等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計中制作細(xì)微特征所必需的。一般而言，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料，同時適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積（選擇比和形貌控制）。采用磁場增強(qiáng)的RIE工藝，江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)，通過增加離子密度而不增加離子能量（可能會損失晶圓）的方式，改進(jìn)了處理過程。同樣的刻蝕條件，江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)，針對不同的刻蝕暴露面積，刻蝕的速率會有所不一樣。江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)

刻蝕工藝主要分為兩種：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或結(jié)合物理、化學(xué)兩種反應(yīng)）的方式將表面材料去除，主要用于亞微米尺寸下刻蝕，由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被普遍應(yīng)用于芯片制造領(lǐng)域；濕法刻蝕通過化學(xué)試劑去除硅片表面材料，一般用于尺寸較大情況，目前仍用于干法刻蝕后殘留物的去除。金屬刻蝕主要應(yīng)用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常采用鋁合金，對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結(jié)構(gòu)中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素：化學(xué)刻蝕劑和能量源。

刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程，常用的設(shè)備為刻蝕機(jī)等。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的明顯侵蝕，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。為在硅片表面材料上復(fù)制掩膜圖案，刻蝕需要滿足一定的參數(shù)，主要有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等?？涛g速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度；刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀，通常分為各向同性和各向異性剖面；刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化，通常由橫向鉆蝕引起；選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比，高選擇比意味著不需要的材料會被刻除。

工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩?；蛲Ｖ箤樱┩ǔ６枷Ｍ懈叩倪x擇比。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。

光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數(shù)：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷等?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程?？涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好。江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)

一般而言，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎。江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)

不過，芯片用單晶硅材料對材料內(nèi)部微缺陷率水平的要求較高，對加工環(huán)節(jié)的硅片表面顆粒和雜質(zhì)含量、表面平整度、應(yīng)力和機(jī)械強(qiáng)度等參數(shù)指標(biāo)有更為嚴(yán)格的要求。這些特性導(dǎo)致芯片用單晶硅材料的研發(fā)和生產(chǎn)，需要合理設(shè)計加工環(huán)節(jié)的工藝流程，同時也需要更先進(jìn)的加工設(shè)備。通過刻蝕用單晶硅材料在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中“見縫插針”的，已經(jīng)擁有了穩(wěn)定的基本盤。向芯片用單晶硅材料賽道進(jìn)發(fā)，既是對創(chuàng)業(yè)初心的回歸，更是應(yīng)對下游需求變化的戰(zhàn)略調(diào)整，有望再一次驅(qū)動的強(qiáng)勁增長。材料是工業(yè)之母，隨著更多關(guān)鍵材料和設(shè)備的突破，中國終將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中揚(yáng)眉吐氣。江西氧化硅材料刻蝕技術(shù)

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