需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:曝光光刻實(shí)驗(yàn)室,光刻
***更新:2020-12-01 02:22:41
瀏覽次數(shù):1次
聯(lián)系我們
當(dāng)前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導(dǎo)體材料?曝光光刻實(shí)驗(yàn)室 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
需求數(shù)量:0
價(jià)格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:曝光光刻實(shí)驗(yàn)室,光刻
***更新:2020-12-01 02:22:41
瀏覽次數(shù):1次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機(jī): 020-61086422
地址: 長(zhǎng)興路363號(hào)
[當(dāng)前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細(xì)說明
由于電子束直寫光刻曝光效率低,曝光光刻實(shí)驗(yàn)室,主要用于實(shí)驗(yàn)室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應(yīng)大批量生產(chǎn),如何進(jìn)一步提高曝光速度是個(gè)難題,曝光光刻實(shí)驗(yàn)室。為了解決電子束光刻的效率問題,通常將其與其他光刻技術(shù)配合使用。例如為解決曝光效率問題,通常采用電子束光刻與光學(xué)光刻進(jìn)行匹配與混合光刻的辦法,即大部分曝光工藝仍然采用現(xiàn)有十分成熟的半導(dǎo)體光學(xué)光刻工藝制備,只有納米尺度的圖形或者工藝層由電子束光刻實(shí)現(xiàn),曝光光刻實(shí)驗(yàn)室。在傳統(tǒng)光學(xué)光刻技術(shù)逼近工藝極限的情況下,電子束光刻技術(shù)將有可能出現(xiàn)在與目前193i為表示的光學(xué)曝光技術(shù)及EUV技術(shù)相匹配的混合光刻中,在實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)光刻中起重要的作用。應(yīng)該提到的是電子束曝光技術(shù)是推動(dòng)微電子技術(shù)和微細(xì)加工技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),在微電子、微光學(xué)和微機(jī)械等微系統(tǒng)微細(xì)加工領(lǐng)域有著普遍的應(yīng)用前景,而且除電子束直寫光刻技術(shù)本身以外,幾乎所有的新一代光刻技術(shù)所需要的掩模制作還是離不開電子束曝光技術(shù)。電子束曝光的波長(zhǎng)取決于電子能量,電子能量越高,曝光的波長(zhǎng)越短。曝光光刻實(shí)驗(yàn)室
光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性,如果質(zhì)量稍微出點(diǎn)問題,損失將會(huì)是巨大的。去年2月,某半導(dǎo)體代工企業(yè)因?yàn)楣饪棠z的原因?qū)е戮A污染,報(bào)廢十萬片晶圓,直接導(dǎo)致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外,另一個(gè)重要原因是,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,光刻膠已經(jīng)是一個(gè)相當(dāng)成熟且固化的產(chǎn)業(yè)。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴,2013年之后,相關(guān)**的申請(qǐng)已經(jīng)開始銳減。市場(chǎng)較小,技術(shù)壁壘又高,這意味著對(duì)于企業(yè)來說,發(fā)展光刻膠性價(jià)比不高,即便研發(fā)成功一款光刻膠,也要面臨較長(zhǎng)的認(rèn)證周期,需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系。曝光光刻實(shí)驗(yàn)室電子束光刻技術(shù)是利用電子器具所產(chǎn)生的電子束,在涂布有電子抗蝕劑(光刻膠)的基片表面上掃描寫出圖形。
邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學(xué)的方法(Chemical EBR)。軟烘后,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,并小心控制不要到達(dá)光刻膠有效區(qū)域;b、光學(xué)方法(Optical EBR)。即硅片邊緣曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解;對(duì)準(zhǔn)方法:a、預(yù)對(duì)準(zhǔn),通過硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動(dòng)對(duì)準(zhǔn);b、通過對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。
光聚合型光刻膠采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物;光分解型光刻膠,采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),可以制成正性光刻膠;光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,可以制成負(fù)性光刻膠。在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外(DUV)光源以后,化學(xué)放大(CAR)技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中,樹脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯。化學(xué)放大光刻膠使用光致酸劑(PAG)作為光引發(fā)劑。由于所有的光學(xué)材料對(duì)該波長(zhǎng)的光有強(qiáng)烈的吸收,所以只能采取反射式的光路。
現(xiàn)在全球范圍內(nèi),能夠生產(chǎn)光刻機(jī)的企業(yè)也是鳳毛麟角,只有荷蘭某公司和日本的,還有上海某某公司能夠生產(chǎn)出現(xiàn)。芯片的研發(fā)以及制造現(xiàn)在已經(jīng)成為一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈,而對(duì)于芯片的研發(fā),現(xiàn)在有能夠做到**研發(fā)的其實(shí)并不是很多。但是比較**的芯片研發(fā)廠商這些企業(yè)**是具有研發(fā)芯片的能力,要想制造出來芯片,還需要使用到一種無法繞開的設(shè)備:光刻機(jī)。但是由于過程光刻機(jī)領(lǐng)域的發(fā)展落后于西方,某公司能夠量產(chǎn)的制程**只有90nm,而荷蘭公司所能夠生產(chǎn)的光刻機(jī)現(xiàn)在已經(jīng)能夠達(dá)到7nm甚至是5nm的制程,所以想要將芯片領(lǐng)域牢牢的掌握在自己手機(jī),就必須要發(fā)展光刻機(jī)設(shè)備。EUV及EBL曝光技術(shù)相配合,使193nm浸沒式光刻技術(shù)延伸到15和11nm工藝節(jié)點(diǎn)。黑龍江功率器件光刻
193nm浸沒式光刻技術(shù)是光刻技術(shù)中較為長(zhǎng)壽且較富有競(jìng)爭(zhēng)力的,也是目前如何進(jìn)一步發(fā)揮潛力的研究熱點(diǎn)。曝光光刻實(shí)驗(yàn)室
光刻膠旋轉(zhuǎn)速度,速度越快,厚度越??;影響光刻膠均勻性的參數(shù):旋轉(zhuǎn)加速度,加速越快越均勻;與旋轉(zhuǎn)加速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長(zhǎng)有關(guān)(因?yàn)椴煌?jí)別的曝光波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率):I-line較厚,約0.7~3μm;KrF的厚度約0.4~0.9μm;ArF的厚度約0.2~0.5μm。軟烘方法:真空熱板,85~120C,30~60秒;目的:除去溶劑(4~7%);增強(qiáng)黏附性;釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力;防止光刻膠玷污設(shè)備;邊緣光刻膠的去除:光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。曝光光刻實(shí)驗(yàn)室
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠實(shí)可信的企業(yè)。廣東省半導(dǎo)體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向?qū)?,為客戶提?**的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注自身,在風(fēng)云變化的時(shí)代,對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使廣東省半導(dǎo)體所在行業(yè)的從容而自信。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2213892.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>
珠海感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
遼寧氧化硅材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
云南EB真空鍍膜 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
吉林真空鍍膜代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射真空鍍膜廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東光刻服務(wù)價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
同類產(chǎn)品推薦 更多>>
上海硅材料刻蝕公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
中山功率器件微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
重慶MEMS光刻 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳光電器件真空鍍膜加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
黑龍江真空鍍膜微納加工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
河南MEMS材料刻蝕加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
深圳氮化硅材料刻蝕價(jià)錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
山東微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)