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產(chǎn)品關鍵詞:貴州半導體材料刻蝕公司,材料刻蝕
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刻蝕,英文為Etch,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,廣義上來講,刻蝕成了通過溶液,貴州半導體材料刻蝕公司、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。ICP刻蝕設備能夠進行(氮化鎵),貴州半導體材料刻蝕公司、(氮化硅),貴州半導體材料刻蝕公司、(氧化硅)、(鋁鎵氮)等半導體材料進行刻蝕。貴州半導體材料刻蝕公司
等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟:1、在低壓下,反應氣體在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體,等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(Radicals)2、活性反應基團和被刻蝕物質表面形成化學反應并形成揮發(fā)性的反應生成物3、反應生成物脫離被刻蝕物質表面,并被真空系統(tǒng)抽出腔體。在平行電極等離子體反應腔體中,被刻蝕物是被置于面積較小的電極上,在這種情況,一個直流偏壓會在等離子體和該電極間形成,并使帶正電的反應氣體離子加速撞擊被刻蝕物質表面,這種離子轟擊可較大加快表面的化學反應,及反應生成物的脫附,從而導致比較高的刻蝕速率,正是由于離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現(xiàn)。珠海氧化硅材料刻蝕價格深硅刻蝕是MEMS器件制作當中一個很重要的工藝。
在Si片上形成具有垂直側壁的高深寬比溝槽結構是制備先進MEMS器件的關鍵工藝,其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優(yōu)點脫穎而出,成為MEMS器件加工的關鍵技術之一。BOSCH工藝,又名TMDE(Time Multiplexed Deep Etching)工藝,是一個刻蝕—鈍化—刻蝕的循環(huán)過程,以達到對硅材料進行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。 BOSCH工藝的原理是在反應腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進行反應,工藝的整個過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復交替。其中保護氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護層,沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面。
早期的刻蝕技術為濕法刻蝕,就是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液中進行腐蝕的技術。這個過程是純化學腐蝕的過程。濕法刻蝕具有良好的選擇性,例如實驗室經(jīng)常采用磷酸來腐蝕鋁金屬化,而不會腐蝕金屬化層間的介質層材料;半導體制造過程中用調(diào)配后的氫氟酸(加入NH4F緩沖液)來腐蝕二氧化硅,而不會對光刻膠造成過量的傷害。隨著半導體特征尺寸的不斷減小,濕法刻蝕逐漸**法刻蝕所替代。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的,橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度,因此會產(chǎn)生鉆蝕的現(xiàn)象,因此在小尺寸的制程中,濕法刻蝕的精度控制非常困難,并且可重復性差。同樣的刻蝕條件,針對不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會有所不一樣。
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性極高,均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經(jīng)激發(fā)出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團,可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點,能兼顧邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,換言之,本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求,而正被大量使用。溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動較大,只要通過設備自帶溫控器和點檢確認。珠海氧化硅材料刻蝕價格
氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅。貴州半導體材料刻蝕公司
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。貴州半導體材料刻蝕公司
廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號,擁有一支專業(yè)的技術團隊。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務,以誠信、敬業(yè)、進取為宗旨,以建芯辰實驗室,微納加工產(chǎn)品為目標,努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司堅持以客戶為中心、面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。市場為導向,重信譽,保質量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。廣東省科學院半導體研究所主營業(yè)務涵蓋微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,堅持“質量保證、良好服務、顧客滿意”的質量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。
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