一般下游企業(yè)都有自己穩(wěn)固的合作伙伴，對于他們來說，如果更換供應商，又會是一個相當長的驗證周期，費時費力。綜上所述，光刻膠產(chǎn)業(yè)的特殊屬性，導致目前日本在這方面稱霸全球，而鮮有挑戰(zhàn)者。事實上，日本的光刻膠并非一出場就是領頭，而是從青銅一步步爬上去的。光刻膠的雛形較早出現(xiàn)在200年前的法國，成長于美國，東莞氧化硅材料刻蝕，卻在日本的手上得到了發(fā)揚，東莞氧化硅材料刻蝕，這其中有日本自身的努力，也和時代環(huán)境密不可分。由于當時80年代半導體工藝還主要處于微米級別，這種工藝用i線就足夠，KrF光刻膠雖然先進，東莞氧化硅材料刻蝕，但是價格昂貴，并未得到普遍應用。電子束光刻技術在實現(xiàn)10nm級光刻中起重要的作用。東莞氧化硅材料刻蝕

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優(yōu)點：涂底均勻、避免顆粒污染；旋轉涂底。缺點：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強基底表面與光刻膠的黏附性旋轉涂膠方法：a、靜態(tài)涂膠（Static）。硅片靜止時，滴膠、加速旋轉、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b、動態(tài)（Dynamic）。低速旋轉（500rpm_rotation per minute）、滴膠、加速旋轉（3000rpm）、甩膠、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越??；江蘇圖形光刻2009年9月Intel首先次向世人展示了22nm工藝晶圓，稱繼續(xù)使用193nm浸沒式光刻技術。

由于電子束直寫光刻曝光效率低，主要用于實驗室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應大批量生產(chǎn)，如何進一步提高曝光速度是個難題。為了解決電子束光刻的效率問題，通常將其與其他光刻技術配合使用。例如為解決曝光效率問題，通常采用電子束光刻與光學光刻進行匹配與混合光刻的辦法，即大部分曝光工藝仍然采用現(xiàn)有十分成熟的半導體光學光刻工藝制備，只有納米尺度的圖形或者工藝層由電子束光刻實現(xiàn)。在傳統(tǒng)光學光刻技術逼近工藝極限的情況下，電子束光刻技術將有可能出現(xiàn)在與目前193i為表示的光學曝光技術及EUV技術相匹配的混合光刻中，在實現(xiàn)10nm級光刻中起重要的作用。應該提到的是電子束曝光技術是推動微電子技術和微細加工技術進一步發(fā)展的關鍵技術，在微電子、微光學和微機械等微系統(tǒng)微細加工領域有著普遍的應用前景，而且除電子束直寫光刻技術本身以外，幾乎所有的新一代光刻技術所需要的掩模制作還是離不開電子束曝光技術。

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產(chǎn)設備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質量。因此，光刻膠等微電子化學品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業(yè)就難以在設備、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的資金壁壘。電子束曝光技術是推動微電子技術和微細加工技術進一步發(fā)展的關鍵技術。

一般而言，KrF（248nm）光刻膠使用聚對羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹脂，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物，環(huán)烯烴-馬來酸酐共聚物，環(huán)形聚合物等作為成膜樹脂；由于化學結構上的原因，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑。雖然在2007年之后，一些波長更短的準分子光刻光源技術陸續(xù)出現(xiàn)，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學材料吸收，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學材料，比如氟化鈣（螢石）等，成本長期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術的出現(xiàn)，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸，所以在45nm 到10nm之間的半導體制程工藝中，ArF光刻技術仍然得到了較普遍的應用。除電子束直寫光刻技術本身以外，幾乎所有的新一代光刻技術所需要的掩模制作還是離不開電子束曝光技術。中山微納光刻

光刻的光源是波長為11～14nm的極端遠紫外光。東莞氧化硅材料刻蝕

當光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解?；瘜W放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對深紫外光源具有良好的光學敏感性，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點。按照曝光波長分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。東莞氧化硅材料刻蝕

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