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產(chǎn)品關鍵詞:中山硅材料刻蝕,光刻
***更新:2020-12-01 03:24:09
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邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學的方法(Chemical EBR)。軟烘后,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,并小心控制不要到達光刻膠有效區(qū)域;b、光學方法(Optical EBR)。即硅片邊緣曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成圖形的曝光后,中山硅材料刻蝕,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解;對準方法:a、預對準,通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準;b,中山硅材料刻蝕、通過對準標志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上,中山硅材料刻蝕。在更低的22nm節(jié)點甚至16nm節(jié)點技術中,浸沒式光刻技術也具有相當大的優(yōu)勢。中山硅材料刻蝕
光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的中心材料。按顯示效果分類;光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩(掩膜版)相反;正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學結(jié)構(gòu)分類;光刻膠可以分為光聚合型,光分解型,光交聯(lián)型和化學放大型。山西數(shù)字光刻電子束入射到抗蝕劑及基片上時,電子會與固體材料的原子發(fā)生“碰撞”產(chǎn)生電子散射現(xiàn)象。
當光刻膠曝光后,曝光區(qū)域的光致酸劑(PAG)將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解?;瘜W放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,對深紫外光源具有良好的光學敏感性,同時具有高對比度,對高分辨率等優(yōu)點。按照曝光波長分類;光刻膠可分為紫外光刻膠(300~450nm)、深紫外光刻膠(160~280nm)、極紫外光刻膠(EUV,13.5nm)、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠,其適用的光刻極限分辨率不同。
對于國產(chǎn)光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日,發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財政部共同發(fā)布了《關于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》,《意見》提出,加快新材料產(chǎn)業(yè)強弱項,具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見》還未發(fā)布之前,部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外,還有兩家企業(yè)通過購買光刻機的方式,開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè),尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,這已不是什么鮮為人知的信息了。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關。
通常來說,在使用工藝方法一致的情況下,波長越短,加工分辨率越佳。在集成電路制造領域,如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。NMOS三級管是半導體制程工藝中較常用的集成電路結(jié)構(gòu)之一。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法:首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心,然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開,再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中,光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關鍵,量少了會導致光刻膠不能充分覆蓋硅片,量大了會導致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面,影響工藝質(zhì)量。決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數(shù):光刻膠的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻膠的厚度越??;北京真空鍍膜加工廠
大部分曝光工藝仍然采用現(xiàn)有十分成熟的半導體光學光刻工藝制備。中山硅材料刻蝕
在平板顯示行業(yè);主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,光刻膠涂覆于晶體薄膜表面,經(jīng)曝光、顯影和蝕刻等工序?qū)⒐庹郑ㄑ谀ぐ妫┥系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上,形成與掩膜版對應的幾何圖形。在PCB行業(yè);主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上,進行曝光顯影;濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上,待其干燥后進行曝光顯影。中山硅材料刻蝕
廣東省科學院半導體研究所專注技術創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大。一批專業(yè)的技術團隊,是實現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標的基礎,是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。公司業(yè)務范圍主要包括:微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨,深受客戶好評。公司深耕微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,正積蓄著更大的能量,向更廣闊的空間、更寬泛的領域拓展。
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