 EUV 光刻機(jī)只有荷蘭 有能力制造,許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知。在即將到來的 EUV 光刻時(shí)代,業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長(zhǎng)達(dá) 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉砀鞣矫婕夹g(shù)變革。
由于電子束直寫光刻曝光效率低,主要用于實(shí)驗(yàn)室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應(yīng)大批量生產(chǎn),如何進(jìn)一步提高曝光速度是個(gè)難題。為了解決電子束光刻的效率問題,通常將其與其他光刻技術(shù)配合使用。例如為解決曝光效率問題,通常采用電子束光刻與光學(xué)光刻進(jìn)行匹配與混合光刻的辦法,即大部分曝光工藝仍然采用現(xiàn)有十分成熟的半導(dǎo)體光學(xué)光刻工藝制備,只有納米尺度的圖形或者工藝層由電子束光刻實(shí)現(xiàn)。在傳統(tǒng)光學(xué)光刻技術(shù)逼近工藝極限的情況下,電子束光刻技術(shù)將有可能出現(xiàn)在與目前193i為表示的光學(xué)曝光技術(shù)及EUV技術(shù)相匹配的混合光刻中,在實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)光刻中起重要的作用。應(yīng)該提到的是電子束曝光技術(shù)是推動(dòng)微電子技術(shù)和微細(xì)加工技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),在微電子、微光學(xué)和微機(jī)械等微系統(tǒng)微細(xì)加工領(lǐng)域有著普遍的應(yīng)用前景,而且除電子束直寫光刻技術(shù)本身以外,幾乎所有的新一代光刻技術(shù)所需要的掩模制作還是離不開電子束曝光技術(shù)。MIT已經(jīng)采用的電子束光刻技術(shù)分辨率將推進(jìn)到9nm。
光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場(chǎng)巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的中心材料。按顯示效果分類;光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩(掩膜版)相反;正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類;光刻膠可以分為光聚合型,光分解型,光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。電子束光刻技術(shù)是利用電子器具所產(chǎn)生的電子束,在涂布有電子抗蝕劑(光刻膠)的基片表面上掃描寫出圖形。微納光刻技術(shù)
實(shí)際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴(kuò)展,這就是所謂的“電子束鄰近效應(yīng)。江蘇激光直寫光刻
要發(fā)展光刻機(jī)并不是那么容易的事情,荷蘭公司目前雖然能夠生產(chǎn)出來更加先進(jìn)的設(shè)備,但是這些設(shè)備也是由不同國(guó)家的中心部件組成。這其中有涉及到美國(guó)的光源,而光源是光刻機(jī)較為重要的中心設(shè)備,還有德國(guó)的鏡片,瑞典的軸承等等,而這些較為關(guān)鍵的設(shè)備,都是禁運(yùn),所以也只能夠慢慢發(fā)展中心部件供應(yīng)商來解決這個(gè)問題。碳基芯片不需要光刻機(jī)那是否還需要光刻膠,對(duì)于這個(gè)問題來說,其實(shí)已經(jīng)是顯而易見的事情,那就是碳基芯片是不需要使用到光刻機(jī)設(shè)備的,因?yàn)檫€需要使用到光刻機(jī),那么就沒有研究碳基芯片的必要性了。江蘇激光直寫光刻
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求。廣東省半導(dǎo)體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁?**的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng),又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng),以敏銳的市場(chǎng)洞察力,實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2169771.html
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