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產品關鍵詞:深圳材料刻蝕服務,材料刻蝕
***更新:2020-12-16 07:29:13
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氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導體工藝中主要用在兩個地方。1、用做器件區(qū)的防止氧化保護層(厚約lOOnm)。2、作為器件的鈍化保護層。在這兩個地方刻蝕的圖形尺寸都比較大,非等向的刻蝕就不那么重要了??涛gSi3N4時下方通常是厚約25nm的Si02,為了避免對Si02層的刻蝕,Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似,常用CF4+0等離子體來刻蝕。但是Si-N鍵強度介于Si-Si與Si-0之間,因此使Si3N4對Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中,Si對Si3N4的選擇比約為8,而Si3N4對Si02的選擇比只有2—3,在這么低的刻蝕選擇比下,刻蝕時間的控制就變得非常重要,深圳材料刻蝕服務,深圳材料刻蝕服務。除了CF4外,也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來刻蝕Si3N4,深圳材料刻蝕服務,雖然刻蝕速率較慢,但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比??涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢。深圳材料刻蝕服務
在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產生的等離子體,等離子體通過光刻膠中開出的窗口,與硅片發(fā)生物理或化學反應(或這兩種反應),從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中,液體化學試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下(大于3微米)。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。天津半導體材料刻蝕服務等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學反應成分(如氟或氯)的氣體中實現(xiàn)。
材料的濕法化學刻蝕,包括刻蝕劑到達材料表面和反應產物離開表面的傳輸過程,也包括表面本身的反應。如果刻蝕劑的傳輸是限制加工的因素,則這種反應受擴散的限制。吸附和解吸也影響濕法刻蝕的速率,而且在整個加工過程中可能是一種限制因素。半導體技術中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的,這是因為覆蓋在表面上有一污染層。因此,刻蝕時受到反應劑擴散速率的限制。污染層厚度常有幾微米,如果化學反應有氣體逸出,則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應物產生,這種產物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高,常常使溶液攪動,因為攪動增強了外擴散效應。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而,結晶材料的刻蝕可能是各向同性,也可能是各向異性的,它取決于反應動力學的性質。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕,因為它們產生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面,或使晶體產生缺陷。因此,可用于化學加工,也可作為結晶刻蝕劑。
相比刻蝕用單晶硅材料,芯片用單晶硅材料是芯片等終端產品的原材料,市場更為廣闊,國產替代的需求也十分旺盛。SEMI的統(tǒng)計顯示,2018年全球半導體制造材料市場規(guī)模為322.38億美元,其中硅材料的市場規(guī)模達到121.24億美元,占比高達37.61%。刻蝕用單晶硅材料和芯片用單晶硅材料在制造環(huán)節(jié)上有諸多相似之處:積累的固液共存界面控制技術、熱場尺寸優(yōu)化工藝、多晶硅投料優(yōu)化等工藝技術已經達到國際先進水平,為進入新賽道提供了產業(yè)技術和經驗的支撐。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。廣東省科學院半導體研究所。刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱。福建硅材料刻蝕外協(xié)
減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。深圳材料刻蝕服務
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。深圳材料刻蝕服務
廣東省科學院半導體研究所總部位于長興路363號,是一家面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供支持。的公司。廣東省半導體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向導,為客戶提供***的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務。廣東省半導體所致力于把技術上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產品上的貼心,為用戶帶來良好體驗。廣東省半導體所創(chuàng)始人陳志濤,始終關注客戶,創(chuàng)新科技,竭誠為客戶提供良好的服務。
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