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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:低線寬光刻加工平臺(tái),光刻
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由于電子束直寫光刻曝光效率低,主要用于實(shí)驗(yàn)室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應(yīng)大批量生產(chǎn),如何進(jìn)一步提高曝光速度是個(gè)難題。為了解決電子束光刻的效率問題,通常將其與其他光刻技術(shù)配合使用。例如為解決曝光效率問題,通常采用電子束光刻與光學(xué)光刻進(jìn)行匹配與混合光刻的辦法,即大部分曝光工藝仍然采用現(xiàn)有十分成熟的半導(dǎo)體光學(xué)光刻工藝制備,低線寬光刻加工平臺(tái),只有納米尺度的圖形或者工藝層由電子束光刻實(shí)現(xiàn)。在傳統(tǒng)光學(xué)光刻技術(shù)逼近工藝極限的情況下,電子束光刻技術(shù)將有可能出現(xiàn)在與目前193i為表示的光學(xué)曝光技術(shù)及EUV技術(shù)相匹配的混合光刻中,在實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)光刻中起重要的作用。應(yīng)該提到的是電子束曝光技術(shù)是推動(dòng)微電子技術(shù)和微細(xì)加工技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),低線寬光刻加工平臺(tái),在微電子、微光學(xué)和微機(jī)械等微系統(tǒng)微細(xì)加工領(lǐng)域有著普遍的應(yīng)用前景,低線寬光刻加工平臺(tái),而且除電子束直寫光刻技術(shù)本身以外,幾乎所有的新一代光刻技術(shù)所需要的掩模制作還是離不開電子束曝光技術(shù)。掩膜板與光刻膠層的略微分開,可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。低線寬光刻加工平臺(tái)
整個(gè)光刻顯影過程中,TMAH沒有同PHS發(fā)生反應(yīng)。負(fù)性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。顯影中的常見問題:a、顯影不完全(Incomplete Development)。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成;b、顯影不夠(Under Development)。顯影的側(cè)壁不垂直,由顯影時(shí)間不足造成;c、過度顯影(Over Development)??拷砻娴墓饪棠z被顯影液過度溶解,形成臺(tái)階。顯影時(shí)間太長(zhǎng)。硬烘方法:熱板,100~130C(略高于玻璃化溫度Tg),1~2分鐘。目的:完全蒸發(fā)掉光刻膠里面的溶劑(以免在污染后續(xù)的離子注入環(huán)境,例如DNQ酚醛樹脂光刻膠中的氮會(huì)引起光刻膠局部爆裂);低線寬光刻加工平臺(tái)深紫外線堅(jiān)膜使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。
光刻涂底方法:氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積,200~250C,30秒鐘;優(yōu)點(diǎn):涂底均勻、避免顆粒污染;旋轉(zhuǎn)涂底。缺點(diǎn):顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的:使表面具有疏水性,增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法:a、靜態(tài)涂膠(Static)。硅片靜止時(shí),滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑(原光刻膠的溶劑約占65~85%,旋涂后約占10~20%);b、動(dòng)態(tài)(Dynamic)。低速旋轉(zhuǎn)(500rpm_rotation per minute)、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)(3000rpm)、甩膠、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關(guān)鍵參數(shù):光刻膠的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻膠的厚度越??;
80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板縮小比例(4:1),曝光區(qū)域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆蓋的區(qū)域)。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。掃描步進(jìn)投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光區(qū)域(Exposure Field)26×33mm。優(yōu)點(diǎn):增大了每次曝光的視場(chǎng);提供硅片表面不平整的補(bǔ)償;提高整個(gè)硅片的尺寸均勻性。但是,同時(shí)因?yàn)樾枰聪蜻\(yùn)動(dòng),增加了機(jī)械系統(tǒng)的精度要求。在曝光過程中,需要對(duì)不同的參數(shù)和可能缺陷進(jìn)行追蹤和控制,會(huì)用到檢測(cè)控制芯片/控片(Monitor Chip)。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度,速度越快,厚度越??;
在雙重曝光工藝中,若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),就可以節(jié)省一次刻蝕,一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。下圖左展示了一次不合格的雙重曝光過程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會(huì)接受到相對(duì)少量的光刻輻射,在兩次曝光過程后,非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0,而發(fā)生錯(cuò)誤的光刻反應(yīng)。非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,從這個(gè)例子可以看出,與單次曝光不同,雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡。堅(jiān)膜,以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力;東莞激光器光刻
大體在10-6nm量級(jí)上,因而電子束光刻不受衍射極限的影響。低線寬光刻加工平臺(tái)
光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示,受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì),自 2011年至今,光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%,高于全球平均 5%的增速。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,全球占比約 10%,發(fā)展空間巨大。目前,中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。低線寬光刻加工平臺(tái)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,是一家服務(wù)型公司。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié),公司旗下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)深受客戶的喜愛。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠(chéng)信為本的理念,打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn),為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2204011.html
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