光刻分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏軸照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技術PSM_Phase Shift Mask增強）；套刻精度Overlay：65nm；產(chǎn)能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；視場尺寸Field Size：25×32mm；后烘方法：熱板，110～130C,1分鐘，浙江微納光刻。目的：a、減少駐波效應；b、激發(fā)化學增強光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影方法：a、整盒硅片浸沒式顯影（Batch Development）。缺點：顯影液消耗很大；顯影的均勻性差；b、連續(xù)噴霧顯影（Continuous Spray Development）/自動旋轉顯影（Auto-rotation Development），浙江微納光刻，浙江微納光刻。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面，同時硅片低速旋轉（100～500rpm）。提高光刻技術分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮短波長，通常首先采用的方法是縮短波長。浙江微納光刻

通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。在集成電路制造領域，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。NMOS三級管是半導體制程工藝中較常用的集成電路結構之一。靜態(tài)旋轉法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心，然后低速旋轉使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉的過程中，光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關鍵，量少了會導致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會導致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質量。山東光刻廠商為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節(jié)點上，光刻**一直在尋找新的技術。

掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其較大分辨率*為2～4μm。c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類：掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進重復投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。

每顆芯片誕生之初，都要經(jīng)過光刻機的雕刻，精度要達到頭發(fā)絲的千分之一，如今，全世界能夠生產(chǎn)光刻機的國家只有四個，中國成為了其中的一員，實現(xiàn)了從無到有的突破。光刻機又被稱為：掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩模對準光刻，所以它被稱為掩模對準系統(tǒng)。它指的是通過將硅晶片表面上的膠整平，然后將掩模上的圖案轉移到光刻膠，將器件或電路結構暫時“復制”到硅晶片上的過程。它不是簡單的激光器，但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復雜的紫外光源。光刻機是芯片制造的中心設備之一，根據(jù)用途可分為幾類：光刻機生產(chǎn)芯片；有光刻機包裝；還有一款投影光刻機用在LED制造領域。光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。

光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準。曝光中較重要的兩個參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現(xiàn)為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（Proximity Printing）?？梢园压饪碳夹g擴展到32nm以下技術節(jié)點。共濺射真空鍍膜服務

EUV及EBL曝光技術相配合，使193nm浸沒式光刻技術延伸到15和11nm工藝節(jié)點。浙江微納光刻

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有 2-3 代差距，隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大。同時，國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產(chǎn)的百年機遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產(chǎn)化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產(chǎn)光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現(xiàn)了技術突破。浙江微納光刻

廣東省科學院半導體研究所是一家服務型類企業(yè)，積極探索行業(yè)發(fā)展，努力實現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。是一家****企業(yè)，隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究，在原有產(chǎn)品的基礎上經(jīng)過不斷改進，追求新型，在強化內部管理，完善結構調整的同時，良好的質量、合理的價格、完善的服務，在業(yè)界受到寬泛好評。公司擁有專業(yè)的技術團隊，具有微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等多項業(yè)務。廣東省半導體所將以真誠的服務、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來！

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