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刻蝕工藝主要分為兩種:干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)(或結(jié)合物理,重慶深硅刻蝕材料刻蝕工藝、化學(xué)兩種反應(yīng))的方式將表面材料去除,主要用于亞微米尺寸下刻蝕,由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被普遍應(yīng)用于芯片制造領(lǐng)域;濕法刻蝕通過化學(xué)試劑去除硅片表面材料,重慶深硅刻蝕材料刻蝕工藝,一般用于尺寸較大情況,目前仍用于干法刻蝕后殘留物的去除。金屬刻蝕主要應(yīng)用于金屬互連線,重慶深硅刻蝕材料刻蝕工藝、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常采用鋁合金,對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結(jié)構(gòu)中常用作通孔的填充物,通常采用氟基或氯基氣體。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì)。重慶深硅刻蝕材料刻蝕工藝
刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程,常用的設(shè)備為刻蝕機等。通常的晶圓加工流程中,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的明顯侵蝕,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。為在硅片表面材料上復(fù)制掩膜圖案,刻蝕需要滿足一定的參數(shù),主要有:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等??涛g速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度;刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀,通常分為各向同性和各向異性剖面;刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化,通常由橫向鉆蝕引起;選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比,高選擇比意味著不需要的材料會被刻除。河南GaN材料刻蝕多少錢刻蝕,它是半導(dǎo)體制造工藝,微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。
濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種,是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用,是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕,這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護(hù)硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開始,濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開始**法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設(shè)備簡單。
刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù),它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝??涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,并會根據(jù)客戶的需求,設(shè)計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案。刻蝕技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件,集成電路制造,薄膜電路,印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工等。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類,如刻蝕氮化鎵、氧化硅、氮化硅、鋁鎵氮等材料。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進(jìn)行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側(cè)墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。干法刻蝕種類比較多,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。河北氧化硅材料刻蝕加工廠商
有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。重慶深硅刻蝕材料刻蝕工藝
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進(jìn)行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。重慶深硅刻蝕材料刻蝕工藝
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主要經(jīng)營范圍是電子元器件,擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊和良好的市場口碑。廣東省半導(dǎo)體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù),還有一批**的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點競爭力。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2405940.html
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