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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:山西Si材料刻蝕加工工廠,材料刻蝕
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光刻膠是另一個剝離的例子??偟膩碚f,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數(shù):刻蝕速率、刻蝕剖面,山西Si材料刻蝕加工工廠、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷等。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程,山西Si材料刻蝕加工工廠??涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕,山西Si材料刻蝕加工工廠。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進(jìn)行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。山西Si材料刻蝕加工工廠
等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟:1、在低壓下,反應(yīng)氣體在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體,等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉(zhuǎn)變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)(Radicals)2、活性反應(yīng)基團(tuán)和被刻蝕物質(zhì)表面形成化學(xué)反應(yīng)并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物3、反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,并被真空系統(tǒng)抽出腔體。在平行電極等離子體反應(yīng)腔體中,被刻蝕物是被置于面積較小的電極上,在這種情況,一個直流偏壓會在等離子體和該電極間形成,并使帶正電的反應(yīng)氣體離子加速撞擊被刻蝕物質(zhì)表面,這種離子轟擊可較大加快表面的化學(xué)反應(yīng),及反應(yīng)生成物的脫附,從而導(dǎo)致比較高的刻蝕速率,正是由于離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現(xiàn)。福建Si材料刻蝕版廠家鈍化層基本的刻蝕劑是氫氟酸,它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點。
刻蝕工藝去除晶圓表面的特定區(qū)域,以沉積其它材料?!案煞ā保ǖ入x子)刻蝕用于形成電路,而“濕法”刻蝕(使用化學(xué)浴)主要用于清潔晶圓。干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中較常用的工藝之一。開始刻蝕前,晶圓上會涂上一層光刻膠或硬掩膜(通常是氧化物或氮化物),然后在光刻時將電路圖形曝光在晶圓上??涛g只去除曝光圖形上的材料。在芯片工藝中,圖形化和刻蝕過程會重復(fù)進(jìn)行多次。等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分(如氟或氯)的氣體中實現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌,這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計中制作細(xì)微特征所必需的。一般而言,高蝕速率(在一定時間內(nèi)去除的材料量)都會受到歡迎。
濕刻蝕:較普遍、也是設(shè)備成本較低的刻蝕方法。其影響被刻蝕物之刻蝕速率(etchingrate)的因素有三:刻蝕液濃度、刻蝕液溫度、及攪拌(stirring)之有無。定性而言,增加刻蝕溫度與加入攪拌,均能有效提高刻蝕速率;但濃度之影響則較不明確。舉例來說,以49%的HF刻蝕SiO2,當(dāng)然比BOE(Buffered-Oxide-Etch;HF:NH4F=1:6)快的多;但40%的KOH刻蝕付淋兇和Si的速率卻比20%KOH慢!濕刻蝕的配方選用是一項化學(xué)的專業(yè),對于一般不是這方面的研究人員,必須向該化學(xué)專業(yè)的同儕請教。一個選用濕刻蝕配方的重要觀念是(選擇性)(selectivity),意指進(jìn)行刻蝕時,對被蝕物去除速度與連帶對其他材質(zhì)(如刻蝕掩膜;etchingmask,或承載被加工薄膜之基板;substrate)的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的刻蝕系統(tǒng),應(yīng)該只對被加工薄膜有腐蝕作用,而不傷及一旁之刻蝕掩膜或其下的基板材料深硅刻蝕是MEMS器件制作當(dāng)中一個很重要的工藝。
不過,芯片用單晶硅材料對材料內(nèi)部微缺陷率水平的要求較高,對加工環(huán)節(jié)的硅片表面顆粒和雜質(zhì)含量、表面平整度、應(yīng)力和機械強度等參數(shù)指標(biāo)有更為嚴(yán)格的要求。這些特性導(dǎo)致芯片用單晶硅材料的研發(fā)和生產(chǎn),需要合理設(shè)計加工環(huán)節(jié)的工藝流程,同時也需要更先進(jìn)的加工設(shè)備。通過刻蝕用單晶硅材料在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中“見縫插針”的,已經(jīng)擁有了穩(wěn)定的基本盤。向芯片用單晶硅材料賽道進(jìn)發(fā),既是對創(chuàng)業(yè)初心的回歸,更是應(yīng)對下游需求變化的戰(zhàn)略調(diào)整,有望再一次驅(qū)動的強勁增長。材料是工業(yè)之母,隨著更多關(guān)鍵材料和設(shè)備的突破,中國終將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中揚眉吐氣。溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動較大,只要通過設(shè)備自帶溫控器和點檢確認(rèn)。山東硅材料刻蝕平臺
干法刻蝕優(yōu)點是:細(xì)線條操作安全,易實現(xiàn)自動化,無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。山西Si材料刻蝕加工工廠
同樣的刻蝕條件,針對不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會有所不一樣。通常來說,刻蝕面積越大,刻蝕的速率越慢,暴露面積越小,刻蝕的速率越快。所以在速率調(diào)試的過程中,需要使用尺寸相當(dāng)?shù)臉悠愤M(jìn)來調(diào)試,這樣調(diào)試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅??梢杂靡后w化學(xué)的方法來刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發(fā),所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。山西Si材料刻蝕加工工廠
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家服務(wù)型類企業(yè),積極探索行業(yè)發(fā)展,努力實現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù),是一家****企業(yè)。以滿足顧客要求為己任;以顧客永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn);以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo),提供***的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所將以真誠的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品,為彼此贏得全新的未來!
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2396164.html
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