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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:湖北氮化鎵材料刻蝕加工平臺,材料刻蝕
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雙等離子體源刻蝕機加裝有兩個射頻(RF)功率源,能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度,但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度,湖北氮化鎵材料刻蝕加工平臺,從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕(ALE)為下一代刻蝕工藝技術(shù),能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的不斷縮小,反應(yīng)離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題。原子層刻蝕(ALE)能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分,湖北氮化鎵材料刻蝕加工平臺,可以用于定向刻蝕或生成光滑表面,湖北氮化鎵材料刻蝕加工平臺,是刻蝕技術(shù)研究的熱點之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領(lǐng)域并沒有取代傳統(tǒng)的等離子刻蝕工藝,而是被用于原子級目標(biāo)材料精密去除過程。等離子體刻蝕機要求相同的元素:化學(xué)刻蝕劑和能量源。湖北氮化鎵材料刻蝕加工平臺
反應(yīng)離子刻蝕:這種刻蝕過程同時兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側(cè)向反應(yīng),較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。湖北硅材料刻蝕廠商二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅。
二氧化硅的干法刻蝕:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高,且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強,不會與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變在當(dāng)今半導(dǎo)體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。
經(jīng)過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件,需將光刻膠上的圖形進一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個任務(wù)就由刻蝕來完成??涛g就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒有被光刻膠(經(jīng)過曝光和顯影后)覆蓋和保護的那部分去除掉,達到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同,刻蝕的要求不同。實際上,光刻和刻蝕是兩個不同的加工工藝,但因為這兩個工藝只有連續(xù)進行,才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移,而且在工藝線上,這兩個工藝經(jīng)常是放在同一工序中,因此有時也將這兩個步驟統(tǒng)稱為光刻??涛g,它是半導(dǎo)體制造工藝,微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。
等離子刻蝕是干法刻蝕中較常見的一種形式。一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中,在外部能量作用下(如射頻、微波等)形成等離子體。其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。一個等離子體干法刻蝕系統(tǒng)基本部件包括:發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、產(chǎn)生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除生成物的真空系統(tǒng)??涛g中會用到大量的化學(xué)氣體,通常用氟刻蝕二氧化硅,氯和氟刻蝕鋁,氯、氟和溴刻蝕硅,氧去除光刻膠。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。珠海氮化鎵材料刻蝕平臺
在激發(fā)狀態(tài),氟刻蝕二氧化硅,并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。湖北氮化鎵材料刻蝕加工平臺
電子元器件制造業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,是通信、計算機及網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字音視頻等系統(tǒng)和終端產(chǎn)品發(fā)展的基礎(chǔ),其技術(shù)水平和生產(chǎn)能力直接影響整個行業(yè)的發(fā)展,對于電子信息產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和做大做強有著重要的支撐作用。面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。將迎來新一輪的創(chuàng)新周期,在新一輪創(chuàng)新周期中,國產(chǎn)替代趨勢有望進一步加強。公司所處的本土電子元器件授權(quán)分銷行業(yè),近年來進入飛速整合發(fā)展期,產(chǎn)業(yè)集中度不斷提升,規(guī)?;?、平臺化趨勢加強。眼下,市場缺口較大的,還是LCD領(lǐng)域,由于LCD價格逐漸提高,同時也開始向新的服務(wù)型方向發(fā)展,相應(yīng)的電子元器件產(chǎn)能并沒有及時跟進。因此,對于理財者來說,從這一方向入手,有望把握下**業(yè)增長的紅利。目前,我們的生活充斥著各種電子產(chǎn)品,無論是智能設(shè)備還是非智能設(shè)備,都離不開電子元器件的身影。智能化發(fā)展帶來的經(jīng)濟化效益無疑是**為明顯的,但是在它身后的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)前景廣闊。湖北氮化鎵材料刻蝕加工平臺
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。廣東省半導(dǎo)體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向?qū)?,為客戶提?**的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所繼續(xù)堅定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長,又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,實現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注電子元器件市場,以敏銳的市場洞察力,實現(xiàn)與客戶的成長共贏。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2372851.html
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