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所在地:廣東省
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:河南磁控濺射真空鍍膜,光刻
***更新:2020-12-01 08:36:09
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隨著光刻膠技術(shù)的進(jìn)步,*需要一次涂膠,河南磁控濺射真空鍍膜,兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。浸沒(méi)光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下,將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí)。與此同時(shí),這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求。在浸沒(méi)工藝中;光刻膠首先不能與浸沒(méi)液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散,河南磁控濺射真空鍍膜,損傷光刻膠自身和光刻鏡頭;其次,光刻膠的折射率必須大于透鏡,河南磁控濺射真空鍍膜,液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹(shù)脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上;接著,光刻膠不能在浸沒(méi)液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過(guò)程中發(fā)生形變,影響加工精度;較后,當(dāng)浸沒(méi)工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí),將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒(méi) ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠,是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一。EUV及EBL曝光技術(shù)相配合,使193nm浸沒(méi)式光刻技術(shù)延伸到15和11nm工藝節(jié)點(diǎn)。河南磁控濺射真空鍍膜
光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大;一般情況下,為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后,不會(huì)輕易更換。通過(guò)建立反饋機(jī)制,滿足個(gè)性化需求,光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加。后來(lái)者想要加入到供應(yīng)商行列,往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高。通常光刻膠等微電子化學(xué)品不*品質(zhì)要求高,而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒(méi)有規(guī)模效益,供應(yīng)商就無(wú)法承擔(dān)滿足***多樣化需求帶來(lái)的開(kāi)銷。因此,品種規(guī)模構(gòu)成了進(jìn)入該行業(yè)的重要壁壘。河北芯片光刻光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。
世界三大光刻機(jī)生產(chǎn)商浸沒(méi)式光刻機(jī)樣機(jī)都是在原有193nm干式光刻機(jī)的基礎(chǔ)上改進(jìn)研制而成,較大降低了研發(fā)成本和風(fēng)險(xiǎn)。因?yàn)榻](méi)式光刻系統(tǒng)的原理清晰而且配合現(xiàn)有的光刻技術(shù)變動(dòng)不大,目前193nmArF準(zhǔn)分子激光光刻技術(shù)在65nm以下節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體量產(chǎn)中已經(jīng)普遍應(yīng)用;ArF浸沒(méi)式光刻技術(shù)在45nm節(jié)點(diǎn)上是大生產(chǎn)的主流技術(shù)。為把193i技術(shù)進(jìn)一步推進(jìn)到32和22nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上,光刻**一直在尋找新的技術(shù),在沒(méi)有更好的新光刻技術(shù)出現(xiàn)前,兩次曝光技術(shù)(或者叫兩次成型技術(shù),DPT)成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。
準(zhǔn)分子光刻技術(shù)作為當(dāng)前主流的光刻技術(shù),主要包括:特征尺寸為0.1μm的248nmKrF準(zhǔn)分子激光技術(shù);特征尺寸為90nm的193nmArF準(zhǔn)分子激光技術(shù);特征尺寸為65nm的193nmArF浸沒(méi)式技術(shù)(Immersion,193i)。其中193nm浸沒(méi)式光刻技術(shù)是所有光刻技術(shù)中較為長(zhǎng)壽且較富有競(jìng)爭(zhēng)力的,也是目前如何進(jìn)一步發(fā)揮其潛力的研究熱點(diǎn)。傳統(tǒng)光刻技術(shù)光刻膠與曝光鏡頭之間的介質(zhì)是空氣,而浸沒(méi)式技術(shù)則是將空氣換成液體介質(zhì)。實(shí)際上,由于液體介質(zhì)的折射率相比空氣介質(zhì)更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率,等效地加大了透鏡口徑尺寸與數(shù)值孔徑(NA),同時(shí)可以明顯提高焦深(DOF)和曝光工藝的寬容度(EL),浸沒(méi)式光刻技術(shù)正是利用這個(gè)原理來(lái)提高其分辨率。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘等工序。
在雙重曝光工藝中,若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),就可以節(jié)省一次刻蝕,一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。下圖左展示了一次不合格的雙重曝光過(guò)程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會(huì)接受到相對(duì)少量的光刻輻射,在兩次曝光過(guò)程后,非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過(guò)光刻膠的曝光閾值E0,而發(fā)生錯(cuò)誤的光刻反應(yīng)。非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,從這個(gè)例子可以看出,與單次曝光不同,雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡。光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。四川真空鍍膜加工廠商
在更低的22nm節(jié)點(diǎn)甚至16nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)中,浸沒(méi)式光刻技術(shù)也具有相當(dāng)大的優(yōu)勢(shì)。河南磁控濺射真空鍍膜
邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學(xué)的方法(Chemical EBR)。軟烘后,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,并小心控制不要到達(dá)光刻膠有效區(qū)域;b、光學(xué)方法(Optical EBR)。即硅片邊緣曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解;對(duì)準(zhǔn)方法:a、預(yù)對(duì)準(zhǔn),通過(guò)硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動(dòng)對(duì)準(zhǔn);b、通過(guò)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。河南磁控濺射真空鍍膜
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家服務(wù)型類企業(yè),積極探索行業(yè)發(fā)展,努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。廣東省半導(dǎo)體所是一家****企業(yè),一直“以人為本,服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù),持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所將以真誠(chéng)的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品,為彼此贏得全新的未來(lái)!
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