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產品關鍵詞:北京材料刻蝕服務,光刻
***更新:2020-11-29 05:22:31
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詳細說明
光聚合型光刻膠采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物;光分解型光刻膠,采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,其經光照后,北京材料刻蝕服務,發(fā)生光分解反應,可以制成正性光刻膠;光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網狀結構,而起到抗蝕作用,可以制成負性光刻膠。在半導體集成電路光刻技術開始使用深紫外(DUV)光源以后,化學放大(CAR)技術逐漸成為行業(yè)應用的主流,北京材料刻蝕服務,北京材料刻蝕服務。在化學放大光刻膠技術中,樹脂是具有化學基團保護因而難以溶解的聚乙烯?;瘜W放大光刻膠使用光致酸劑(PAG)作為光引發(fā)劑。光刻原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。北京材料刻蝕服務
所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展,這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時,半導體基片上如果有絕緣的介質膜,電子通過它時也會產生一定量的電荷積累,這些積累的電荷同樣會排斥后續(xù)曝光的電子,產生偏移,而不導電的絕緣體(如玻璃片)肯定不能采用電子束曝光。還有空間交變磁場、實驗室溫度變化等都會引起電子束曝光產生“漂移”現(xiàn)象。因此,即使擁有2nm電子束斑的曝 光 系統(tǒng),要曝光出50nm以下的圖形結構也不容易。麻省理工學院(MIT)已經采用的電子束光刻技術分辨率將推進到9nm。電子束直寫光刻可以不需要制造掩模版,比較靈活。北京材料刻蝕服務由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收,所以只能采取反射式的光路。
當KrF光刻膠可以被大規(guī)模商用時,市場卻發(fā)生了極大的變化。在這十年間,全球分工發(fā)生了重大的變化,一方面,美國的制造業(yè)開始出局,尤其是1986年半導體市場大滑坡,使美國光刻機三巨頭遭受重創(chuàng),新產品研發(fā)停滯。對于如今的日本光刻膠企業(yè)來說,沒有了外敵,更多的是內部斗爭,相互搶占市場,搶占下一次先機。從較近各家的動向來看,國產光刻膠項目頻繁上馬,日本的巨頭也在擴大產能,像是大戰(zhàn)拉開序幕的前戲,實則有本質的差別。外國的建廠,本質上是要滿足全球代工企業(yè)與面板產業(yè)的需求。
電子束光刻技術是利用電子器具所產生的電子束,通過電子光柱的各極電磁透鏡聚焦、對中、各種象差的校正、電子束斑調整、電子束流調整、電子束曝光對準標記檢測、電子束偏轉校正、電子掃描場畸變校正等一系列調整,較后通過掃描透鏡根據(jù)電子束曝光程序的安排,在涂布有電子抗蝕劑(光刻膠)的基片表面上掃描寫出所需要的圖形。電子束光刻基本上分兩大類,一類是大生產光掩模版制造的電子束曝光系統(tǒng),另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統(tǒng)。為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節(jié)點上,光刻**一直在尋找新的技術。
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法:濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙(熱板150~250C,1~2分鐘,氮氣保護)目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子);b、除去水蒸氣,使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?,增強表面的黏附性(對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離而影響其它部分的圖形。云南ICP材料刻蝕
光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。北京材料刻蝕服務
光刻根據(jù)不同的檢測控制對象,可以分為以下幾種:a、顆??仄≒article MC):用于芯片上微小顆粒的監(jiān)控,使用前其顆粒數(shù)應小于10顆;b、卡盤顆??仄–huck Particle MC):測試光刻機上的卡盤平坦度的**芯片,其平坦度要求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作為光刻機監(jiān)控焦距監(jiān)控;d、關鍵尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻區(qū)關鍵尺寸穩(wěn)定性的監(jiān)控;e、光刻膠厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻膠厚度測量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻膠缺陷監(jiān)控。舉例:0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm);數(shù)值孔徑NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm;北京材料刻蝕服務
廣東省科學院半導體研究所致力于電子元器件,以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。廣東省半導體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向導,為客戶提供***的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務。廣東省半導體所繼續(xù)堅定不移地走高質量發(fā)展道路,既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長,又要聚焦關鍵領域,實現(xiàn)轉型再突破。廣東省半導體所始終關注電子元器件行業(yè)。滿足市場需求,提高產品價值,是我們前行的力量。
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