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刻蝕原理介紹主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產(chǎn)生原因單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護(hù)的Metal/ITO膜通過化學(xué)反應(yīng)去除掉,較終形成制程所需要的圖形。刻蝕種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種:1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分:磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal:合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分:鹽酸、硝酸、水。ITO:氧化銦錫(混合物)Metal刻蝕前后:ITO刻蝕前后:刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大,北京Si材料刻蝕,所以我們主要通過:來料檢驗,北京Si材料刻蝕、首片確認(rèn)、定期更換的方法來保證??涛g技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件,集成電路制造,北京Si材料刻蝕,薄膜電路,印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工等。北京Si材料刻蝕
等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素:化學(xué)刻蝕劑和能量源。物理上,等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點檢測和電源組成。晶圓被送入反應(yīng)室,并由真空系統(tǒng)把內(nèi)部壓力降低。在真空建立起來后,將反應(yīng)室內(nèi)充入反應(yīng)氣體。對于二氧化硅刻蝕,氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過在反應(yīng)室中的電極創(chuàng)造了一個射頻電場。能量場將混合氣體激發(fā)或等離子體狀態(tài)。在激發(fā)狀態(tài),氟刻蝕二氧化硅,并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。廣東MEMS材料刻蝕平臺理想情況下,晶圓所有點的刻蝕速率都一致(均勻)。
反應(yīng)離子刻蝕:這種刻蝕過程同時兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進(jìn)行。硅片處于陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進(jìn)行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團(tuán)的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團(tuán)在薄膜表面附近的擴(kuò)散所能造成的側(cè)向反應(yīng),較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。
在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝,其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強(qiáng)、污染少等優(yōu)點脫穎而出,成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。BOSCH工藝,又名TMDE(Time Multiplexed Deep Etching)工藝,是一個刻蝕—鈍化—刻蝕的循環(huán)過程,以達(dá)到對硅材料進(jìn)行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。 BOSCH工藝的原理是在反應(yīng)腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進(jìn)行反應(yīng),工藝的整個過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復(fù)交替。其中保護(hù)氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護(hù)層,沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面。深硅刻蝕是MEMS器件制作當(dāng)中一個很重要的工藝。
刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,廣義上來講,刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。濕法刻蝕優(yōu)點是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡單、成本低。福建MEMS材料刻蝕版廠家
對于二氧化硅刻蝕,氣體一般使用CF4和氧的混合劑。北京Si材料刻蝕
選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內(nèi)容:高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r停止)并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小,選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。北京Si材料刻蝕
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營品牌有芯辰實驗室,微納加工,發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊不斷壯大,該公司服務(wù)型的公司。廣東省半導(dǎo)體所是一家****企業(yè),一直“以人為本,服務(wù)于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽(yù),持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司始終堅持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所自成立以來,一直堅持走正規(guī)化、專業(yè)化路線,得到了廣大客戶及社會各界的普遍認(rèn)可與大力支持。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2408629.html
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