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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:山東PECVD真空鍍膜,光刻
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在平板顯示行業(yè);主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,山東PECVD真空鍍膜,光刻膠涂覆于晶體薄膜表面,經(jīng)曝光、顯影和蝕刻等工序?qū)⒐庹郑ㄑ谀ぐ妫┥系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上,山東PECVD真空鍍膜,形成與掩膜版對(duì)應(yīng)的幾何圖形。在PCB行業(yè);主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠,山東PECVD真空鍍膜、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上,進(jìn)行曝光顯影;濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上,待其干燥后進(jìn)行曝光顯影。電子束入射到抗蝕劑及基片上時(shí),電子會(huì)與固體材料的原子發(fā)生“碰撞”產(chǎn)生電子散射現(xiàn)象。山東PECVD真空鍍膜
光刻膠旋轉(zhuǎn)速度,速度越快,厚度越?。挥绊懝饪棠z均勻性的參數(shù):旋轉(zhuǎn)加速度,加速越快越均勻;與旋轉(zhuǎn)加速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長(zhǎng)有關(guān)(因?yàn)椴煌?jí)別的曝光波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率):I-line較厚,約0.7~3μm;KrF的厚度約0.4~0.9μm;ArF的厚度約0.2~0.5μm。軟烘方法:真空熱板,85~120C,30~60秒;目的:除去溶劑(4~7%);增強(qiáng)黏附性;釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力;防止光刻膠玷污設(shè)備;邊緣光刻膠的去除:光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。材料刻蝕加工工廠光刻膠旋轉(zhuǎn)速度,速度越快,厚度越??;
由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過(guò)程中消耗而**作為催化劑而存在,因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng),所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少,較大加強(qiáng)了光刻的效率。CAR 光刻膠曝光速遞是 DQN 光刻膠的10倍左右。從 90 年代后半期開(kāi)始,光刻光源就開(kāi)始采用 248nm 的 KrF 激光;而從 2000 年代開(kāi)始,光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm 波長(zhǎng)的 ArF 準(zhǔn)分子激光作為光源。在那之后一直到現(xiàn)在的約 20 年里,193nm 波長(zhǎng)的 ArF 準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能較可靠,使用較普遍的光刻光源。
光聚合型光刻膠采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物;光分解型光刻膠,采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),可以制成正性光刻膠;光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,可以制成負(fù)性光刻膠。在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開(kāi)始使用深紫外(DUV)光源以后,化學(xué)放大(CAR)技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中,樹(shù)脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯?;瘜W(xué)放大光刻膠使用光致酸劑(PAG)作為光引發(fā)劑。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘等工序。
在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中,集成電路線寬的特征尺寸可以由瑞利公式確定:CD= k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸;k1是瑞利常數(shù),是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個(gè)相關(guān)系數(shù);λ是曝光波長(zhǎng),而NA(Numerical Aperture)則表示了光刻機(jī)的孔徑數(shù)值。因此,光刻機(jī)需要通過(guò)降低瑞利常數(shù)和曝光波長(zhǎng),增大孔徑尺寸來(lái)制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長(zhǎng)與光刻機(jī)使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān)。歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì)。掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi),可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。天津材料刻蝕多少錢(qián)
由于所有的光學(xué)材料對(duì)該波長(zhǎng)的光有強(qiáng)烈的吸收,所以只能采取反射式的光路。山東PECVD真空鍍膜
光刻分辨率Resolution:0.18~0.25μm(一般采用了偏軸照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技術(shù)PSM_Phase Shift Mask增強(qiáng));套刻精度Overlay:65nm;產(chǎn)能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);視場(chǎng)尺寸Field Size:25×32mm;后烘方法:熱板,110~130C,1分鐘。目的:a、減少駐波效應(yīng);b、激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。顯影方法:a、整盒硅片浸沒(méi)式顯影(Batch Development)。缺點(diǎn):顯影液消耗很大;顯影的均勻性差;b、連續(xù)噴霧顯影(Continuous Spray Development)/自動(dòng)旋轉(zhuǎn)顯影(Auto-rotation Development)。一個(gè)或多個(gè)噴嘴噴灑顯影液在硅片表面,同時(shí)硅片低速旋轉(zhuǎn)(100~500rpm)。山東PECVD真空鍍膜
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長(zhǎng)興路363號(hào),是一家專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。公司。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工是廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的主營(yíng)品牌,是專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。公司,擁有自己**的技術(shù)體系。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力,多年來(lái)一直專注于面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的發(fā)展和創(chuàng)新,打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終以質(zhì)量為發(fā)展,把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動(dòng)力,致力于為顧客帶來(lái)***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。
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